[實用新型]一種花籃內硅片的抓取裝置有效
| 申請號: | 201820714348.0 | 申請日: | 2018-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN208753285U | 公開(公告)日: | 2019-04-16 |
| 發明(設計)人: | 張學強;戴軍;張建偉;羅銀兵 | 申請(專利權)人: | 羅博特科智能科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/687 |
| 代理公司: | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 耿丹丹 |
| 地址: | 215000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 頂齒 升降架 支架 上下移動 硅片 抓取裝置 排列設置 花籃 第二驅動裝置 第一驅動裝置 驅動 申請 | ||
本申請提供了一種花籃內硅片的抓取裝置,所述的抓取裝置包括第一支架和第二支架,所述的第一支架上設置有沿所述的第一支架上下移動的第一升降架、用于驅動所述的第一升降架上下移動的第一驅動裝置,所述的第一升降架上設置有第一頂齒組,所述的第一頂齒組包括多個沿左右方向排列設置的多個第一頂齒,相鄰的兩個第一頂齒之間形成放置硅片的間隙;所述的第二支架上設置有沿所述的第二支架上下移動的第二升降架、用于驅動所述的第二升降架上下移動的第二驅動裝置,所述的第二升降架上設置有第二頂齒組,所述的第二頂齒組包括多個沿左右方向排列設置的多個第二頂齒,相鄰的兩個第二頂齒之間形成放置硅片的間隙。
技術領域
本申請涉及一種花籃內硅片的抓取裝置。
背景技術
硅片是太陽能電池片的載體,硅片質量的好壞直接決定了太陽能電池片轉換效率的高低,太陽能電池需要一個大面積的PN結以實現光能到電能的轉換,而擴散爐即為制造太陽能電池PN結的專用設備。管式擴散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴散一般用三氯氧磷液態源作為擴散源。把P型硅片放在管式擴散爐的石英容器內,在850---900 攝氏度高溫下使用氮氣將三氯氧磷帶入石英容器,通過三氯氧磷和硅片進行反應,得到磷原子。經過一定時間,磷原子從四周進入硅片的表面層,并且通過硅原子之間的空隙向硅片內部滲透擴散,形成了N型半導體和P型半導體的交界面,也就是PN結。在硅片加工過程中,需要將硅片輸送至工作位置,加工完成后再下料。
實用新型內容
本申請要解決的技術問題是提供一種花籃內硅片的抓取裝置。
為了解決上述技術問題,本申請提供了一種花籃內硅片的抓取裝置,所述的抓取裝置包括第一支架和第二支架,所述的第一支架上設置有沿所述的第一支架上下移動的第一升降架、用于驅動所述的第一升降架上下移動的第一驅動裝置,所述的第一升降架上設置有第一頂齒組,所述的第一頂齒組包括多個沿左右方向排列設置的多個第一頂齒,相鄰的兩個第一頂齒之間形成放置硅片的間隙;所述的第二支架上設置有沿所述的第二支架上下移動的第二升降架、用于驅動所述的第二升降架上下移動的第二驅動裝置,所述的第二升降架上設置有第二頂齒組,所述的第二頂齒組包括多個沿左右方向排列設置的多個第二頂齒,相鄰的兩個第二頂齒之間形成放置硅片的間隙。
優選地,所述抓取裝置還包括一機架,所述的第一支架和第二支架安裝在所述的機架上。
優選地,所述的機架上還安裝有與所述的第一支架相配的兩個第一夾緊組件,所述的第一夾緊組件包括能夠沿前后方向移動的第一側齒組、用于驅動所述的第一側齒組前后移動的第一驅動汽缸,所述的第一側齒組由多個第一側齒排列組成,相鄰的兩個第一側齒之間形成用于夾設硅片的間隙,所述的兩個第一夾緊組件相對設置,分別位于硅片的前后兩側。
優選地,所述的機架上還安裝有與所述的第二支架相配的兩個第二夾緊組件,所述的第二夾緊組件包括能夠沿前后方向移動的第二側齒組、用于驅動所述的第二側齒組前后移動的第二驅動汽缸,所述的第二側齒組由多個第二側齒排列組成,相鄰的兩個第二側齒之間形成用于夾設硅片的間隙,所述的兩個第二夾緊組件相對設置,分別位于硅片的前后兩側。
優選地,所述的第一驅動裝置和所述的第二驅動裝置為絲杠螺母結構。
本申請還提供一種花籃運輸機構,所述的運輸機構還包括軌道,所述的軌道一端為上料端,所述的軌道的另一端為下料端,所述的上料端設置有一能夠沿所述的軌道滑動的上料端滑動座,所述的下料端設置有一能夠沿所述的軌道滑動的下料端滑動座,所述的上料端滑動座上設置有用于安裝花籃的上料端托盤,所述的下料端滑動座上設置有用于安裝花籃的下料端托盤,所述的抓取裝置位于所述的上料端和所述的下料端之間。
優選地,所述的上料端托盤能夠沿垂直于所述的軌道的方向相對所述的上料端滑動座滑動;所述的下料端托盤能夠沿垂直于所述的軌道的方向相對所述的下料端滑動座滑動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





