[實用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821252941.4
• 申請日: 2018-08-06
• 公開（公告）號: CN208706658U
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 范謙;倪賢鋒;何偉
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/423
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：襯底，位于所述襯底上的介質(zhì)層，位于所述介質(zhì)層的勢壘層，位于介質(zhì)層凹槽內(nèi)與所述勢壘層相接觸的第一柵極，位于所述勢壘層上的緩沖層和位于所述緩沖層上的源極、漏極和第二柵極，所述源極和漏極分別位于所述第二柵極的兩側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖層上還設(shè)有用于減少所述第二柵極漏電流的介電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述介電層的厚度為1nm-10nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖層的厚度為20nm-100nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述勢壘層的厚度為10nm-50nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二柵極與所述第一柵極對準。