[實(shí)用新型]一種并聯(lián)式連續(xù)鍍膜設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821560758.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN208933463U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王晗權(quán);王興杰;周年生;方輝鶴;張洪波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 百琪達(dá)智能科技(寧波)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/50 |
| 代理公司: | 寧波浙成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33268 | 代理人: | 洪松 |
| 地址: | 315500 浙江省寧波市*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基片架 釹鐵硼磁片 過(guò)渡倉(cāng) 進(jìn)料倉(cāng) 靶材 連續(xù)鍍膜設(shè)備 本實(shí)用新型 翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu) 濺射電源 并聯(lián)式 鍍膜室 工作效率高 并聯(lián)連接 傳送機(jī)構(gòu) 濺射功率 電連接 翻轉(zhuǎn) 鍍膜 自動(dòng)化 室內(nèi) 輸出 | ||
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種并聯(lián)式連續(xù)鍍膜設(shè)備,包括進(jìn)料倉(cāng)、過(guò)渡倉(cāng)和至少兩條鍍膜室,鍍膜室并聯(lián)連接于進(jìn)料倉(cāng)和過(guò)渡倉(cāng)之間,鍍膜室內(nèi)設(shè)置靶材、濺射電源和傳送機(jī)構(gòu),濺射電源與所述靶材電連接,用以向所述靶材輸出濺射功率;進(jìn)料倉(cāng)內(nèi)設(shè)置有第一基片架,過(guò)渡倉(cāng)內(nèi)設(shè)有第二基片架和翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),第一基片架和第二基片架分別用于放置釹鐵硼磁片,翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)用以將第一基片架上的釹鐵硼磁片翻轉(zhuǎn)至第二基片架上。本實(shí)用新型具有自動(dòng)化程度高、釹鐵硼磁片不易氧化、工作效率高的特點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及磁體制備技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種并聯(lián)式連續(xù)鍍膜設(shè)備。
背景技術(shù)
釹鐵硼(Nd2Fe14B)永磁體具有高剩磁、高矯頑力和高磁能積,是現(xiàn)今所知的綜合性能最高的稀土永磁材料,促進(jìn)了磁學(xué)器件的小型化、輕型化的發(fā)展,使得在風(fēng)力發(fā)電、變頻壓縮機(jī)和新能源乘用車等高端熱門領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
在現(xiàn)有技術(shù)中,為了獲得高性能的燒結(jié)釹鐵硼永磁體主要運(yùn)用到重稀土等元素的添加,晶界擴(kuò)散添加重稀土元素成為近年來(lái)研究的熱點(diǎn),使用晶界擴(kuò)散的方法,使重稀土元素?cái)U(kuò)散進(jìn)入磁體晶界及主相晶粒邊緣區(qū)域,既能達(dá)到提高各向異性場(chǎng)的目的,又不明顯的降低剩磁和磁能積,同時(shí)成本微量增加。
磁控濺射便是晶界擴(kuò)散添加稀土元素的方法中的一種,磁控濺射是通過(guò)磁控濺射設(shè)備濺射重稀土金屬在釹鐵硼磁體表面,但是現(xiàn)有的磁控濺射是將磁體平放在托盤(pán)上,使一面濺射鍍膜之后冷卻,再進(jìn)行手工翻面,再對(duì)另一面進(jìn)行濺射,這無(wú)疑增加了濺射的時(shí)間,降低了生產(chǎn)效率,而且手工翻面容易導(dǎo)致釹鐵硼磁體發(fā)生氧化,而影響釹鐵硼磁體的性能。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足和缺陷,提供一種并聯(lián)式連續(xù)鍍膜設(shè)備,具有自動(dòng)化程度高、釹鐵硼磁片不易氧化、工作效率高的特點(diǎn)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案。
一種并聯(lián)式連續(xù)鍍膜設(shè)備,包括進(jìn)料倉(cāng)、過(guò)渡倉(cāng)和至少兩條鍍膜室,鍍膜室并聯(lián)連接于進(jìn)料倉(cāng)和過(guò)渡倉(cāng)之間,鍍膜室內(nèi)設(shè)置靶材、濺射電源和傳送機(jī)構(gòu),濺射電源與所述靶材電連接,用以向所述靶材輸出濺射功率;進(jìn)料倉(cāng)內(nèi)設(shè)置有第一基片架,過(guò)渡倉(cāng)內(nèi)設(shè)有第二基片架和翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),第一基片架和第二基片架分別用于放置釹鐵硼磁片,翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)用以將第一基片架上的釹鐵硼磁片翻轉(zhuǎn)至第二基片架上。
進(jìn)一步的,傳送機(jī)構(gòu)為伺服電機(jī)通過(guò)磁流體驅(qū)動(dòng)中間傳送輥。
進(jìn)一步的,進(jìn)料倉(cāng)和過(guò)渡倉(cāng)內(nèi)分別設(shè)有與中間傳送輥對(duì)接的內(nèi)傳送輥,內(nèi)傳送輥通過(guò)外部的同步帶機(jī)構(gòu)或內(nèi)部的鏈傳動(dòng)實(shí)現(xiàn)。
進(jìn)一步的,鍍膜室和進(jìn)料倉(cāng)之間設(shè)有進(jìn)料室,鍍膜室和過(guò)渡倉(cāng)之間設(shè)有出料室。
進(jìn)一步的,進(jìn)料室和進(jìn)料倉(cāng)之間以及出料室和過(guò)渡倉(cāng)之間分別設(shè)有真空翻板閥門。
進(jìn)一步的,進(jìn)料倉(cāng)內(nèi)設(shè)有三軸進(jìn)料機(jī)械手。
進(jìn)一步的,進(jìn)料倉(cāng)、過(guò)渡倉(cāng)和鍍膜室內(nèi)均連接有真空系統(tǒng)。
進(jìn)一步的,翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)為三軸翻轉(zhuǎn)機(jī)械手。
本實(shí)用新型的有益效果為:本實(shí)用新型的鍍膜設(shè)備,使用時(shí),先將料盒內(nèi)的釹鐵硼磁片通過(guò)三軸進(jìn)料機(jī)械手移送至第一基片架內(nèi),第一基片架再通過(guò)內(nèi)傳送輥和中間傳送輥移送至鍍膜室內(nèi)進(jìn)行鍍膜,待釹鐵硼磁片一面鍍膜完成后,再移送至中間過(guò)渡倉(cāng),此時(shí)再通過(guò)翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)將第二基片架翻轉(zhuǎn)并將第二基片架的開(kāi)口處與第一基片架相貼合,再通過(guò)翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)將第一基片架和第二基片架同時(shí)夾緊并翻轉(zhuǎn)180度,此時(shí)第一基片架上的釹鐵硼磁片便會(huì)翻轉(zhuǎn)至第二基片架上,再將第二基片架移動(dòng)至另一并聯(lián)的鍍膜室內(nèi),對(duì)釹鐵硼磁片另一面進(jìn)行鍍膜, 釹鐵硼磁片可連續(xù)不斷地進(jìn)入鍍膜室進(jìn)行鍍膜,本實(shí)用新型通過(guò)自動(dòng)化對(duì)釹鐵硼磁片進(jìn)行鍍膜,提高了自動(dòng)化程度, 大大提高了工作效率,而且避免了釹鐵硼磁片被氧化。
附圖說(shuō)明
圖1是本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
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C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





