[實用新型]三軸磁場傳感器有效
| 申請號: | 201820970160.2 | 申請日: | 2018-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN208689155U | 公開(公告)日: | 2019-04-02 |
| 發明(設計)人: | 錢正洪;白茹;胡亮 | 申請(專利權)人: | 錢正洪;白茹 |
| 主分類號: | G01R33/04 | 分類號: | G01R33/04 |
| 代理公司: | 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 朱月芬 |
| 地址: | 浙江省杭州市下沙高*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁場傳感器 雙軸 三軸磁場傳感器 本實用新型 磁場測量 單芯 惠斯通電橋結構 磁敏電阻單元 抗干擾能力 磁場作用 漏磁磁場 水平分量 輸出 集成度 襯底 電橋 兩組 感知 | ||
1.三軸磁場傳感器,包括X/Y雙軸磁場傳感器和Z軸磁場傳感器;其特征在于:所述的X/Y雙軸磁場傳感器和Z軸磁場傳感器均設置在襯底上,X/Y雙軸磁場傳感器與Z軸磁場傳感器位置相鄰;用于測量三軸磁場;
所述的X/Y雙軸磁場傳感器包括雙軸磁通引導器;雙軸磁通引導器設置在襯底上,雙軸磁通引導器外部框架為方環形或圓環形結構,兩條對角線或兩條垂直的對稱軸將雙軸磁通引導器分為四個區域;每個區域均開有磁敏電阻放置間隙;每個區域設置有一對磁敏電阻,磁敏電阻均設置在襯底上,一個磁敏電阻被雙軸磁通引導器覆蓋,另一磁敏電阻設置在磁敏電阻放置間隙內;檢測同向磁場的兩對磁敏電阻連成一組惠斯通電橋結構,兩組惠斯通電橋形成兩個輸出;分別測量X軸和Y軸磁場分量;
所述的Z軸磁場傳感器包括單軸磁通引導器和兩對磁敏電阻,兩對磁敏電阻分別設置在單軸磁通引導器的兩對邊;兩對磁敏電阻連成一組惠斯通電橋結構,形成一個輸出,測量Z軸磁場分量;在Z軸磁場作用下,單軸磁通引導器兩邊邊緣處產生具有不同方向水平分量的漏磁場,被分別位于兩側的兩對面內敏感的磁敏電阻所感知,并由惠斯通電橋進行輸出。
2.如權利要求1所述的三軸磁場傳感器,其特征在于:所述的Z軸磁場傳感器放置在X/Y雙軸磁場傳感器的環形雙軸磁通引導器的環形內部。
3.如權利要求1所述的三軸磁場傳感器,其特征在于:所述的磁敏電阻放置間隙的兩邊與切邊呈大于0°小于90°的傾斜角。
4.如權利要求1所述的三軸磁場傳感器,其特征在于:所述的襯底為硅基。
5.如權利要求1所述的三軸磁場傳感器,其特征在于:所述的磁敏電阻為各向異性磁電阻、巨磁阻電阻、磁隧道結電阻。
6.如權利要求1所述的三軸磁場傳感器,其特征在于:所述的磁通引導器為具有高導磁率的軟磁材料制成。
7.如權利要求1所述的三軸磁場傳感器,其特征在于:所述的惠斯通電橋電路通過金屬線相連,并能夠與硅基集成信號處理電路原件相連或者在硅片上實現單芯集成。
8.如權利要求1所述的三軸磁場傳感器,其特征在于:所述的惠斯通電橋為惠斯通電橋全橋結構或惠斯通電橋半橋結構。
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