[實用新型]發光二極管的芯片

有效

• 申請號: 201821130101.0
• 申請日: 2018-07-17
• 公開（公告）號: CN208478366U
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 鄔新根;李俊賢;劉英策;魏振東;周弘毅
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 寧波理文知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33244
• 代理人: 李高峰;孟湘明

1.一發光二極管的芯片，其特征在于，包括：

一外延單元，其中所述外延單元包括一襯底和自所述襯底依次生長的一N型半導體層、一有源區和一P型半導體層，其中所述外延單元具有至少一半導體裸露部，所述半導體裸露部自所述P型半導體層經所述有源區延伸至所述N型半導體層；

至少一電流阻擋層，其中所述電流阻擋層層疊于所述外延單元的所述P型半導體層；

一透明導電層，其中所述透明導電層具有至少一穿孔，其中所述透明導電層以包覆所述電流阻擋層的方式層疊于所述P型半導體層，并且所述透明導電層的所述穿孔對應于所述電流阻擋層；以及

一電極組，其中所述電極組包括至少一N型電極和至少一P型電極，其中所述N型電極以形成于所述半導體裸露部的方式層疊于所述N型半導體層，其中所述P型電極具有至少一P型叉指，在所述P型電極層疊于所述透明導電層時，所述P型電極的所述P型叉指形成于和被保持在所述透明導電層的所述穿孔。

2.根據權利要求1所述的芯片，其中所述N型電極包括形成于所述芯片的第二端部的一N型電極焊盤和自所述N型電極焊盤向所述芯片的第一端部方向延伸的至少一N型電極擴展條，其中所述P型電極包括形成于所述芯片的第一端部的一P型電極焊盤和自所述P型電極焊盤向所述芯片的第二端部方向延伸的至少兩P型電極擴展條，其中至少一個所述N型電極擴展條被保持在相鄰兩個所述P型電極擴展條之間。

3.根據權利要求2所述的芯片，其中所述N型電極的所述N型電極擴展條的數量是一個，并且所述N型電極擴展條在所述芯片的中部沿著所述芯片的長度方向延伸，其中所述P型電極的所述P型電極擴展條的數量是兩個，并且兩個所述P型電極擴展條以相互對稱的方式在所述芯片的邊緣沿著所述芯片的長度方向延伸。

4.根據權利要求2所述的芯片，其中所述N型電極的所述N型電極擴展條的數量是兩個，并且所述N型電極擴展條在所述芯片的中部沿著所述芯片的長度方向延伸，其中所述P型電極的所述P型電極擴展條的數量是三個，分別為一第一P型電極擴展條、一第二P型電極擴展條以及一第三P型電極擴展條，所述第一P型電極擴展條和所述第三P型電極擴展條以相互對稱的方式在所述芯片的邊緣沿著所述芯片的長度方向延伸，所述第二P型電極擴展條在所述芯片的中部沿著所述芯片的長度方向延伸，其中一個所述N型電極擴展條被保持在所述第一P型電極擴展條和所述第二P型電極擴展條之間，另一個所述N型電極擴展條被保持在所述第二P型電極擴展條和所述第三P型電極擴展條之間。

5.根據權利要求1所述的芯片，其中所述N型電極包括形成于所述芯片的第二端部的一N型電極焊盤和自所述N型電極焊盤向所述芯片的第一端部方向延伸的至少兩N型電極擴展條，其中所述P型電極包括形成于所述芯片的第一端部的一P型電極焊盤和自所述P型電極焊盤向所述芯片的第二端部方向延伸的至少一P型電極擴展條，其中至少一個所述P型電極擴展條被保持在相鄰兩個所述N型電極擴展條之間。

6.根據權利要求5所述的芯片，其中所述N型電極的所述N型電極擴展條的數量是兩個，并且兩個所述N型電極擴展條以相互對稱的方式在所述芯片的邊緣沿著所述芯片的長度方向延伸，其中所述P型電極的所述P型電極擴展條的數量是一個，并且所述P型電極擴展條在所述芯片的中部沿著所述芯片的長度方向延伸。

7.根據權利要求5所述的芯片，其中所述N型電極的所述N型電極擴展條的數量是三個，分別為一第一N型電極擴展條、一第二N型電極擴展條以及一第三N型電極擴展條，所述第一N型電極擴展條和所述第三N型電極擴展條以相互對稱的方式在所述芯片的邊緣沿著所述芯片的長度方向延伸，所述第二N型電極擴展條在所述芯片的中部沿著所述芯片的長度方向延伸，其中所述P型電極的所述P型電極擴展條的數量是兩個，其中兩個所述P型電極擴展條在所述芯片的中部沿著所述芯片的長度方向延伸，其中一個所述P型電極擴展條被保持在所述第一N型電極擴展條和所述第二N型電極擴展條之間，另一個所述P型電極擴展條被保持在所述第二N型電極擴展條和所述第三N型電極擴展條之間。