[實用新型]一種降壓型DC_DC變換器電路有效
| 申請號: | 201821407436.2 | 申請日: | 2018-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN208656642U | 公開(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發明(設計)人: | 胡喬 | 申請(專利權)人: | 成都銳成芯微科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/158 | 分類號: | H02M3/158 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 610041 四川省成都市高新*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 子電路 振蕩子 電路 變換器電路 電平位移 誤差放大器 穩壓 本實用新型 驅動子電路 穩壓電源 降壓型 集成電路電源 采樣電壓 參考電壓 電路輸出 電路提供 電源電壓 放大信號 管理技術 驅動電流 輸出誤差 振蕩信號 耐壓 保證 | ||
1.一種降壓型DC_DC變換器電路,其特征在于,所述電路包括連接于電源電壓并為整個電路提供穩壓電源的線性穩壓子電路,所述線性穩壓子電路還分別連接有電平位移子電路、振蕩子電路、驅動子電路以及誤差放大器子電路;
所述驅動子電路分別連接于所述電平位移子電路和所述振蕩子電路,并用以驅動后續電路;所述誤差放大器子電路連接于所述振蕩子電路,所述誤差放大器子電路將變換器電路的第一采樣電壓和第一參考電壓比較,并輸出誤差放大信號至所述振蕩子電路,所述振蕩子電路輸出振蕩信號至所述電平位移子電路進行電平位移;
所述驅動子電路還連接有第一PMOS管,所述第一PMOS管連接有電感,所述電感另一端連接有第一NMOS管,所述第一NMOS管連接于所述驅動子電路;所述第一NMOS管還并聯有第一電容,所述第一電容還并聯有相互連接的第一電阻和第二電阻。
2.根據權利要求1所述的降壓型DC_DC變換器電路,其特征在于,所述第一PMOS管和所述第一NMOS管均為LDMOS管,其中,所述第一PMOS管為LDPMOS管,所述第一NMOS管為LDNOMS管。
3.根據權利要求1所述的降壓型DC_DC變換器電路,其特征在于,所述線性穩壓子電路包括第一線性穩壓子電路和第二線性穩壓子電路;
所述第一線性穩壓子電路包括連接于所述電源電壓的第一放大器和第二NMOS管,所述第二NMOS管連接有第三電阻,所述第三電阻串聯有第四電阻,所述第三電阻和第四電阻還并聯有第二電容;所述第三電阻合第四電阻連接于所述第一放大器的第一輸入端,所述第一放大器的第二輸入端還連接有第二參考電壓,所述第一放大器比較所述第二參考電壓以及經所述第三電阻的第二采樣電壓,并輸出比較結果至所述第二NMOS管,所述比較結果經所述第二NMOS管以輸出第一穩壓電源;
所述第二線性穩壓子電路包括連接于所述電源電壓的第二放大器和第五電阻,所述第二放大器連接有第三NMOS管,所述第五電阻串聯有第六電阻,所述第五電阻和第六電阻還并聯有第三電容;所述第五電阻和第六電阻連接于所述第二放大器的第一輸入端,所述第二放大器的第二輸入端還連接有第三參考電壓,所述第二放大器比較所述第三參考電壓以及經所述第五電阻的第三采樣電壓,并輸出比較結果至所述第三NMOS管,所述比較結果經所述第三NMOS管以輸出第二穩壓電源。
4.根據權利要求3所述的降壓型DC_DC變換器電路,其特征在于,所述第二NMOS管和所述第三NMOS管均為LDNMOS管。
5.根據權利要求3所述的降壓型DC_DC變換器電路,其特征在于,所述第二NMOS管的漏極連接于所述電源電壓,柵極連接于所述第一放大器的輸出端,源極連接于所述第三電阻的一端和所述第二電容的一端,所述第三電阻的另一端連接于所述第四電阻的一端,所述第四電阻的另一端和所述第二電容的另一端接地;所述第一放大器的第一輸入端連接于所述第三電阻和所述第四電阻相連的端,第二輸入端連接于參考電壓;第一穩壓電源輸出端連接于所述第二NMOS管的源極。
6.根據權利要求5所述的降壓型DC_DC變換器電路,其特征在于,所述第二放大器第一輸入端連接于所述第五電阻和所述第六電阻相連的端,所述第五電阻的另一端連接于電源電壓和第三電容的一端,所述第六電阻的另一端連接于所第三電容的另一端和所述第三NMOS管的漏極;所述第三NMOS管的源極接地,柵極連接于所述第二放大器的輸出端;第二穩壓電源輸出端連接于所述第三NMOS管的漏極。
7.根據權利要求6所述的降壓型DC_DC變換器電路,其特征在于,所述驅動子電路包括連接于電源電壓的第一驅動子電路和接地的第二驅動子電路;所述第一驅動子電路分別連接于所述電平位移子電路、所述第一PMOS管以及第二穩壓電源輸出端;所述第二驅動子電路分別連接于所述振蕩子電路、所述第一NMOS管以及第一穩壓電源輸出端。
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