[實用新型]一種基于Zr元素摻雜的鈣鈦礦阻變存儲器有效
| 申請號： | 201821174791.X | 申請日： | 2018-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN208444861U | 公開（公告）日： | 2019-01-29 |
| 發明（設計）人： | 馬國坤;何玉立;王浩;周瀟文;蔡恒梅 | 申請（專利權）人： | 湖北大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401 | 代理人： | 楊采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 阻變存儲器 本實用新型 元素摻雜 鈣鈦礦 介質層 鹵化物鈣鈦礦 產業化應用 鈣鈦礦薄膜 從上至下 功能器件 器件功耗 市場應用 玻璃基 底電極 頂電極 結構層 均一性 開關比 摻入 制備 | ||
1.一種基于Zr元素摻雜的鈣鈦礦阻變存儲器，其特征在于：所述存儲器從上至下依次包括頂電極、介質層、底電極和玻璃基底，其中：所述介質層為Zr元素摻雜的鹵化物鈣鈦礦材料。
2.根據權利要求1所述的基于Zr元素摻雜的鈣鈦礦阻變存儲器，其特征在于：所述的頂電極的厚度為50nm～300nm。
3.根據權利要求1或2所述的基于Zr元素摻雜的鈣鈦礦阻變存儲器，其特征在于：所述頂電極的形狀為圓形或者矩形，直徑或邊長為50nm～1mm。
4.根據權利要求1所述的基于Zr元素摻雜的鈣鈦礦阻變存儲器，其特征在于：所介質層的厚度為50nm～1μm。
5.根據權利要求1所述的基于Zr元素摻雜的鈣鈦礦阻變存儲器，其特征在于：所述介質層的形狀為圓形或者矩形，直徑或邊長為50nm～2cm。
6.根據權利要求1所述的基于Zr元素摻雜的鈣鈦礦阻變存儲器，其特征在于：所述的底電極的厚度為50nm～300nm。
7.根據權利要求1所述的基于Zr元素摻雜的鈣鈦礦阻變存儲器，其特征在于：所述底電極的形狀為圓形或者矩形，直徑或邊長為50nm～2cm。
8.根據權利要求1所述的基于Zr元素摻雜的鈣鈦礦阻變存儲器，其特征在于：所述的鹵化物鈣鈦礦材料的分子通式為ABX3，其中：A＝CH3NH3或Cs；B＝Pb；X＝Cl，Br或I。
9.根據權利要求1所述的基于Zr元素摻雜的鈣鈦礦阻變存儲器，其特征在于：所述的頂電極材料為Pt、Au或W中的任一種。
10.根據權利要求1所述的基于Zr元素摻雜的鈣鈦礦阻變存儲器，其特征在于：所述的底電極材料為FTO、ITO、ZTO或AZO中的任一種。
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