[實用新型]一種帶有銅冷卻裝置的陰極平臺

有效

• 申請號: 201821408558.3
• 申請日: 2018-08-30
• 公開（公告）號: CN208844181U
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: 匡國慶
• 申請（專利權）人: 鎮江市德利克真空設備科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 鎮江基德專利代理事務所(普通合伙) 32306
• 代理人: 馬振華

本實用新型公開了一種帶有銅冷卻裝置的陰極平臺，包括底座、固定在底座上的供氣裝置和對稱設置在供氣裝置兩側的兩個陰極體；陰極體包括帶有環形凹槽的底板和若干個絕緣支架，所述的環形凹槽內裝有磁靴；所述的底板上由下至上依次設置有液冷板、銅背板、第二壓板、靶材和第一壓板；所述的液冷板上表面與所述的環形凹槽相對應位置處設置有環形凸槽，所述的環形凸槽伸入環形凹槽內，且該環形凸槽的外形與環形凹槽內部的形狀相匹配，所述的環形凸槽背面經銅背板封閉形成冷卻腔體；所述冷卻腔體的底部設有冷卻液的出、入口。該裝置自帶陰極體的冷卻系統，可以對陰極體進行全方位的冷卻處理。

技術領域

本實用新型涉及真空鍍膜生產線技術領域，具體來說，是涉及一種真空鍍膜生產線用陰極平臺。

背景技術

真空鍍膜是一種在真空中制備膜層產生薄膜材料的技術，有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。其中濺射鍍膜是真空鍍膜中最主要的方法，該技術是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上。在磁控濺射鍍膜工藝中，對磁控濺射鍍膜設備的質量要求很高，而在磁控濺射鍍膜設備中，溫度的控制尤為重要。目前的平面磁控濺射陰極(簡稱“平面陰極”)均是對磁靴和靶材進行分開冷卻的方式，其冷卻結構復雜，冷卻系統的泄漏風險大，且造價昂貴。

實用新型內容

本實用新型的目的是為了解決以上現有技術的不足，提供一種可同時冷卻磁靴、靶材，且冷卻液與磁鐵互不接觸的陰極平臺。

一種帶有銅冷卻裝置的陰極平臺，包括底座、固定在底座上的供氣裝置和對稱設置在供氣裝置兩側的兩個陰極體；

所述的陰極體包括帶有環形凹槽的底板和設置在底板下部的若干個絕緣支架，所述的絕緣支架固定于底座上；所述的環形凹槽內裝有磁靴；所述的底板上由下至上依次設置有液冷板、銅背板、用于壓緊銅背板的第二壓板、靶材和用于壓緊靶材的第一壓板；

所述的液冷板上表面與所述的環形凹槽相對應位置處設置有環形凸槽，所述的環形凸槽伸入環形凹槽內，且該環形凸槽的外形與環形凹槽內部的形狀相匹配，所述的環形凸槽背面經銅背板封閉形成冷卻腔體；所述冷卻腔體的底部設有冷卻液的出、入口。

為了更好的安裝磁靴，放置磁靴晃動，所述的磁靴的外表面與環形凹槽的內壁間還依次設有環形不銹鋼墊圈和環形鋁合金墊圈。

為了更好的向裝置內輸送氣體，并將集中主供氣與分別輔供氣的進行一體化設計，優選地，所述的供氣裝置包括固定在底座上的底架、與底架相連的中架、設置在中架兩側的左、右側板和橫截面呈工字形的頂架；所述中架的左側面設有主過氣凹槽，主過氣凹槽經左側板封閉形成主供氣管路，中架的右側面設有若干個獨立的輔過氣凹槽，輔過氣凹槽經右側板封閉形成若干個獨立的輔供氣管路；所述頂架與中架通過通氣板相連，所述的通氣板內部設有若干個橫截面呈Y字形的氣道；所述Y字形氣道的底部入口同時與主供氣管路的出口以及輔供氣管路的出口相連，所述主供氣管路的入口與主進氣管道相連，若干個輔供氣管路的入口與若干個輔進氣管道一一對應相連。

相對于傳統的分開供氣設計，上述供氣可調的陰極平臺通過中架與通氣板的組合完美的實現了將集中主供氣與分別輔供氣結合的一體化設計，將主供氣管路與輔供氣管路集中放置在中架上，主、輔供氣管路又同時與Y字形氣道的底部入口相連，使用時，無論是哪個供氣管路進行供氣，都會通過Y字形氣道兩側的氣體出口向兩側的陰極體進行供氣操作。在操作時，我們希望主供氣管路就可以完成穩定均勻供氣的效果，但當某一段靶材的使用情況異常或某一段成膜效果不均勻時，此時可以通過輔供氣管路對局部的供氣情況進行微調，從而提高靶材的利用率及成膜的均勻性。

為了更均勻的供氣，所述的每個輔供氣管路均包括三個輔氣支路出口，每個輔氣支路出口都單獨與一個Y字形氣道的底部入口相連。

優選的，所述的主供氣管路設有九個主氣支路出口，每個主氣支路出口都單獨與一個Y字形氣道的底部入口相連。

有益效果：