[實(shí)用新型]具有修改圖案的半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821513764.0
• 申請日: 2018-09-14
• 公開（公告）號(hào): CN208674108U
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/544
• 分類號(hào): H01L23/544
• 代理公司: 北京潤平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 劉兵

本申請公開了一種具有修改圖案的半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體襯底；第一對(duì)準(zhǔn)圖案的突出圖形，突出于所述半導(dǎo)體襯底的表面；第二對(duì)準(zhǔn)圖案，對(duì)準(zhǔn)形成于所述第一對(duì)準(zhǔn)圖案中，所述第二對(duì)準(zhǔn)圖案包括至少凹入于所述突出圖形中的中間圖形。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種具有修改圖案的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體制造工藝的不斷發(fā)展，電路設(shè)計(jì)越來越復(fù)雜、特征尺寸越來越小，芯片的集成度越來越高。這對(duì)半導(dǎo)體制造工藝提出了越來越嚴(yán)格的要求，因此必須在工藝過程中盡可能地減小每個(gè)步驟的誤差，降低因誤差造成的器件失效。光刻是半導(dǎo)體制造過程中一道重要的工序，而影響光刻工藝誤差的因素除了光刻機(jī)的分辨率之外，還有光刻機(jī)的對(duì)準(zhǔn)精確度?？梢圆捎脴?biāo)準(zhǔn)掩膜板來進(jìn)行光刻機(jī)的對(duì)準(zhǔn)，將標(biāo)準(zhǔn)掩膜板上的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案轉(zhuǎn)印至襯底上供光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)使用，以提高光刻機(jī)的對(duì)準(zhǔn)精確度。

由于標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案與標(biāo)準(zhǔn)掩膜板相互對(duì)應(yīng)，如果需要采用另一種標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案，則需要更換與之對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)掩膜板，而標(biāo)準(zhǔn)掩膜板是半導(dǎo)體制造過程中造價(jià)最高的一部分，所以更換新的標(biāo)準(zhǔn)掩膜板需要耗費(fèi)大量的資金，增加了制造成本。

實(shí)用新型內(nèi)容

本申請的目的是提供一種具有修改圖案的半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置上的修改圖案通過修改掩膜板對(duì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改而成，修改圖案符合設(shè)計(jì)需求，能夠減少更換標(biāo)準(zhǔn)掩膜板的費(fèi)用，降低制造成本。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，在本申請?zhí)峁┮环N具有修改圖案的半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體襯底；第一對(duì)準(zhǔn)圖案的突出圖形，突出于所述半導(dǎo)體襯底的表面；第二對(duì)準(zhǔn)圖案，對(duì)準(zhǔn)形成于所述第一對(duì)準(zhǔn)圖案中，所述第二對(duì)準(zhǔn)圖案包括至少凹入于所述突出圖形中的中間圖形。

可選地，所述第二對(duì)準(zhǔn)圖案還包括位于所述中間圖形兩側(cè)的側(cè)邊圖形。

可選地，所述第二對(duì)準(zhǔn)圖案完全對(duì)準(zhǔn)形成于所述第一對(duì)準(zhǔn)圖案中。

可選地，所述第二對(duì)準(zhǔn)圖案的中間線對(duì)準(zhǔn)重疊于所述第一對(duì)準(zhǔn)圖案的中間線。

本申請?zhí)峁┑木哂行薷膱D案的半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體襯底、突出圖形和第二對(duì)準(zhǔn)圖案，突出圖形突出于半導(dǎo)體襯底表面，第二對(duì)準(zhǔn)圖案包括至少凹入于突出圖形的中間圖形。修改圖案是通過修改掩膜板將標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改而成的對(duì)準(zhǔn)圖案，該修改圖案符合設(shè)計(jì)需求，能夠減少更換標(biāo)準(zhǔn)掩膜板的費(fèi)用，降低制造成本。

本申請的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式部分予以詳細(xì)說明。

附圖說明

附圖是用來提供對(duì)本申請的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本申請，但并不構(gòu)成對(duì)本申請的限制。在附圖中：

圖1是根據(jù)本申請一種實(shí)施方式的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法的流程圖；

圖2是根據(jù)本申請一種實(shí)施方式的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法制備的半導(dǎo)體襯底的剖視圖；

圖3是根據(jù)本申請一種實(shí)施方式的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法形成的第二光掩膜層的剖視圖；

圖4是根據(jù)本申請一種實(shí)施方式的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法形成的第二光掩膜圖案的剖視圖；

圖5A、圖5B是根據(jù)本申請一種實(shí)施方式的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法形成的第一對(duì)準(zhǔn)圖案的剖視圖；

圖6是根據(jù)本申請一種實(shí)施方式的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法形成的第一光掩膜層的剖視圖；

圖7A是根據(jù)本申請一種實(shí)施方式的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法形成的第一光掩膜圖案的剖視圖；

圖7B是根據(jù)本申請一種實(shí)施方式的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法形成的第一掩膜槽孔的局部放大剖視圖；

圖8A是根據(jù)本申請一種實(shí)施方式的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法形成的第二對(duì)準(zhǔn)圖案的剖視圖；