[實用新型]靜電吸盤及真空處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821488510.8 | 申請日: | 2018-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN208706609U | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權(quán))人: | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 第一表面 冷卻區(qū)域 冷卻氣體 第二表面 靜電吸盤 冷卻通道 隔離部 真空處理裝置 本實用新型 凸出設(shè)置 穿過 隔離 貫穿 流動 | ||
1.一種靜電吸盤,其特征在于,包括:
本體,具有相對的第一表面和第二表面;第一表面被限定出多個冷卻區(qū)域,其中一冷卻區(qū)域位于第一表面的中心;
冷卻通道,貫穿第一表面和第二表面且分布于各個冷卻區(qū)域,冷卻氣體從第二表面進入冷卻通道并穿過第一表面;及
隔離部,自第一表面凸出設(shè)置,各個冷卻區(qū)域通過隔離部隔離,冷卻氣體在各個冷卻區(qū)域內(nèi)流動,其中,位于第一表面的中心的冷卻區(qū)域內(nèi)的冷卻氣體的流量大于其他冷卻區(qū)域內(nèi)的冷卻氣體的流量。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤,其特征在于,位于第一表面的中心的冷卻區(qū)域為中心區(qū)域,冷卻區(qū)域還包括圍繞中心區(qū)域的過渡區(qū)域和周邊區(qū)域,過渡區(qū)域位于中心區(qū)域與周邊區(qū)域之間,且中心區(qū)域內(nèi)、過渡區(qū)域及周邊區(qū)域通過隔離部隔離,過渡區(qū)域的冷卻氣體的流量小于中心區(qū)域內(nèi)的冷卻氣體的流量,且大于周邊區(qū)域內(nèi)的冷卻氣體的流量。
3.如權(quán)利要求2所述的靜電吸盤,其特征在于,中心區(qū)域為圓形,隔離部、過渡區(qū)域及周邊區(qū)域均為環(huán)形,中心區(qū)域、過渡區(qū)域及周邊區(qū)域同心排布。
4.如權(quán)利要求3所述的靜電吸盤,其特征在于,分布于過渡區(qū)域及周邊區(qū)域的冷卻通道呈環(huán)狀排布。
5.如權(quán)利要求2所述的靜電吸盤,其特征在于,過渡區(qū)域的面積大于周邊區(qū)域的面積,過渡區(qū)域分布的冷卻通道的數(shù)量大于周邊區(qū)域分布的冷卻通道的數(shù)量。
6.如權(quán)利要求2所述的靜電吸盤,其特征在于,中心區(qū)域分布的冷卻通道的密度大于過渡區(qū)域和周邊區(qū)域分布的冷卻通道的密度。
7.如權(quán)利要求2所述的靜電吸盤,其特征在于,過渡區(qū)域的數(shù)量為多個,多個過渡區(qū)域與中心區(qū)域同心排布,各個過渡區(qū)域通過隔離部隔離。
8.如權(quán)利要求7所述的靜電吸盤,其特征在于,過渡區(qū)域數(shù)量為3-6個。
9.如權(quán)利要求2所述的靜電吸盤,其特征在于,冷卻通道包括進氣通道和出氣通道,冷卻氣體能夠從第二表面經(jīng)由進氣通道穿過第一表面,并從第一表面經(jīng)由出氣通道穿過第二表面。
10.如權(quán)利要求9所述的靜電吸盤,其特征在于,每一區(qū)域內(nèi),進氣通道和出氣通道相對于本體的直徑對稱分布。
11.如權(quán)利要求10所述的靜電吸盤,其特征在于,相鄰兩區(qū)域內(nèi)的進氣通道和出氣通道的分布相反。
12.如權(quán)利要求9所述的靜電吸盤,其特征在于,每一區(qū)域內(nèi),進氣通道和出氣通道間隔分布。
13.如權(quán)利要求2所述的靜電吸盤,其特征在于,靜電吸盤還包括多個相互隔離的氣體流道,其設(shè)置于第二表面,并分別與各冷卻區(qū)域?qū)?yīng),氣體流道與所對應(yīng)的冷卻區(qū)域的冷卻通道連通。
14.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤,其特征在于,隔離部的頂面為水平面,且各個隔離部的高度相同。
15.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤,其特征在于,隔離部的高度為0.2mm~2mm。
16.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤,其特征在于,隔離部由陶瓷制成。
17.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤,其特征在于,冷卻氣體的流量為2sccm~10sccm,各冷卻區(qū)域的冷卻氣體的流量各不相同,且由中心至外周依次遞減1%~8%。
18.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤,其特征在于,冷卻氣體為惰性氣體。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





