[實用新型]發光二極管的芯片

有效

• 申請號: 201821130101.0
• 申請日: 2018-07-17
• 公開（公告）號: CN208478366U
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 鄔新根;李俊賢;劉英策;魏振東;周弘毅
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 寧波理文知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33244
• 代理人: 李高峰;孟湘明

本實用新型公開了一發光二極管的芯片，其中所述芯片包括依次層疊的一襯底、一N型半導體層、一有源區和一P型半導體層以及具有自所述P型半導體層延伸至所述N型半導體層的至少一半導體裸露部，所述芯片還包括一電流阻擋層、一透明導電層、一N型電極和一P型電極，其中所述電流阻擋層層疊于所述P型半導體層，所述透明導電層以包覆所述電流阻擋層的方式層疊于所述P型半導體層，且所述透明導電層的穿孔對應于所述電流阻擋層，所述N型電極層疊于所述N型半導體層，所述P型電極層疊于所述透明導電層，且所述P型電極的P型叉指被保持在所述透明導電層的所述穿孔。

技術領域

本實用新型涉及一LED芯片，特別涉及一發光二極管的芯片。

背景技術

現有技術的正裝LED芯片由兩種結構，業界通常使用光刻步驟來對這兩種結構的正裝LED芯片進行命名，即，三道結構正裝LED芯片和五道結構正裝LED芯片。也就是說，三道結構正裝LED芯片在被制作的過程中使用三道光刻步驟，五道結構正裝LED芯片在被制作的過程中使用五道光刻步驟，通常情況下，五道結構正裝LED芯片的光刻步驟也可以由五道光刻步驟簡化為四道光刻步驟。對于三道結構正裝LED芯片來說，其工序包括Mesa工序(臺階，指的是利用干法蝕刻的方式在外延片表面制作N型層裸露區域的工序)、ITO工序(指的是透明導電膜層圖形工序)以及PV&Pad工序(指的是鈍化層和電極使用相同的一道工序光刻圖形制作的工序)；對于五道結構正裝LED芯片來說，其工序包括Mesa工序、CB工序(電流阻擋層的制作工序)、ITO工序以及PV&Pad工序。從結構上來看說，三道結構正裝LED芯片和五道結構正裝LED芯片無明顯差異，從流程上來說，五道結構正裝LED芯片比五道結構正裝LED芯片多了電流阻擋層(CB)的結構，其為P型電極的電流阻擋層，目的是為了防止正裝LED芯片從P型電極注入的電流集中在P型電極的正下方而造成的電流擁擠效應。當然，電流阻擋層結構的增加為增加正裝LED芯片制程成本，基于此，業內常用的小功率芯片、顯示用芯片為三道結構正裝LED芯片，而大功率芯片、照明用芯片為五道結構正裝LED芯片。

從五道結構正裝LED芯片的PN二極管正負極電阻組成來看，P型電極電流流經金屬電極以被金屬電極擴展后注入透明導電層，然后經過透明導電層之后注入P型氮化鎵層，最后進入有源層；而N型電極電阻組成為電子經過金屬電極以被金屬電極擴展后注入N型氮化鎵層，最后進入有源區，以在有源區復合發光。從整個電流過程來看，相對于半導體層的電導率，金屬電極的電導率較高，因此，P型電極表面的電流有聚集在P叉指電極末端的趨勢。從五道結構正裝LED芯片的發光特性的曲線來看，隨著電流密度的上升，亮度有上升然后下降的趨勢，存在飽和電流密度，這會影響五道結構正裝LED芯片的發光效率。理想的高亮度發光芯片結構能夠使得正裝LED芯片的電流密度維持在發光效率較高的區域，然而，目前的五道結構正裝LED芯片無法實現。

實用新型內容

本實用新型的一個目的在于提供一發光二極管的芯片，其中所述芯片的亮度能夠被有效地提升。

本實用新型的一個目的在于提供一發光二極管的芯片，其中注入所述芯片的一P型半導體層的電流能夠被均勻地分布，從而有利于提升所述芯片的亮度。

本實用新型的一個目的在于提供一發光二極管的芯片，其中所述芯片提供一P型電極，通過所述P型電極注入所述芯片的電流能夠被強制分布，通過這樣的方式，使得注入所述P型半導體層的電流能夠被均勻地分布，從而有利于提升所述芯片的亮度。

本實用新型的一個目的在于提供一發光二極管的芯片，其中所述芯片提供層疊于所述P型半導體層的一電流阻擋層和層疊于所述P型半導體層且包覆所述電流阻擋層的一透明導電層，其中所述P型電極層疊于所述透明導電層，以使得自所述P型電極注入的電流能夠進一步注入所述透明導電層后被所述電流阻擋層阻攔，從而避免電流聚集在所述P型電極的不良現象出現，以在后續能夠使電流均勻地分布至所述P型半導體層。