[實用新型]化學機械研磨裝置

有效

• 申請號: 201820832850.1
• 申請日: 2018-05-31
• 公開（公告）號: CN208246556U
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 蔡長益
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: B24B37/10
• 分類號: B24B37/10;B24B37/34;B24B53/017
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 張臻賢;李夠生

本實用新型涉及一種化學機械研磨裝置，裝置包括研磨臺，用于設置研磨墊；溫控水機，具有進水口和出水口，進水口與去離子水供應裝置連接，溫控水機用于將經進水口流入的去離子水加熱到預設溫度范圍；噴霧器，設置在研磨臺上方，噴霧器與溫控水機的出水口連接，噴霧器具有噴頭，噴頭相對研磨墊表面傾斜設置；調節頭，設置在研磨臺上方，用于調節修整研磨墊表面的粗糙度。方法包括將完成表面處理的晶圓移出；將加溫后的去離子水通過噴霧器的噴頭持續噴射到研磨墊表面，以對研磨墊表面進行加熱；通過調節頭對研磨墊表面進行修整。本實用新型通過加熱的去離子水對研磨墊進行軟化，因此提高了研磨墊與晶圓的接觸面積。

技術領域

本實用新型涉及半導體集成電路制造技術領域，特別涉及一種化學機械研磨裝置。

背景技術

在研磨墊對一個晶圓進行表面處理后，需要通過調節頭和去離子水對研磨墊表面進行修整，以提高研磨墊的表面粗糙度。但是，由于去離子水的溫度無法調節，導致在不同環境下去離子水的溫度變化較大，如圖1所示，研磨墊100的表面粗糙度受去離子水的溫度影響，使得與晶圓200的接觸面積110受溫度影響也會產生較大變化。由于晶圓200與研磨墊100的接觸面積110減小，導致研磨墊100的移除速率降低，無法有效去除晶圓表面的雜質。

在背景技術中公開的上述信息僅用于加強對本實用新型的背景的理解，因此其可能包含沒有形成為本領域普通技術人員所知曉的現有技術的信息。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型實施例提供一種化學機械研磨裝置，以解決或緩解現有技術中存在的技術問題，至少提供一種有益的選擇。

本實用新型實施例的技術方案是這樣實現的：

根據本實用新型的一個實施例提供一種化學機械研磨裝置，包括：

研磨臺，用于設置研磨墊；

溫控水機，具有進水口和出水口，所述進水口與去離子水供應裝置連接，所述溫控水機用于將經所述進水口流入的去離子水加熱且穩定在預設溫度范圍中；

噴霧器，設置在所述研磨臺上方，所述噴霧器與所述溫控水機的所述出水口連接，所述噴霧器具有噴頭，所述噴頭相對所述研磨墊表面傾斜設置，用于向所述研磨墊表面噴射加溫后的所述去離子水，以加熱和清潔所述研磨墊；以及

調節頭，設置在所述研磨臺上方，用于調節修整所述研磨墊表面的粗糙度。

在一些實施例中，還包括控制單元，所述控制單元與所述溫控水機電連接，用于控制所述溫控水機對所述去離子水的加熱溫度在所述預設溫度范圍中；所述控制單元還與所述噴霧器電連接，用于控制所述噴頭噴出所述去離子水的流速。

在一些實施例中，所述噴頭相對所述研磨墊表面的傾斜角度在30°-75°之間，包含端點值。

在一些實施例中，所述研磨臺為多個，各所述研磨臺分別配置有各一所述研磨墊和各一所述噴霧器，多個所述噴霧器與同一所述溫控水機連接。

在一些實施例中，還包括研磨頭，所述研磨頭設置在所述研磨臺上方，用于裝載晶圓。

在一些實施例中，所述預設溫度范圍為43℃-47℃，包含端點值。

本實用新型實施例由于采用以上技術方案，其具有以下優點：本實用新型的化學機械研磨裝置由于設置有與噴霧器連接的溫控水機，因此能夠對進入到噴霧器中的去離子水進行加熱，使得加熱后的去離子水噴射到研磨墊表面時能夠對研磨墊表面進行軟化，在調節頭修整研磨墊時，能夠提高研磨墊與晶圓的接觸面積、表面粗糙度以及移除效率，使得研磨墊對晶圓進行表面處理時減少了劃痕的產生。

上述概述僅僅是為了說明書的目的，并不意圖以任何方式進行限制。除上述描述的示意性的方面、實施方式和特征之外，通過參考附圖和以下的詳細描述，本實用新型進一步的方面、實施方式和特征將會是容易明白的。