[實用新型]一種基于全介質的納米線光學波導有效
| 申請號： | 201821360237.0 | 申請日： | 2018-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN208795876U | 公開（公告）日： | 2019-04-26 |
| 發明（設計）人： | 岳文成;姚培軍;許立新 | 申請（專利權）人： | 中國科學技術大學 |
| 主分類號： | G02B6/10 | 分類號： | G02B6/10 |
| 代理公司： | 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251 | 代理人： | 楊學明;賈玉忠 |
| 地址： | 230026 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 全介質 納米線波導 納米線 本實用新型 超長距離 光學波導 納米量級 局域性 亞波長 導光 表面等離子體波導 邊界條件 傳統介質 集成光學 介質波導 全內反射 電磁場 傳輸 傳統的 介質包 線對稱 包層 波導 正交 嵌入 金屬 傳播 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于全介質的納米線光學波導，其特征在于，包括介質包層(1)和兩個完全相同的介質納米線(2)，兩個介質納米線(2)對稱地嵌入到介質包層(1)中，且兩個介質納米線(2)之間存在一個納米量級的間隙(3)。
2.根據權利要求1所述的基于全介質的納米線光學波導，其特征在于，所述包層(1)的材料可以為SiO2、BK7、BAK1、FK51A低折射率材料中的任意一種。
3.根據權利要求1所述的基于全介質的納米線光學波導，其特征在于，所述納米線(2)的材料可以為Si、GaP、GaAs、InP高折射率材料中的任意一種。
4.根據權利要求1所述的基于全介質的納米線光學波導，其特征在于，所述納米線(2)的橫截面的形狀為圓形、矩形、方形或楔形。
5.根據權利要求1所述的基于全介質的納米線光學波導，其特征在于，電磁場可以被有效地局域在兩個介質納米線之間的間隙(3)處，模式局域性好。
6.根據權利要求1所述的基于全介質的納米線光學波導，其特征在于，所選的介質材料的損耗極低，可以實現超長距離的傳輸。
7.根據權利要求1所述的基于全介質的納米線光學波導，其特征在于，全介質納米線光學波導的導光機理是電磁場的正交邊界條件，從而可以同時實現深亞波長的模式局域性和超長距離的傳播。
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