[實用新型]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201821567300.8 | 申請日: | 2018-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN209119047U | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發明(設計)人: | 加茂陵賀;小早川亮 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蓋體 基板處理裝置 抵接構件 壓力容器 抵接 滾動構件 移動機構 鎖定 抵接面 內壓 開口 本實用新型 處理空間 高壓環境 密封面相 對基板 上移動 移動 封堵 開蓋 | ||
本實用新型提供一種基板處理裝置。抑制微粒的產生,同時限制由處理空間的內壓導致的蓋體的移動。實施方式的基板處理裝置是在高壓環境下對基板進行處理的基板處理裝置,其具備壓力容器、蓋體、以及鎖定機構。壓力容器具有開口。蓋體封堵開口。鎖定機構限制由壓力容器的內壓導致的蓋體向開蓋方向的移動。另外,鎖定機構具備抵接構件、移動機構、以及滾動構件。抵接構件與蓋體所具有的多個面中的作為與密封面相反的一側的面的被抵接面抵接。移動機構使抵接構件在沿著被抵接面的方向上移動。滾動構件設置于抵接構件的與蓋體或壓力容器抵接的抵接面。
技術領域
公開的實施方式涉及使用超臨界狀態的處理流體來將附著到基板的表面的液體去除的基板處理裝置。
背景技術
以往,公知有一種超臨界干燥處理,在該超臨界干燥處理中,在利用液體對半導體晶圓等基板的表面進行了處理之后,使由于液體而表面潤濕后的狀態的基板與超臨界流體接觸,從而使基板干燥。
超臨界干燥處理在高壓環境下進行。因此,存在如下情況:在進行超臨界干燥處理的基板處理裝置設置有用于使壓力容器的蓋體不因壓力容器的內壓而移動的鎖定機構。
在例如專利文獻1中公開有一種鎖定機構,該鎖定機構在利用蓋體封堵了壓力容器的開口之后,使鎖定板移動而與蓋體抵接,從而限制由壓力容器的內壓導致的蓋體的移動。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2013-131729號公報
實用新型內容
實用新型要解決的問題
然而,在上述的現有技術中,在使鎖定板移動而與蓋體抵接之際,蓋體或壓力容器與鎖定板有可能摩擦而產生微粒。該課題是在高壓環境下對基板進行處理的基板處理裝置共同的課題,在高壓環境下進行的處理并不限定于超臨界干燥處理。
實施方式的一形態的目的在于提供一種能夠抑制微粒的產生、同時限制由處理空間的內壓導致的蓋體的移動的基板處理裝置。
用于解決問題的方案
實施方式的一形態的基板處理裝置是在高壓環境下對基板進行處理的基板處理裝置,其具備壓力容器、蓋體、以及鎖定機構。壓力容器具有開口。蓋體封堵開口。鎖定機構限制由壓力容器的內壓導致的蓋體向開蓋方向的移動。另外,鎖定機構具備抵接構件、移動機構、以及滾動構件。抵接構件與蓋體所具有的多個面中的作為與密封面相反的一側的面的被抵接面抵接。移動機構使抵接構件在沿著被抵接面的方向上移動。滾動構件設置于抵接構件的與蓋體或壓力容器抵接的抵接面。
也可以是,所述抵接構件還具備:凹部,其形成于所述抵接面,用于收容所述滾動構件;以及施力構件,其設置于所述凹部內,該施力構件對所述滾動構件朝向所述凹部的外側施力,所述滾動構件以由于所述施力構件的作用力而一部分從所述凹部突出來的狀態收容于所述凹部,在被所述蓋體按壓著的情況下,克服所述施力構件的作用力而向所述開蓋方向移動,從而全部收容于所述凹部內。
也可以是,所述壓力容器具備貫穿孔,該貫穿孔設置于比所述開口靠所述開蓋方向的一側,所述抵接構件能夠貫穿該貫穿孔,所述滾動構件包括:蓋體側滾動構件,其設置到作為與所述蓋體抵接的抵接面的蓋體側抵接面;以及貫穿孔側滾動構件,其設置到與所述蓋體側抵接面相反的一側的面、且是與所述貫穿孔的內表面抵接的貫穿孔側抵接面。
也可以是,所述抵接構件被支承成能夠相對于所述移動機構擺動,所述貫穿孔側抵接面在所述抵接構件未與所述蓋體和所述壓力容器抵接的狀態下相對于由所述移動機構進行的所述抵接構件的移動方向向與所述開蓋方向相反的方向傾斜,在所述蓋體側滾動構件與所述蓋體或所述壓力容器接觸著的情況下,由于從所述蓋體或所述壓力容器受到的抗力而立起,并與所述貫穿孔的內表面抵接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





