[實用新型]掩膜板、陣列基板、顯示裝置有效
| 申請號: | 201821181115.5 | 申請日: | 2018-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN208351242U | 公開(公告)日: | 2019-01-08 |
| 發明(設計)人: | 郭永林;劉庭良;張鍇;張毅 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/76 | 分類號: | G03F1/76;G03F1/58 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;劉偉 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜板 透過率 本實用新型 顯示裝置 陣列基板 透光 透光基 技術制作 顯示器件 依次排列 坡度角 中膜層 膜層 制作 | ||
本實用新型公開一種掩膜板、陣列基板、顯示裝置,涉及顯示技術領域,為解決采用現有技術制作的顯示器件中膜層的坡度角較大的問題。所述掩膜板包括透光基底和設置在所述透光基底上的至少三種不同透過率的部分透光圖形,所述至少三種不同透過率的部分透光圖形按照透過率大小依次排列。本實用新型提供的掩膜板用于制作膜層。
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,尤其涉及一種掩膜板、陣列基板、顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的不斷發展,顯示器件的種類越來越多,其中有源矩陣有機發光二極體(英文:Active-matrix organic light emitting diode,以下簡稱:AMOLED)顯示器件以其自發光、反應快、視角廣、亮度高等優點受到了人們的廣泛關注。
AMOLED顯示器件主要包括發光單元部分和背板電路部分,且這兩部分均包括層疊設置的多層膜層。目前,現有技術在制作AMOLED顯示器件中的各膜層時,一般利用掩膜板結合構圖工藝來制作,但是制作出的膜層坡度角較大,導致在制作后續的膜層時,后續的膜層在坡度角處連接困難,容易發生斷裂,導致產品良率降低。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種掩膜板、陣列基板、顯示裝置,用于解決采用現有技術制作的顯示器件中膜層的坡度角較大的問題。
為了實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:
本實用新型的第一方面提供一種掩膜板,包括透光基底和設置在所述透光基底上的至少三種不同透過率的部分透光圖形,所述至少三種不同透過率的部分透光圖形按照透過率大小依次排列。
進一步地,所述至少三種不同透過率的部分透光圖形包括第一部分透光圖形、第二部分透光圖形和第三部分透光圖形,所述第一部分透光圖形的透過率大于所述第二部分透光圖形的透過率,所述第二部分透光圖形的透過率大于所述第三部分透光圖形的透過率;
所述第一部分透光圖形、所述第二部分透光圖形和所述第三部分透光圖形中的至少一個在所述透光基底上限定出開口區,且所述第一部分透光圖形、所述第二部分透光圖形和所述第三部分透光圖形沿靠近所述開口區至遠離所述開口區的方向依次排列。
進一步地,所述第一部分透光圖形、所述第二部分透光圖形和所述第三部分透光圖形的材料相同,且所述第一部分透光圖形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度小于所述第二部分透光圖形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度,所述第二部分透光圖形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度小于所述第三部分透光圖形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度。
進一步地,所述第一部分透光圖形、所述第二部分透光圖形和所述第三部分透光圖形的制備材料均包括氧化鉻。
進一步地,所述第三部分透光圖形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度為所述第一部分透光圖形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度與所述第二部分透光圖形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度的和。
進一步地,所述第一部分透光圖形的透過率在40%~60%之間,所述第二部分透光圖形的透過率在3%~7%之間,所述第三部分透光圖形的透過率為所述第一部分透光圖形的透過率與所述第二部分透光圖形的透過率的乘積。
基于上述掩膜板的技術方案,本實用新型的第二方面提供一種陣列基板,所述陣列基板上形成有具有至少三種不同的厚度的膜層,所述膜層利用上述掩膜板制作。
進一步地,所述具有不同厚度的膜層包括像素界定層,所述像素界定層限定出至少一個像素區域,從靠近所述像素區域到遠離所述像素區域的方向上,所述像素界定層的厚度逐漸增加。
基于上述陣列基板的技術方案,本實用新型的第三方面提供一種顯示裝置,包括上述陣列基板。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





