[實用新型]半導體器件有效
| 申請號： | 201820925948.1 | 申請日： | 2018-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN208368511U | 公開（公告）日： | 2019-01-11 |
| 發明（設計）人： | 倪賢鋒;范謙;何偉 | 申請（專利權）人： | 蘇州漢驊半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/201;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業園區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 本實用新型 漏極區域 源極區域 勢壘層 襯底 二維電子氣 降低器件 柵極區域 微裂紋 良率 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：襯底、位于所述襯底上的GaN緩沖層和位于所述GaN緩沖層上的ScAlN勢壘層，所述ScAlN勢壘層包括源極區域、漏極區域和柵極區域，所述源極區域與漏極區域上設有n型接觸層。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述GaN緩沖層與所述ScAlN勢壘層之間設有InGaN或者GaN導電層。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述GaN緩沖層與所述ScAlN勢壘層之間設有AlN間隔層。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述ScAlN勢壘層的厚度為5nm-50nm。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極區域上設有柵極，所述n型接觸層上分別設有與所述源極區域與漏極區域對應的源極和漏極。
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