[實(shí)用新型]智能集成信號(hào)調(diào)理電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820735576.6
• 申請(qǐng)日: 2018-05-17
• 公開（公告）號(hào): CN208126164U
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 史國(guó)軍;宋六環(huán);李影博;呂西臣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鄭州意昂新能源汽車科技有限公司
• 主分類號(hào): G05B19/042
• 分類號(hào): G05B19/042
• 代理公司: 北京卓恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11394
• 代理人: 軒文君

1.智能集成信號(hào)調(diào)理電路，其特征在于，包括上位機(jī)，上位機(jī)通信連接有多個(gè)信號(hào)調(diào)理裝置，多個(gè)所述信號(hào)調(diào)理裝置包括多個(gè)調(diào)理板卡，多個(gè)所述調(diào)理板卡上設(shè)有多個(gè)信號(hào)調(diào)理通路；

信號(hào)調(diào)理通路包括DO_H、DO_L調(diào)理通路，其中，DO_H調(diào)理通路包括電容C3，電容C3的一端接GND，電容C3的另一端接電阻R45，電阻R45的一端接GND，電阻R45的另一端接電阻R24，電阻R24的另一端接電阻R46、三極管Q2的基極，電阻R46、三極管Q2的發(fā)射極接GND，三極管Q2的集電極接電阻R21，電阻R21的另一端接電阻R20、R19的一端，電阻R19的另一端接SWVCC，電阻R20的另一端接二極管D1的正極、晶體管Q1的柵極，二極管D1的另一端接SWVCC，晶體管Q1的漏極接SWVCC，晶體管Q1的源極接電阻R23，電阻R23的另一端接電容C1和電阻R44的一端，電容C1和電阻R44的另一端接GND；

DO_L調(diào)理通路包括一端與電阻R24連接的電阻R51，電阻R51的另一端接電阻R52和晶體管Q3的柵極，電阻R52和晶體管Q3的源極接GND，晶體管Q3的漏極接電阻R50。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能集成信號(hào)調(diào)理電路，其特征在于，所述信號(hào)調(diào)理通路還包括有D0_PWM調(diào)理通路，DO_PWM調(diào)理通路包括MOS驅(qū)動(dòng)集成芯片U1，MOS驅(qū)動(dòng)集成芯片U1的2引腳連接電阻R53，電阻R53的另一端與電阻R45、電阻R24、電阻R51一端連接，MOS驅(qū)動(dòng)集成芯片U1的3引腳接±12V和電容C36正極，電容C36的負(fù)極接GND，MOS驅(qū)動(dòng)集成芯片U1的1引腳接MOS驅(qū)動(dòng)集成芯片U1的3引腳，MOS驅(qū)動(dòng)集成芯片U1的4引腳接GND，MOS驅(qū)動(dòng)集成芯片U1的7引腳接電阻R54和二極管D18的負(fù)極，電阻54的另一端接二極管D18的另一端和晶體管Q4的柵極，晶體管Q4的漏極接SWVCC，MOS驅(qū)動(dòng)集成芯片U1的8引腳接二極管D17的負(fù)極和電容C6的正極，二極管D17的另一端接±12V，MOS驅(qū)動(dòng)集成芯片U1的6引腳接電容C6的負(fù)極和晶體管Q5的漏極、晶體管Q4的源極，電阻R55的一端，晶體管Q5的源極接GND，MOS驅(qū)動(dòng)集成芯片U1的5引腳接電阻R60和二極管D20的負(fù)極，電阻R60的另一端接二極管D20的正極和晶體管Q5的柵極，晶體管Q4的源極、電容C6的正極、晶體管Q5的漏極接電阻R55，電阻R55的另一端接電阻R56和電容C37的一端，電阻R56的另一端接電容C37的另一端和GND。