[實用新型]一種準單晶鑄錠爐下爐體支撐防護機構

有效

• 申請號: 201821368526.5
• 申請日: 2018-08-24
• 公開（公告）號: CN208869711U
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: 華焱
• 申請（專利權）人: 常州四杰機械科技有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型屬于單晶爐技術領域，具體涉及一種準單晶鑄錠爐下爐體支撐防護機構。該準單晶鑄錠爐下爐體支撐防護機構，包括下爐底外殼、支撐座和支撐柱，所述下爐底外殼內裝配水冷盤的支撐座和用于支撐DS塊的各支撐柱分別置于下爐底外殼底部的防護套座內，下爐底外殼底部和防護套座內分別鋪設填充有溢流棉。其有益效果是：結構簡單，使用方便，防護套座對溢流至下爐底外殼底部硅液起到防護作用，避免溢流液對下爐底外殼內底部的各支撐裝配件造成腐蝕，且下爐底外殼鋪設的溢流棉能夠防止溢流液對爐體底部造成污染。

技術領域

本實用新型屬于單晶爐技術領域，具體涉及一種準單晶鑄錠爐下爐體支撐防護機構。

背景技術

準單晶鑄錠爐是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,是基于準單晶鑄錠爐的工藝生長無錯位單晶的設備，準單晶（MonoLike）是基于多晶鑄錠的工藝，在長晶時通過部分使用單晶籽晶，獲得外觀和電性能均類似單晶的多晶硅片，這種通過鑄錠的方式形成單晶硅的技術，其功耗只比普通多晶硅多，所生產的單晶硅的質量接近直拉單晶硅，簡單地說，這種技術就是用多晶硅的成本，生產單晶硅的技術，當下量產的準單晶技術大部分為有籽晶鑄錠，這種技術先把籽晶、硅料摻雜元素放置在坩堝中，籽晶一般位于坩堝底部，再加熱融化硅料，并保持籽晶不被完全融掉，最后控制降溫，調節固液相的溫度梯度，確保單晶從籽晶位置開始生長，這種技術的難點在于確保在熔化硅料階段，籽晶不被完全融化，還有控制好溫度梯度的分布，這個是提高晶體生長速度和晶體質量的關鍵，為了滿足準單晶對于溫度梯度的工藝要求，需要在爐內達到1450攝氏度的情況下打開風門，來進行逐漸降溫的過程，而準單晶鑄錠爐在運行時，石墨坩堝可能會出現意外破裂，發生硅液溢流事故，硅液溢流會對準單晶鑄錠爐內部結構造成腐蝕污染，破壞下爐體內相應的裝配支撐部件，給爐體的使用帶來安全隱患。

實用新型內容

本實用新型為了彌補現有技術的缺陷，提供了一種準單晶鑄錠爐下爐體支撐防護機構。

本實用新型是通過如下技術方案實現的：

一種準單晶鑄錠爐下爐體支撐防護機構，包括下爐底外殼、支撐座和支撐柱，所述下爐底外殼內裝配水冷盤的支撐座和用于支撐DS塊的各支撐柱分別置于下爐底外殼底部的防護套座內，下爐底外殼底部和防護套座內分別鋪設填充有溢流棉。

進一步，所述支撐柱為石墨支柱。

進一步，所述下爐底外殼內相鄰的支撐座和支撐柱位于同一防護套座內。

本實用新型的有益效果是：結構簡單，使用方便，防護套座對溢流至下爐底外殼底部硅液起到防護作用，避免溢流液對下爐底外殼內底部的各支撐裝配件造成腐蝕，且下爐底外殼鋪設的溢流棉能夠防止溢流液對爐體底部造成污染。

附圖說明

下面結合附圖對本實用新型作進一步的說明。

附圖1為本實用新型的結構示意圖。

圖中，1下爐底外殼，2水冷盤，3 DS塊，4支撐座，5支撐柱，6溢流棉，7防護套座。

具體實施方式

附圖1為本實用新型的一種具體實施例。該實用新型一種準單晶鑄錠爐下爐體支撐防護機構，包括下爐底外殼1、支撐座4和支撐柱5，所述下爐底外殼1內裝配水冷盤2的支撐座4和用于支撐DS塊3的各支撐柱5分別置于下爐底外殼1底部的防護套座7內，下爐底外殼1底部和防護套座7內分別鋪設填充有溢流棉6。

進一步，所述支撐柱5為石墨支柱。

進一步，所述下爐底外殼1內相鄰的支撐座4和支撐柱5位于同一防護套座7內。