[實(shí)用新型]一種不增加靜態(tài)電流的LDO輸出過(guò)壓保護(hù)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821282581.2
• 申請(qǐng)日: 2018-08-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208608726U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李河清;姜帆;劉玉山;陳利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門安斯通微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H02H9/04
• 分類號(hào): H02H9/04
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種不增加靜態(tài)電流的LDO輸出過(guò)壓保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括LDO主體、負(fù)載電阻（Rload）、輸出電容（Cout）和過(guò)壓保護(hù)電路結(jié)構(gòu)；

所述LDO主體由誤差放大器(ERROR AMP)、功率管(Ppass)、前饋補(bǔ)償電容（CFB）和電阻分壓器組成；所述誤差放大器（ERROR AMP）的正輸入端接基準(zhǔn)電壓，負(fù)輸入端接輸出電壓的反饋端，輸出端接功率管(Ppass)的柵極；所述電阻分壓器由電阻R1、R2串接而成，連接處形成輸出電壓的反饋端，另一端電阻R1接地，電阻R2接功率管(Ppass)的漏極；所述功率管(Ppass)的源極接電源；所述前饋補(bǔ)償電容（CFB）跨接在電阻R2的兩端；

所述負(fù)載電阻（Rload）和所述輸出電容（Cout）并聯(lián)，并聯(lián)后一端接功率管(Ppass)的漏極，另一端接地；

所述過(guò)壓保護(hù)電路結(jié)構(gòu)由NMOS管N1、N2、N3、N4和PMOS管P1、P2組成；所述NMOS管N1、N2、N3是以二極管連接的形式串聯(lián)在輸出端，用作穩(wěn)壓二極管；所述NMOS管N3和NMOS管N4、PMOS管P1和PMOS管P2分別形成電流鏡結(jié)構(gòu)；所述PMOS管P2的漏端與功率管(Ppass)的柵極相連接，源極與PMOS管P1的源極連接后接電源，所述PMOS管P1的漏極與柵極短接后接NMOS管N4的漏極，所述NMOS管N3、N4的源極相連后接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種不增加靜態(tài)電流的LDO輸出過(guò)壓保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述輸出端串聯(lián)的NMOS管N1、N2、N3的個(gè)數(shù)由輸出電壓的過(guò)壓保護(hù)值決定，根據(jù)需要進(jìn)行增加或減少。