[實用新型]半導(dǎo)體晶圓處理設(shè)備及其頂針裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821568496.2
• 申請日: 2018-09-21
• 公開（公告）號: CN208706613U
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊正杰;呂翼君
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67;G01V3/00
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

1.一種半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置，其特征在于，包括：

頂針通道；

頂針，位于所述頂針通道內(nèi)，所述頂針的外周表面包括位于所述頂針頂端的第一環(huán)形區(qū)域和與所述第一環(huán)形區(qū)域相鄰的第二環(huán)形區(qū)域，其中，所述第一環(huán)形區(qū)域和所述第二環(huán)形區(qū)域的導(dǎo)電性相反；

導(dǎo)電件，位于所述頂針通道內(nèi)側(cè)壁并抵接于所述頂針的外周表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置，其特征在于，所述第一環(huán)形區(qū)域為絕緣區(qū)，所述第二環(huán)形區(qū)域為導(dǎo)電區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置，其特征在于，所述第一環(huán)形區(qū)域為導(dǎo)電區(qū)，所述第二環(huán)形區(qū)域為絕緣區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置，其特征在于，還包括檢測單元，所述檢測單元電連接所述導(dǎo)電區(qū)和所述導(dǎo)電件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置，其特征在于，所述檢測單元包括電源、電阻和電壓傳感器；

所述電源與所述導(dǎo)電件相連，用于在所述導(dǎo)電件上施加電壓；

所述電阻與所述導(dǎo)電件或與所述頂針的導(dǎo)電區(qū)串聯(lián)；

所述電壓傳感器并聯(lián)于所述電阻兩端，用于檢測所述電阻兩端的電壓，或

所述電壓傳感器并聯(lián)于所述導(dǎo)電區(qū)與所述導(dǎo)電件兩端，用于檢測所述導(dǎo)電區(qū)與所述導(dǎo)電件之間的電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置，其特征在于，所述檢測單元包括電源、電阻和電流傳感器；

所述電源與所述導(dǎo)電件相連，用于在所述導(dǎo)電件上施加電壓；

所述電阻與所述導(dǎo)電件或與所述頂針的導(dǎo)電區(qū)串聯(lián)；

所述電流傳感器與所述電阻串聯(lián)，用于檢測通過所述電阻的電流大小。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電件為滾輪環(huán)，所述滾輪環(huán)安裝于所述頂針通道的內(nèi)側(cè)壁中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置，其特征在于，所述頂針的橫截面為圓形、方形、或者具有與所述滾輪環(huán)突出于所述頂針通道內(nèi)壁部分對應(yīng)的凹陷。

9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置，其特征在于，所述頂針由金屬制成，所述頂針上的絕緣區(qū)為鍍在所述頂針上的絕緣層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置，其特征在于，

所述頂針包括三個以上非直線排列的頂針，以及與各個所述頂針對應(yīng)的所述頂針通道；和/或

所述半導(dǎo)體反應(yīng)腔晶圓頂針裝置還包括用于固定所述頂針裝置的基座。

11.一種半導(dǎo)體晶圓處理設(shè)備，其特征在于，包括：

反應(yīng)腔體；

位于所述反應(yīng)腔體的如權(quán)利要求1至10中任意一項所述的頂針裝置。