[實用新型]屏蔽罩鑲嵌式真空滅弧室

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820981058.2
• 申請日: 2018-06-25
• 公開（公告）號: CN208352191U
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張金洲;寇峰
• 申請（專利權(quán)）人: 寶雞市晨光真空電器股份有限公司
• 主分類號: H01H33/662
• 分類號: H01H33/662;H01H33/664
• 代理公司: 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350
• 代理人: 宋秀珍

提供一種屏蔽罩鑲嵌式真空滅弧室，具有瓷殼，所述瓷殼為圓筒狀結(jié)構(gòu)且瓷殼內(nèi)部的觸頭外側(cè)設(shè)有屏蔽罩，所述屏蔽罩鑲嵌于瓷殼內(nèi)壁上且屏蔽罩外壁與瓷殼內(nèi)壁接觸。本實用新型通過去掉傳統(tǒng)瓷殼的內(nèi)臺階，將屏蔽罩與瓷殼的連接方式設(shè)計為鑲嵌式結(jié)構(gòu)，解決了因屏蔽電極的電子束釋放引起電子雪崩而使得瓷殼表面帶電的現(xiàn)象，保證從瓷殼沿面耐壓水平，同時，在保證屏蔽罩和電極之間有效距離的情況下，實現(xiàn)瓷殼內(nèi)腔與屏蔽罩之間沒有距離，從而縮小了真空滅弧室的外徑，解決了瓷殼因內(nèi)臺階引發(fā)的內(nèi)應(yīng)力問題而導(dǎo)致瓷殼開裂報廢的現(xiàn)象，提高了產(chǎn)品的合格率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于真空開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種屏蔽罩鑲嵌式真空滅弧室。

背景技術(shù)

在真空滅弧室中，屏蔽罩不僅具有均壓作用，更為重要的是吸收動、靜觸頭在開斷過程及弧后產(chǎn)生的金屬蒸汽作用。保證弧后介質(zhì)強度的恢復(fù)及瓷殼免受金屬蒸汽的沉積污染，使真空滅弧室在經(jīng)歷多次短路電流開斷后，仍能保持良好的絕緣性能，通常真空滅弧室屏蔽罩與動、靜觸頭絕緣，其電位是懸浮的，而且有屏蔽罩相對于動、靜觸頭的固定分布電容分布，在真空度較低時，屏蔽罩和觸頭電極之間就會發(fā)生放電現(xiàn)象。在較高真空度下，真空滅弧室運行的電極與屏蔽罩之間的等離子濃度很低，因此可以認(rèn)為離子在擴散向屏蔽罩的過程中，不會發(fā)生碰撞和復(fù)合，當(dāng)真空度下降時屏蔽罩與動、靜觸頭之間的帶電離子的擴散運動在一定程度上受影響，帶電離子不易擴散和消失，容易在屏蔽罩和電極之間形成間歇的貫穿通道，放電進(jìn)入非自持狀態(tài)，由于觸頭與屏蔽罩之間是非均勻電場，而且真空滅弧室內(nèi)最大的電場強度出現(xiàn)在觸頭表面邊緣，隨著真空度的降低，氣體分子的增多，氣體分子在強場區(qū)爆發(fā)的電離過程，在電場作用下，電子在其奔向陽極的過程中得到加速，動能增加，同時電子在其運動過程中又不斷地和氣體碰撞，形成大量的電子崩，所以電極與屏蔽罩之間的放電電流也隨之增加，伴隨著放電過程，間隙中出現(xiàn)大量的電荷，根據(jù)極不均勻電場中電暈放電過程，真空滅弧室電極曲率半徑較大，電暈層很薄，隨著真空度的下降，電暈層不斷擴大，出現(xiàn)強烈的脈沖現(xiàn)象，開始轉(zhuǎn)入流注形式的電暈放電，最后流注貫穿間隙，導(dǎo)致間隙擊穿，造成真空滅弧室爆炸、燒毀等現(xiàn)象，依據(jù)上述情況，在真空滅弧室小型化設(shè)計中，不能以減小屏蔽罩和電極之間的有效距離為前提進(jìn)行設(shè)計。

真空滅弧室要實現(xiàn)小型化，主要采取以下措施：①有效利用磁場，縮小真空滅弧室的內(nèi)部結(jié)構(gòu)；②改進(jìn)觸頭材料，去除雜質(zhì)；③優(yōu)化屏蔽罩結(jié)構(gòu)，提高耐壓性能。實現(xiàn)真空滅弧室小型化設(shè)計，針對第三種情況，如圖1所示，現(xiàn)有真空滅弧室采用瓷殼1內(nèi)臺階與屏蔽罩3釬焊的固定連接方式，在觸頭2處的瓷殼1內(nèi)壁上設(shè)有內(nèi)臺階，設(shè)于屏蔽罩3外圓周壁上的凸臺置于瓷殼1內(nèi)臺階上后固定，屏蔽罩3的此種結(jié)構(gòu)和與瓷殼1的連接方式，在保證觸頭2與屏蔽罩3內(nèi)壁之間距離L的情況下，屏蔽罩3外壁與瓷殼1內(nèi)壁之間間隙較大，不利于真空滅弧室小型化的要求,中間屏蔽結(jié)構(gòu)，因屏蔽電極的電子釋放引起的電子雪崩，使瓷殼1內(nèi)表面帶電，沿面耐壓水平低，針對上述問題，有必要進(jìn)行改進(jìn)。

實用新型內(nèi)容

本實用新型解決的技術(shù)問題：提供一種屏蔽罩鑲嵌式真空滅弧室，通過去掉傳統(tǒng)瓷殼的內(nèi)臺階，將屏蔽罩與瓷殼的連接方式設(shè)計為鑲嵌式結(jié)構(gòu)，解決了因屏蔽電極的電子束釋放引起電子雪崩而使得瓷殼表面帶電的現(xiàn)象，保證從瓷殼沿面耐壓水平，同時，在保證屏蔽罩和電極之間有效距離的情況下，實現(xiàn)瓷殼內(nèi)腔與屏蔽罩之間沒有距離，從而縮小了真空滅弧室的外徑，解決了瓷殼因內(nèi)臺階引發(fā)的內(nèi)應(yīng)力問題而導(dǎo)致瓷殼開裂報廢的現(xiàn)象，提高了產(chǎn)品的合格率。

本實用新型采用的技術(shù)方案：屏蔽罩鑲嵌式真空滅弧室，具有瓷殼，所述瓷殼為圓筒狀結(jié)構(gòu)且瓷殼內(nèi)部的觸頭外側(cè)設(shè)有屏蔽罩，所述屏蔽罩鑲嵌于瓷殼內(nèi)壁上且屏蔽罩外壁與瓷殼內(nèi)壁接觸。

其中，所述瓷殼內(nèi)壁上制有一個以上的弧形凹槽且設(shè)于蔽罩外圓周壁上的凸臺鑲嵌于弧形凹槽內(nèi)。

進(jìn)一步地，所述屏蔽罩為耐高溫不銹鋼材料或耐高溫電工純鐵材料制成。

本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點：