[發明專利]一種硅納米線-導電高分子復合物及其制備方法與應用有效
| 申請號： | 201110043347.0 | 申請日： | 2011-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN102249238A | 公開（公告）日： | 2011-11-23 |
| 發明（設計）人： | 張曉宏;楊添;王輝;歐雪梅;李述湯 | 申請（專利權）人： | 中國科學院理化技術研究所 |
| 主分類號： | C01B33/021 | 分類號： | C01B33/021;C25B3/00 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人： | 關暢 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 導電 高分子 復合物 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種制備硅納米線-導電高分子復合物的方法，包括下述步驟：
1)將具有硅納米線陣列的硅片用HF溶液處理，得到處理后的具有硅納米線陣列的硅片；
2)采用循環伏安法，使高分子單體3，4-乙撐二氧噻吩在所述硅納米線陣列表面進行電化學聚合反應，得到所述硅納米線-導電高分子復合物。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟2)中所述電化學聚合反應在含有支持電解質的去離子水溶液中進行；所述支持電解質選自下述任意一種：LiClO4、聚-4-苯乙烯磺酸鈉，LiCF3SO3，LiBF4和LiTFSI；所述支持電解質的濃度為0.5-3.0M。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：步驟2)中所述電化學聚合反應的反應體系中高分子單體3，4-乙撐二氧噻吩的濃度為0.0032-0.019M。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于：步驟2)中循環伏安法中采用的電極體系為三電極體系；所述三電極體系中，工作電極為所述具有硅納米線陣列的硅片，對電極為鉑電極，參比電極為飽和甘汞電極。
5.根據權利1-4中任一項所述的方法，其特征在于：步驟2)中所述電化學聚合反應中，循環伏安的掃描電位范圍為：-1.0-1.2V，掃描速度為50mV/s-0.6V/s，掃描次數為3-10次。
6.權利要求1-5中任一項所述方法制備得到的硅納米線-導電高分子復合物。
7.一種硅納米線-碘摻雜導電高分子復合物，其特征在于：所述硅納米線-碘摻雜導電高分子復合物是按照下述方法制備得到的：將權利要求6所述的硅納米線-導電高分子復合物置于I2蒸氣中進行處理。
8.權利要求7所述的硅納米線-碘摻雜導電高分子復合物，其特征在于：所述處理的時間為6-48h。
9.權利要求6所述的硅納米線-導電高分子復合物作為催化劑在光催化質氫中的應用。
10.權利要求7或8所述的硅納米線-導電高分子復合物作為催化劑在光催化質氫中的應用，其特征在于：所述應用中，采用鈦青銅作為共催化劑，以HI酸作為電子犧牲體。
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