[實(shí)用新型]一種能覆蓋種子的水稻無土育秧基質(zhì)板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820912563.1
• 申請(qǐng)日: 2018-06-12
• 公開（公告）號(hào): CN208317761U
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李金哲;李景峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 黑龍江稻樂農(nóng)業(yè)科技有限公司
• 主分類號(hào): A01G31/02
• 分類號(hào): A01G31/02
• 代理公司: 哈爾濱市陽光惠遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 23211
• 代理人: 鄧宇

一種能覆蓋種子的水稻無土育秧基質(zhì)板，屬于水稻育秧技術(shù)領(lǐng)域。針對(duì)目前水稻育秧作業(yè)中，需提前取土、粉碎、篩土、貯備、拌土拌肥及人工擺盤、播完種子需人工覆蓋等引起的育秧程序繁瑣的問題，本實(shí)用新型提供了一種能覆蓋種子的水稻無土育秧基質(zhì)板，所述基質(zhì)板由基質(zhì)層、單格缽穴體以及覆蓋基質(zhì)柱一體連接成型；所述單格缽穴體在基質(zhì)層的上表面呈矩陣式排列；每個(gè)單格缽穴體對(duì)應(yīng)一個(gè)覆蓋基質(zhì)柱，所述覆蓋基質(zhì)柱是從單格缽穴體一個(gè)側(cè)面且垂直于基質(zhì)層向上延伸而成的，所述覆蓋基質(zhì)柱能在單格缽穴體頂部斷裂，覆蓋單格缽穴體的上截面。本實(shí)用新型適用于水稻育秧。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于水稻育秧技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種能覆蓋種子的水稻無土育秧基質(zhì)板。

背景技術(shù)

我國是農(nóng)業(yè)大國，農(nóng)業(yè)經(jīng)濟(jì)在國民經(jīng)濟(jì)中占有主要地位。改革開放以來，國家為保障糧食安全投入大量的資金和物力，搞農(nóng)田水利建設(shè)與開發(fā)水田，扶持農(nóng)民種植水稻。在水稻面積、水稻品種改良、水稻種植技術(shù)等多方面都已經(jīng)取得顯著提高，為保證我國糧食安全起到了重要作用。發(fā)展至今，我國的水稻種植技術(shù)，單位面積經(jīng)濟(jì)效益方面還有待進(jìn)一步提高。特別是水稻種植育秧、栽培管理及收獲三個(gè)環(huán)節(jié)中的育秧技術(shù)尤為重要，常言說“秧好半年糧”。我們目前還停留在大棚育苗階段，并需要大量采集壤土以客土為主的辦法培育水稻秧苗，浪費(fèi)了很多資源與人財(cái)力。每公頃育秧苗需要取營養(yǎng)土2.5立方米，即2500公斤沃土。由于水稻育秧的常年取土，優(yōu)質(zhì)土壤資源銳減，取土難度越來越大，取營養(yǎng)土壤更難。土壤是不可再生資源，是地球表面經(jīng)過千百萬年，在自然中通過生物循環(huán)逐漸形成的，是植物生長的基礎(chǔ)。由于水稻育秧用土，每年農(nóng)戶亂挖濫采優(yōu)質(zhì)土壤，自然生態(tài)環(huán)境遭到了人為的破壞。農(nóng)民們每年都要提前取土、粉碎、篩土、貯備、拌土拌肥及人工擺盤播完種子人工覆蓋等繁瑣的操作過程，浪費(fèi)大量人力物力。特別是我國北方水稻種植區(qū)域，生育期短，活動(dòng)積溫少，生育前期長慢，中期高溫時(shí)間短，后期降溫快，低溫冷害多。因此，如何培育出插秧后返青快，適時(shí)進(jìn)入分蘗的健壯秧苗尤為重要。農(nóng)民為此每年要付出很大精力來培育壯秧。壯秧首先是壯根，水稻的根起著重要的吸收養(yǎng)分和水分的作用，吸收能力強(qiáng)則光合作用也強(qiáng)。光合產(chǎn)物積累多，才能正常生長發(fā)育，培育出健壯秧苗，插秧后發(fā)根能力強(qiáng)，返青快，分蘗早，增產(chǎn)潛力大。再有，農(nóng)業(yè)主產(chǎn)區(qū)的農(nóng)作物秸稈資源很豐富，過去常年作為廢棄物而焚燒。如何綜合有效開發(fā)利用，使其變廢為寶，并減少不合理、不科學(xué)處理方式所造成的環(huán)境污染問題也突現(xiàn)在我們面前。

實(shí)用新型內(nèi)容

針對(duì)目前水稻育秧作業(yè)中，需提前取土、粉碎、篩土、貯備、拌土拌肥及人工擺盤、播完種子需人工覆蓋等引起的育秧程序繁瑣的問題，本實(shí)用新型提供了一種能覆蓋種子的水稻無土育秧基質(zhì)板，所述基質(zhì)板由基質(zhì)層1、單格缽穴體2以及覆蓋基質(zhì)柱3一體連接成型；所述單格缽穴體2在基質(zhì)層1的上表面呈矩陣式排列；每個(gè)單格缽穴體2對(duì)應(yīng)一個(gè)覆蓋基質(zhì)柱3，所述覆蓋基質(zhì)柱3是從單格缽穴體2一個(gè)側(cè)面且垂直于基質(zhì)層向上延伸而成的，所述覆蓋基質(zhì)柱3能在單格缽穴體頂部斷裂，覆蓋單格缽穴體2的上截面4。

優(yōu)選地，所述基質(zhì)層1的上下表面形狀為矩形，基質(zhì)層1的寬度為22-28cm,長度為56-58cm,厚度為0.5-1.0cm。

優(yōu)選地，沿基質(zhì)層1寬邊方向每列單格缽穴體數(shù)目為14-18個(gè)，沿基質(zhì)層1長邊方向每行單格缽穴體數(shù)目為28-36個(gè)。

優(yōu)選地，所述單格缽穴體2的內(nèi)深為0.6-1.0cm,內(nèi)長為0.8-1.5cm,內(nèi)寬為0.8-1.5cm，每兩個(gè)相鄰的單格缽穴體2的間隔為0.3-0.6cm。

優(yōu)選地，所述覆蓋基質(zhì)柱3寬度與單格缽穴體2的內(nèi)長或內(nèi)寬相同，高度為1.0-1.5cm，厚度為0.3-0.6cm。

優(yōu)選地，所述覆蓋基質(zhì)柱3的寬邊與基質(zhì)層1的寬邊平行排列，與寬邊垂直的每行單格缽穴體2中，每兩個(gè)覆蓋基質(zhì)柱3之間為一個(gè)單格缽穴體2；或者所述覆蓋基質(zhì)柱3寬邊與基質(zhì)層1的長邊平行，與長邊垂直的每列單格缽穴體2中，每兩個(gè)覆蓋基質(zhì)柱3之間為一個(gè)單格缽穴體2；所述基質(zhì)板中，各行或各列的覆蓋基質(zhì)柱3均以首行或首列單格缽穴體2的外側(cè)為起始端。