[發明專利]基于硅波導的電光超快空間調制器在審
| 申請號： | 201710182891.0 | 申請日： | 2017-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN106873192A | 公開（公告）日： | 2017-06-20 |
| 發明（設計）人： | 白冰;裴麗;王吉;張艷;徐春霞 | 申請（專利權）人： | 北京交通大學 |
| 主分類號： | G02F1/015 | 分類號： | G02F1/015;G02F1/025 |
| 代理公司： | 北京衛平智業專利代理事務所(普通合伙)11392 | 代理人： | 董琪 |
| 地址： | 100044 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 波導 電光 空間 調制器 | ||
【權利要求書】：
1.基于硅波導的電光空間超快調制器，該調制器主要包括SiO2平板基底1、導光多晶硅波導2、P+區3、N+區4、正電極5、負電極6(圖1)。具體組合方式為導光硅波導2覆于SiO2平板基底1之上中間位置，P+區3與N+區4周期性排列至基底表面兩端，正電極5與負電極6與P區N區接觸，用于施加電壓。
2.將調制信號編輯成隨時間變化的空間電信號陣列，通過對各正負電極對間電壓的控制施加隨時間變化的空間電信號陣列，可以將任意的調制信號加載到載波上。
3.根據權利要求1中描述的結構，各部分具體參數描述為：硅層厚度為1μm，導光硅波導為脊寬1μm，脊高1μm，通過刻蝕0.42μm硅制成波導結構，0.58μm的平板區用來實現電通道，金屬接觸區實現1*10^19的摻雜區，相鄰單元間距為600μm，單元數12，整個平板基底5尺寸為15mm×1mm。
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