[實用新型]帶側墻柵結構的深槽超結MOSFET器件有效
| 申請號： | 201821424488.0 | 申請日： | 2018-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN208938973U | 公開（公告）日： | 2019-06-04 |
| 發明（設計）人： | 許劍;劉桂芝;夏虎 | 申請（專利權）人： | 無錫麟力科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 王闖;葛莉華 |
| 地址： | 214192 江蘇省無錫市錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 側墻 超結MOSFET 深槽結構 柵結構 減小 深槽 溝槽氧化層 柵極氧化層 外延層 源區 本實用新型 多晶硅柵極 功率器件 開關頻率 開關損耗 器件橫向 源極金屬 多晶硅 介質層 柵電荷 屏蔽 側立 襯底 電阻 耐壓 保留 | ||
【權利要求書】：
1.一種帶側墻柵結構的深槽超結MOSFET器件，其特征在于：包括N+型襯底；
所述N+型襯底上表面形成有N-型外延層；
所述N-型外延層內部中部形成有多個P型柱深槽結構，所述P型柱深槽結構包括柱形深槽結構和位于柱形深槽結構內的P型多晶硅，所述P型柱深槽結構的方向為自N-型外延層頂部向下，相鄰的P型柱深槽結構之間相分離；
所述N-型外延層內部上部形成有多個側墻柵結構，每個側墻柵結構位于P形柱深槽結構的上方且相鄰的側墻柵結構之間相分離，所述側墻柵結構包括溝槽結構和N型多晶硅柵極，所述溝槽結構的內表面形成有柵極氧化層，所述N型多晶硅柵極位于溝槽結構內且N型多晶硅柵極中部斷開，形成多晶硅側墻結構；
所述N-型外延層內部上部形成有P型體區，所述P型體區位于相鄰的側墻柵結構之間，所述P型體區的結深不超過側墻柵結構的底部，所述P型體區的頂部沿水平方向依次形成有N+有源區、P+有源區、N+有源區；
所述側墻柵結構、N+有源區、P+有源區的上方形成有金屬層，所述金屬層與側墻柵結構之間形成有介質層，所述金屬層與N+有源區、P+有源區連接，形成源極金屬。
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