[實用新型]一種聚對苯二甲酸乙二酯襯底異質(zhì)結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821151831.9 | 申請日: | 2018-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN208478342U | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李昱材;張東;趙琰;王健;宋世巍;王剛;丁艷波;王晗;劉莉瑩 | 申請(專利權(quán))人: | 沈陽工程學(xué)院 |
| 主分類號: | H01L29/24 | 分類號: | H01L29/24;H01L29/43 |
| 代理公司: | 沈陽銘揚聯(lián)創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 21241 | 代理人: | 呂敏 |
| 地址: | 110136 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 聚對苯二甲酸乙二酯 異質(zhì)結(jié)構(gòu) 材料層 可逆 襯底 半導(dǎo)體 抗腐蝕保護(hù)層 金屬 第二導(dǎo)電層 第一導(dǎo)電層 光存儲器件 結(jié)構(gòu)可靠性 光電開關(guān) 器件功率 溫度驅(qū)動 長壽命 襯底層 低功率 消耗 應(yīng)用 制造 | ||
1.一種聚對苯二甲酸乙二酯襯底異質(zhì)結(jié)構(gòu),其特征在于:從下到上依次包括普通聚對苯二甲酸乙二酯襯底層、第一導(dǎo)電層、SnO2材料層、VO2材料層、第二導(dǎo)電層、抗腐蝕保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述聚對苯二甲酸乙二酯襯底異質(zhì)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層均為AZO透明導(dǎo)電薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述聚對苯二甲酸乙二酯襯底異質(zhì)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一導(dǎo)電薄膜和第二導(dǎo)電薄膜的厚度為100nm至800nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述聚對苯二甲酸乙二酯襯底異質(zhì)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述SnO2材料層厚度為500nm至900nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述聚對苯二甲酸乙二酯襯底異質(zhì)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述VO2材料層厚度為400nm至900nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚對苯二甲酸乙二酯襯底異質(zhì)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述抗腐蝕保護(hù)層為TiN抗腐蝕保護(hù)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的聚對苯二甲酸乙二酯襯底異質(zhì)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述TiN抗腐蝕保護(hù)層厚度為500nm至900nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚對苯二甲酸乙二酯襯底異質(zhì)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述聚對苯二甲酸乙二酯襯底層的厚度為0.4~1.2mm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
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