[實(shí)用新型]一種陰極體組件、磁控濺射陰極及磁控濺射裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821097209.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN208649457U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 梅艷慧 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 君泰創(chuàng)新(北京)科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/35 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)亦*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 外圈磁體 陰極體 磁體組件 磁控濺射陰極 磁控濺射裝置 陰極板 磁路組件 磁體組 組數(shù) 靶材表面 磁極極性 磁控濺射 水平磁場(chǎng) 組件包括 制備 環(huán)繞 背離 申請(qǐng) | ||
1.一種陰極體組件,包括:陰極板,其特征在于,所述陰極體組件還包括:
設(shè)置在所述陰極板一側(cè)板面上的磁路組件,所述磁路組件包括:中間磁體組件和環(huán)繞所述中間磁體組件的外圈磁體組件;
其中,所述中間磁體組件和所述外圈磁體組件背離所述陰極板一側(cè)的磁極極性相反;
所述中間磁體組件包括至少1組中間磁體組;
所述外圈磁體組件包括至少1組外圈磁體組;
且所述中間磁體組的組數(shù)與所述外圈磁體組的組數(shù)之和大于2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極體組件,其特征在于,所述中間磁體組件包括至少2組所述中間磁體組;
其中排布于最內(nèi)側(cè)的1組所述中間磁體組為第一中間磁體組;除所述第一中間磁體組之外,其余所述中間磁體組均呈環(huán)狀,且由內(nèi)向外依次環(huán)繞所述第一中間磁體組。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陰極體組件,其特征在于,
所述第一中間磁體組為一個(gè)整塊磁體;
或者,
所述第一中間磁體組包括多個(gè)間隔設(shè)置的磁體塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陰極體組件,其特征在于,除所述第一中間磁體組之外,所述中間磁體組件中其余的每組所述中間磁體組均為一個(gè)整塊磁體;
或者,
除所述第一中間磁體組之外,所述中間磁體組件中其余的每組所述中間磁體組均包括間隔設(shè)置的多個(gè)磁體塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極體組件,其特征在于,
每組所述外圈磁體組均為一個(gè)整塊磁體;
或者,
每組所述外圈磁體組均包括間隔設(shè)置的多個(gè)磁體塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極體組件,其特征在于,
所述中間磁體組為磁鐵或電磁線圈,
和/或,
所述外圈磁體組為磁鐵或電磁線圈。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陰極體組件,其特征在于,構(gòu)成所述磁鐵的材料為釹鐵硼。
8.一種磁控濺射陰極,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陰極體組件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁控濺射陰極,其特征在于,所述磁控濺射陰極還包括:
設(shè)置于所述磁路組件遠(yuǎn)離所述陰極板的一側(cè)的靶材;
設(shè)置在所述陰極體組件外部的外框組件;
設(shè)置于所述陰極板遠(yuǎn)離所述磁路組件的一側(cè)的、且與所述陰極板相接觸的電引入結(jié)構(gòu);
支撐所述陰極體組件、所述外框組件的蓋板組件;其中,所述電引入結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述蓋板組件與所述陰極板相接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁控濺射陰極,其特征在于,
所述中間磁體組件包括至少2組所述中間磁體組,其中排布于最內(nèi)側(cè)的1組所述中間磁體組為第一中間磁體組;
所述第一中間磁體組對(duì)應(yīng)于所述靶材的中心。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁控濺射陰極,其特征在于,
所述外圈磁體組件中的最外側(cè)的一組所述外圈磁體組對(duì)應(yīng)于與所述靶材的邊緣。
12.一種磁控濺射裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求8-11任一項(xiàng)所述的磁控濺射陰極。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





