[實用新型]IGBT驅動裝置和電磁加熱控制裝置和電磁爐

有效

• 申請號: 201820966704.8
• 申請日: 2018-06-21
• 公開（公告）號: CN208445782U
• 公開（公告）日: 2019-01-29
• 發明（設計）人: 江德勇;王云峰;雷俊;鄒偉;鄭量
• 申請（專利權）人: 佛山市順德區美的電熱電器制造有限公司
• 主分類號: H05B6/06
• 分類號: H05B6/06
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張潤

本實用新型公開了IGBT驅動裝置和電磁加熱控制裝置以及電磁爐，IGBT驅動裝置包括第一驅動模塊和第二驅動模塊，第一驅動模塊的第一端與驅動信號提供端相連，第一驅動模塊的第二端與IGBT的控制端相連；第二驅動模塊的第一端與使能信號提供端相連，第二驅動模塊的第二端與第一驅動模塊的第三端相連，第二驅動模塊的第三端與IGBT的控制端相連；其中，在輸入電壓大于電壓閾值時，在每個控制周期中，第二驅動模塊根據使能信號輸出第二驅動信號，并在預設時間之后第一驅動模塊輸出第二驅動信號，其中，第一驅動信號小于第二驅動信號。本實用新型的驅動裝置和控制裝置以及電磁爐，可以有效抑制IGBT的脈沖電流，防止IGBT損壞。

技術領域

本實用新型屬于電器制造技術領域，尤其涉及一種IGBT(Insulated GateBipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)驅動裝置，以及包括該驅動裝置的電磁加熱控制裝置和包括該控制裝置的電磁爐。

背景技術

圖1是相關技術中的一種電磁爐的主電路示意圖，如圖1所示，主電路主要包括保險管F1，橋堆D1，扼流圈L1,濾波電容C1，諧振電容C2，諧振電感(線圈盤)L2，功率管IGBT，主控芯片IC1，電壓采樣模塊U1，IGBT驅動模塊U2，其它電路模塊U3。主控芯片通過U1獲取市電電壓值Vac，主控芯片IC1的VIN端口讀取電壓AD。其中，如圖2所示，常規的IGBT驅動模塊包括電阻R1’、R2’、R3’和R4’以及三極管Q1’、Q2’和Q3’組成。

對于如上面提出的單IGBT電磁諧振電路通常采用并聯諧振方式，諧振參數設置在正常電壓下，如圖3所示，為正常電壓下的加熱VG波形圖，其中，包括IGBT驅動波形、IGBT的C極的電壓波形和IGBT的C極的電流波形，在正常電壓下，IGBT導通在電壓零點，此時IGBT的脈沖電流為最小。常規功率下，IGBT開通脈沖過小，諧振能量不足，導致IGBT不會在諧振零點導通，如果在高電壓的環境下運行時，則會出現IGBT電壓超前開通嚴重，開通瞬間IGBT瞬態電流峰值高(脈沖電流)，容易超過IGBT電流峰值規格限制，損壞IGBT。如圖4所示，為高電壓下的加熱VG波形示意圖，從圖中可以看出，由于諧振參數的匹配，諧振能量不足，IGBT不能在電壓零點導通，且C極電壓非常高，導致IGBT的脈沖電流非常大，已損壞IGBT。

對于上述問題，一般采用提高功率的做法實現降低IGBT超前導通電壓(盡量降低脈沖電流)，例如，在1000W檔，在220V時功率為1000W，而在260V時，加熱功率需要提升至1700W，以解決IGBT超前導通造成的過大的沖擊電流，導致用戶體驗效果差。

實用新型內容

本實用新型旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。

為此，本實用新型的第一個目的在于提出一種IGBT驅動裝置，該IGBT驅動裝置，可以在高電壓時有效地抑制沖擊電流。

本實用新型的第二個目的在于提出一種電磁加熱控制裝置。

本實用新型的第三個目的在于提出一種電磁爐。

為了達到上述目的，本實用新型第一方面實施例的IGBT驅動裝置，包括：第一驅動模塊，所述第一驅動模塊的第一端與驅動信號提供端相連，所述第一驅動模塊的第二端與IGBT的控制端相連；第二驅動模塊，所述第二驅動模塊的第一端與使能信號提供端相連，所述第二驅動模塊的第二端與所述第一驅動模塊的第三端相連，所述第二驅動模塊的第三端與所述IGBT的控制端相連；其中，在輸入電壓大于電壓閾值時，在每個控制周期中，所述第二驅動模塊根據使能信號輸出第二驅動信號，并在預設時間之后所述第一驅動模塊輸出第二驅動信號，其中，所述第一驅動信號小于所述第二驅動信號。

根據本實用新型實施例的IGBT驅動裝置，通過設置第一驅動模塊和第二驅動模塊，在輸入電壓大于電壓閾值時，在每個控制周期中，采用臺階式驅動信號對IGBT進行驅動，可以有效抑制IGBT的脈沖電流，防止IGBT損壞。