[實用新型]氮化鋁單晶生長用坩堝蓋

有效

• 申請號: 201821261322.1
• 申請日: 2018-08-07
• 公開（公告）號: CN208917342U
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發明（設計）人: 王曉丹;陳飛飛;毛紅敏;李祥;葛麗娟
• 申請（專利權）人: 蘇州科技大學
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40;C30B23/00
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 王健

本實用新型公開一種氮化鋁單晶生長用坩堝蓋，包括坩堝蓋主體、至少2個固定腳架，所述固定腳架固定于坩堝蓋主體的下表面，所述固定腳架的下端具有一折彎部，此折彎部與固定腳架的夾角為90°，所述固定腳架的折彎部位于朝向圓心的一側，所述坩堝蓋主體形狀為圓形，所述固定腳架相互成90°夾角分布。本實用新型設計結構簡單、科學合理，使用方便，能夠解決高溫膠帶來的碳污染問題，同時還解決了在生長過程中襯底掉落的隱患問題，其次，襯底可以更方便穩固的放置在固定腳架上。

技術領域

本實用新型涉及物理氣相傳輸方法生長氮化鋁單晶領域，尤其涉及一種氮化鋁單晶生長用坩堝蓋。

背景技術

因采用AlN單晶作為外延襯底可以大幅降低薄膜中的缺陷密度，提高器件的性能，在制備高溫、高頻、高功率電子器件方面有很好的應用前景，尤其在藍光-紫外固態激光二極管、激光器、GaN基高電子遷移率晶體管器件和日盲型AlGaN紫外探測器的襯底方面具有獨特優勢。

物理氣相傳輸方法是被認為是最有可能實現AlN體單晶商業化生產的理想途徑。在物理氣相傳輸方法制備AlN體單晶的過程中，需要先將襯底固定在坩堝蓋的下表面。目前，一般采用高溫膠的方式將襯底粘在坩堝蓋下表面，但這種方式有以下兩個問題：一是高溫膠中含碳，如果用鎢坩堝，將不可避免的帶來對鎢坩堝的污染，生成碳化鎢，降低坩堝壽命；二是采用高溫膠固定的方式存在固定不穩固的隱患，襯底有可能掉落。如何克服上述技術問題成為本領域技術人員努力的方向。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種氮化鋁單晶生長用坩堝蓋，該坩堝蓋能夠很好的解決現有技術中存在的問題。該氮化鋁單晶生長用坩堝蓋設計結構簡單、科學合理，使用方便，能夠解決高溫膠帶來的碳污染問題，同時還解決了在生長過程中襯底掉落的隱患問題。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種多氮化鋁單晶生長用坩堝蓋，包括坩堝蓋主體、至少2個固定腳架，所述固定腳架固定于坩堝蓋主體的下表面，所述固定腳架的下端具有一折彎部，此折彎部與固定腳架的夾角為90°，所述固定腳架的折彎部位于朝向圓心的一側。

上述技術方案中進一步改進的方案如下：

1. 上述方案中，所述坩堝蓋主體形狀為圓形。

2. 上述方案中，所述固定腳架的數目為3個，其中2個相向設置，剩余一個設置于2個固定腳架之間。

3. 上述方案中，所述固定腳架設置于坩堝蓋主體的邊緣區域。

4. 上述方案中，所述固定腳架相互成90°夾角分布。

5. 上述方案中，所述至少2個固定腳架的形狀相同。

由于上述技術方案的運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點：

本實用新型氮化鋁單晶生長用坩堝蓋，其設計結構簡單、科學合理，使用方便，能夠解決高溫膠帶來的碳污染問題，同時還解決了在生長過程中襯底掉落的隱患問題；其次，其固定腳架相互成90°夾角安裝且均為朝向圓心的直角結構，襯底可以更方便穩固的放置在固定腳架上。

附圖說明

附圖1為本實用新型氮化鋁單晶生長用坩堝蓋仰視圖；

附圖2為本實用新型氮化鋁單晶生長用坩堝蓋側視圖。

以上附圖中：1、坩堝蓋主體；2、固定腳架；3、折彎部。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明作進一步描述：

實施例1：一種氮化鋁單晶生長用坩堝蓋，包括坩堝蓋主體1、至少2個固定腳架2，所述固定腳架2固定于坩堝蓋主體1的下表面，所述固定腳架的下端具有一折彎部3，此折彎部3與固定腳架2的夾角為90°，所述固定腳架2的折彎部3位于朝向圓心的一側。