[實(shí)用新型]一種快速測量SiC晶片厚度差的測量裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821615746.3
• 申請日: 2018-09-30
• 公開（公告）號: CN208795123U
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林武慶;張潔;賴柏帆;蘇雙圖
• 申請（專利權(quán)）人: 福建北電新材料科技有限公司
• 主分類號: G01B5/06
• 分類號: G01B5/06
• 代理公司: 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

本實(shí)用新型公開了一種快速測量SiC晶片厚度差的測量裝置，包括測量盤，測量盤的中部開設(shè)有螺栓頭孔，螺栓頭孔的內(nèi)部螺紋連接有螺栓頭，螺栓頭的中部開設(shè)有第一通孔，測量盤的邊側(cè)等間距開設(shè)有四個第二通孔，第一通孔和第二通孔的內(nèi)部均嵌設(shè)有千分表，測量盤的邊側(cè)等間距開設(shè)有三個第一螺紋孔，第一螺紋孔的內(nèi)部螺紋連接玻珠螺栓，玻珠螺栓的一端開設(shè)有球槽，球槽的內(nèi)部嵌設(shè)有滾珠，本實(shí)用新型一種快速測量SiC晶片厚度差的測量裝置，通過用特質(zhì)的波珠螺栓來調(diào)節(jié)和保持測量裝置的水平，減少移動測量裝置人為不小心碰到SiC晶片邊緣導(dǎo)致晶片出現(xiàn)崩角，將五個表頭放在晶片上進(jìn)行晶片厚度差異的測量，減少了測量時間和移動次數(shù)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種測量裝置，特別涉及一種快速測量SiC晶片厚度差的測量裝置。

背景技術(shù)

碳化硅作為三代半導(dǎo)體材料的運(yùn)用因其具有寬禁帶，高擊穿場，大熱導(dǎo)率，電子飽和漂移速度高，抗輻射強(qiáng)和良好化學(xué)穩(wěn)定性的優(yōu)越性質(zhì)，成為新一代微電子器件和電路的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料，SiC與制作大功率微波、電力電子、光電器件的重要材料GaN之間具有非常好的匹配度，是SiC成為新一代寬帶半導(dǎo)體器件的重要襯底材料。未來將應(yīng)用在節(jié)能減排、信息技術(shù)、國防三大領(lǐng)域催生上萬億元潛在市場，成為未來新能源發(fā)展的方向之一。然而，碳化硅材料作為外延的襯底材料，對其表面質(zhì)量具有很強(qiáng)的需求，需要經(jīng)過一系列的加工工藝，其中SiC銅拋是SiC加工領(lǐng)域必不可少的一部分，主要是針對SiC晶片進(jìn)行減薄、厚度差異、表面形貌等進(jìn)行修復(fù)，否則將會影響到后段的加工質(zhì)量和外延的品質(zhì)。SiC銅拋前后需要進(jìn)行晶片厚度差異(TTV)測量，現(xiàn)有測量貼在陶瓷盤上的SiC晶片主要是采用千分表對晶片進(jìn)行5點(diǎn)式厚度測量，然后再通過計(jì)算5點(diǎn)厚度差異，由于采用單點(diǎn)測量，需要不停的轉(zhuǎn)動千分表測量治具的位置，再轉(zhuǎn)動過程中，容易磕碰到晶片邊緣，導(dǎo)致晶片出現(xiàn)崩角，且采用單點(diǎn)測量時間長，影響生產(chǎn)效率。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提現(xiàn)有的測量裝置效率低的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種快速測量SiC晶片厚度差的測量裝置，包括測量盤，所述測量盤的中部開設(shè)有螺栓頭孔，所述螺栓頭孔的內(nèi)部螺紋連接有螺栓頭，所述螺栓頭的中部開設(shè)有第一通孔，所述測量盤的邊側(cè)等間距開設(shè)有四個第二通孔，所述第一通孔和第二通孔的內(nèi)部均嵌設(shè)有千分表，所述測量盤的邊側(cè)等間距開設(shè)有三個第一螺紋孔，所述第一螺紋孔的內(nèi)部螺紋連接波珠螺栓，所述波珠螺栓的一端開設(shè)有球槽，所述球槽的內(nèi)部嵌設(shè)有滾珠。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述第一通孔一側(cè)的孔壁開設(shè)有第二螺紋孔，所述第二螺紋孔的內(nèi)部螺紋連接有第一徑向頂絲，所述第一徑向頂絲的一端與其相鄰千分表的一側(cè)相接觸。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述第二通孔一側(cè)的孔壁開設(shè)有第三螺紋孔，所述第三螺紋孔的內(nèi)部螺紋連接有第二徑向頂絲，所述第二徑向頂絲的一端與其相鄰千分表的一側(cè)相接觸。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述第一通孔內(nèi)部的底端固定設(shè)有第一彈性片，所述第二通孔內(nèi)部的底端固定設(shè)有第二彈性片，所述第一彈性片和第二彈性片的厚度從上至下依次增加。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述滾珠由聚乙烯材料制成。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型一種快速測量SiC晶片厚度差的測量裝置，通過用特質(zhì)的波珠螺栓來調(diào)節(jié)和保持測量裝置的水平，并且特質(zhì)的波珠螺栓底下由原本的鋼珠更換成聚乙烯材質(zhì)的球體來代替，減少移動測量裝置人為不小心碰到SiC晶片邊緣導(dǎo)致晶片出現(xiàn)崩角，同時五個千分表頭同時安裝到測量裝置上并在陶瓷盤上進(jìn)行歸零，然后再將五個表頭放在晶片上進(jìn)行晶片厚度差異的測量，減少了測量時間和移動次數(shù)，大大提高了測量效率和減少SiC晶片邊緣崩角率。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型測量盤與千分表的連接結(jié)構(gòu)示意圖；