[實用新型]一種聚對苯二甲酸乙二酯襯底異質結構

有效

• 申請號: 201821151831.9
• 申請日: 2018-07-20
• 公開（公告）號: CN208478342U
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 李昱材;張東;趙琰;王健;宋世巍;王剛;丁艷波;王晗;劉莉瑩
• 申請（專利權）人: 沈陽工程學院
• 主分類號: H01L29/24
• 分類號: H01L29/24;H01L29/43
• 代理公司: 沈陽銘揚聯創知識產權代理事務所(普通合伙) 21241
• 代理人: 呂敏

一種聚對苯二甲酸乙二酯襯底異質結構，屬于可逆半導體到金屬(SMT)一級轉變涂層的制造技術領域。從下到上依次包括普通聚對苯二甲酸乙二酯襯底層、第一導電層、SnO₂材料層、VO₂材料層、第二導電層、抗腐蝕保護層。本發明采用采用VO₂/p?SnO₂結構，既利用了N型VO₂溫度驅動的可逆半導體到金屬(SMT)一級轉變的特性，又利用了p?SnO₂結構可靠性，大功率、長壽命，低功率消耗以及價格低的特點，其兩者結合的器件在大功率光電開關，大功率廉價的光存儲器件等方面有著廣闊的應用，解決了器件功率低價格昂貴的問題。

技術領域

本發明屬于可逆半導體到金屬(SMT)一級轉變涂層的制造技術領域，特別是涉及一種聚對苯二甲酸乙二酯(PET)襯底異質結構。

背景技術

二氧化釩(VO₂)在341K的臨界溫度(Tc)下發生溫度驅動的可逆半導體到金屬(SMT)一級轉變，并伴隨著晶體對稱性的改變。在低于Tc的溫度下，VO₂處于單斜晶相(P21/c)的半導體態，其中V原子對的能量間隙為0.6eV。在高于Tc的溫度下，VO₂處于四方晶系(P42/mnm)金屬態，其中在費米能級和V3d帶之間的重疊消除了上述帶隙。這種晶體對稱性和電子帶結構的躍遷通常伴隨著其電阻率和近紅外傳輸的突然變化。因此，VO₂長期以來被認為是智能材料中的關鍵材料，憑借這些獨特的性能，VO₂薄膜已被廣泛研究。眾所周知，襯底的選擇對所生長的薄膜的電學和光學性質有重要的影響。然而，由于其價格問題的存在，很難在無定型玻璃基片上制備出高品質廉價的VO₂薄膜材料質結構。所以在無定型非晶體玻璃上制備出高質量廉價的VO₂材料是丞待解決的問題。

發明內容

針對上述存在的技術問題，本發明提供一種聚對苯二甲酸乙二酯襯底異質結構。可以制備高質量的結構器件，并提高使用壽命。

本發明的目的是通過以下技術方案來實現的：

本發明一種聚對苯二甲酸乙二酯襯底異質結構，從下到上依次包括普通聚對苯二甲酸乙二酯襯底層、第一導電層、SnO₂材料層、VO₂材料層、第二導電層、抗腐蝕保護層。

優選地，所述第一導電層和第二導電層均為AZO透明導電薄膜。

優選地，所述第一導電薄膜和第二導電薄膜的厚度為100nm至800nm。

優選地，所述SnO₂材料層厚度為500nm至900nm。

優選地，所述VO₂材料層厚度為400nm至900nm。

優選地，所述抗腐蝕保護層為TiN抗腐蝕保護層。

優選地，所述TiN抗腐蝕保護層厚度為500nm至900nm。

優選地，所述聚對苯二甲酸乙二酯襯底層的厚度為0.4～1.2mm。

本發明的有益效果為：