[實用新型]涂敷處理裝置和涂敷液捕集構件

有效

• 申請號: 201821405221.7
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN209020671U
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發明（設計）人: 上村良一
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: B05C5/02
• 分類號: B05C5/02;B05C11/10;B05C13/02;H01L21/027
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

一種涂敷處理裝置和涂敷液捕集構件。提供如下技術：在使供給有高粘度的涂敷液的基板旋轉而進行涂敷處理時，對涂敷處理中飛散的涂敷液進行捕集而去除，并且抑制生產率的降低。在使晶圓旋轉而涂敷抗蝕劑液的抗蝕劑涂敷裝置中，在沿著杯體的周向設置的排氣路徑設置有捕集由于晶圓的旋轉而產生的線狀的涂敷液的涂敷液捕集構件，在涂敷液捕集構件設置有溶劑積存部。因此，在對晶圓進行了背面側溶劑供給處理時從晶圓甩開的溶劑落到涂敷液捕集構件，積存于溶劑積存部。并且，通過設為溶劑積存到溶劑積存部的狀態，能夠在對接下來的晶圓進行了抗蝕劑涂敷處理時也在抗蝕劑涂敷處理期間溶解去除被涂敷液捕集構件捕集的線狀的涂敷液，能夠抑制生產率的降低。

技術領域

本實用新型涉及在使基板旋轉而涂敷涂敷液時對從基板飛散的涂敷液進行捕集去除的涂敷處理裝置和涂敷液捕集構件。

背景技術

公知有如下進行旋涂的裝置：在作為半導體制造工序之一的光致抗蝕劑工序中，向半導體晶圓(以下稱為“晶圓”)的表面供給抗蝕劑等各涂敷液，使晶圓旋轉而將涂敷液向晶圓的整個表面涂敷。作為這樣的涂敷處理裝置，以包圍已保持到旋轉卡盤的晶圓的方式設置有杯體，接住從晶圓飛散的涂敷液，并且，沿著杯體的周向設置環狀的排氣路徑，經由排氣路徑對晶圓的周圍的氣氛進行排氣。

近年來，隨著半導體電路的高集成化，研究了具有更復雜的3維構造的器件。在制造這樣的器件的情況下，出于提高耐蝕刻性的觀點考慮，存在將抗蝕劑膜設為較厚的膜的要求，作為抗蝕劑液，需要使用例如200cP以上的粘度的高粘度的抗蝕劑液。若利用旋涂來涂敷高粘度的材料，則在使涂敷到晶圓的涂敷液擴散之際，從晶圓的周緣甩開的涂敷液有時成為線狀。并且，存在如下問題：若這樣的線狀的涂敷液堵塞在排氣路徑內，則排氣壓就降低，因此，需要定期地進行維護而去除線狀的涂敷液。

作為這樣的線狀的涂敷液的對策，公知有專利文獻1所記載那樣的在包圍晶圓的環狀的排氣路徑設置有捕集線狀的涂敷液的環狀的涂敷液捕集構件的結構。通過設置這樣的涂敷液捕集構件，能夠對要流入杯體的下游側的例如排氣管道的涂敷液進行捕集。然而，在這樣的涂敷處理裝置中，需要將被涂敷液捕集構件捕集到的線狀的涂敷液去除。

在專利文獻1中記載有如下技術：使用對晶圓的背面進行清洗的背面側沖洗液，利用從晶圓甩開的背面側沖洗液來對涂敷液捕集構件進行清洗。然而晶圓的轉速由于晶圓的處理制程而不同、或者變動。因此，在晶圓的處理中，難以朝向涂敷液捕集構件穩定地供給液體。因而，存在如下問題：除了處理晶圓的工序之外，還需要進行朝向涂敷液捕集構件供給背面側沖洗液、來對涂敷液捕集構件進行清洗的工序，生產率變差。

另外，在專利文獻2中記載有如下技術：朝向在旋轉的晶圓的周緣產生的線狀(棉狀)的涂敷液噴出溶劑而將該線狀的涂敷液去除。然而，線狀的涂敷液易于飛散，存在無法充分地抑制被排氣捕捉到的涂敷液的擔心。另外，在抗蝕劑涂敷處理中需要繼續溶劑的供給，因此，化學溶液的使用量有可能變多。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本實用新型登記第3175893號公報

專利文獻2：日本特開2014-136182號公報

實用新型內容

實用新型要解決的問題

本實用新型是在這樣的狀況下做成的，其目的在于提供一種如下技術：在使供給有高粘度的涂敷液的基板旋轉而進行涂敷處理時，對在涂敷處理中飛散的涂敷液進行捕集而去除，并且抑制生產率的降低。

用于解決問題的方案

本實用新型的第一方面提供一種涂敷處理裝置，該涂敷處理裝置的特征在于，具備：

基板保持部，其水平地保持基板并繞鉛垂軸線旋轉；