[實用新型]一種適用于巨磁阻傳感器芯片一體化設計的基準電壓源電路

有效

• 申請號: 201820939862.4
• 申請日: 2018-06-15
• 公開（公告）號: CN208207638U
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 李仲秋;賀瑛;羅德凌
• 申請（專利權）人: 長沙航空職業技術學院
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 長沙七源專利代理事務所(普通合伙) 43214
• 代理人: 鄭雋;吳婷

本實用新型公開了一種適用于巨磁阻傳感器芯片一體化設計的基準電壓源電路，屬于基準電壓電路領域，通過T2與T3構成電流鏡，由于兩者尺寸相同，T3的漏極電流與T2的漏極電流相等，當電路未進入工作狀態時，T2與T3導通處于開啟狀態，通過增加VDD端電壓，使得R1上壓降逐漸增大，因此通過R1的電流增加；由于T2與T3構成的電流鏡的作用，通過R2的電流與R1上的電流相同，此時R1上的電流也趨于穩定，R2上電流也將趨于穩定，從而使得啟動更好；其中晶體管T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11分別構成共源共柵電流鏡，生成與電源無關的電流偏置。采用共源共柵電流源結構的電路，優點在于它會有一個很大的輸出電阻。

【技術領域】

本實用新型涉及基準電壓電路領域，具體涉及一種適用于巨磁阻傳感器芯片一體化設計的基準電壓源電路。

【背景技術】

巨磁阻傳感器是用于檢測磁場的惠斯通電橋結構,當向電橋供電后,在敏感軸方向加入磁場強度會引起電橋電阻元件的變化，導致電橋輸出端的電壓產生相應的變化，即傳感器的輸出電壓變化量與外加磁場強度成正比。傳感器芯片采用一組GMR惠斯通電橋結構，將磁場轉化成差分電壓(全橋)輸出，高靈敏度、低磁滯、低溫漂和優良的線性度，可以測量±0.5mT的磁場，采用超小型尺寸封裝。產品可廣泛應用于智能電網、智能交通、汽車電子、工業控制、醫療設備、消費電子等領域。但是由于芯片在進行工作時與電壓的關系非常重要,因此需要設計出更好更精準的基準電壓電路。

現有的基準電壓源的進度較低，同時輸出的范圍較小，因此需要設計出一種更加適合巨磁阻傳感器使用的基準電壓電路。

【實用新型內容】

本實用新型旨在公開一種適用于巨磁阻傳感器芯片一體化設計的基準電壓源電路，解決上述問題，用于供巨磁阻傳感器芯片提供基準電壓，從而使得芯片工作的精度更高，更加符合市場的需求。

本實用新型采取的技術方案為：

一種適用于巨磁阻傳感器芯片一體化設計的基準電壓源電路，包括啟動電路和電壓產生電路，所述啟動電路與電壓產生電路連接，其特征在于：所述電壓產生電路包括晶體管T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12、T13、T14、三極管Q1、Q2、Q3和電阻R3、R4，所述晶體管T4和晶體管T5的源極均與電源VDD端連接，所述晶體管T4的柵極和晶體管T5的柵極連接，并且與啟動電路連接，所述晶體管T4的漏極與晶體管T6源極連接，所述晶體管T5的漏極與晶體管T7源極連接，所述晶體管T6的柵極與晶體管T7的柵極連接，并與晶體管T7的漏極連接，所述晶體管T6的漏極與晶體管T8的源極連接，所述晶體管T7的漏極與晶體管T9的源極連接，所述晶體管T8的柵極與晶體管T9的柵極連接，并與啟動電路連接，所述晶體管T8的漏極與晶體管T10的源極連接，所述晶體管T9的漏極與晶體管T11的源極連接，所述晶體管T10的柵極與晶體管T11的柵極連接，并與晶體管T10的源極連接，所述晶體管T10的漏極與三極管Q1的集電極連接，所述晶體管T11的漏極經電阻R3與三極管Q2的集電極連接，所述三極管Q1的基極和發射極均與啟動電路連接，所述三極管Q2的基極和發射極均與啟動電路連接，所述晶體管T12的源極與電源VDD端連接，所述晶體管T12柵極與晶體管T4和晶體管T5的柵極連接，并且與啟動電路連接，所述晶體管T12漏極與晶體管T13的源極連接，所述晶體管T13的柵極與晶體管T6與晶體管T7的柵極連接，所述晶體管T13的漏極與晶體管T14的源極和柵極連接，所述晶體管T14漏極與經電阻R4與三極管Q3集電極連接，所述三極管Q3的基極和發射極均與啟動電路連接。