[實用新型]半導體封裝和CISCSP

有效

• 申請號: 201820698200.2
• 申請日: 2018-05-11
• 公開（公告）號: CN208589446U
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 徐守謙
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L23/485
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 王美石;姚開麗

本實用新型涉及半導體封裝和CISCSP封裝。半導體封裝的實施方式可包括：半導體管芯，所述半導體管芯包括第一介電層和多個焊盤，所述第一介電層具有穿過其中暴露所述多個焊盤中的每一個的至少一部分的多個開口。耦接到所述第一介電層的第二介電層的厚度可大于或等于所述第一介電層的厚度，并且所述第二介電層可具有與所述第一介電層中的所述多個開口相對應的多個開口。多個凸塊可與所述多個焊盤耦接到達所述第一介電層和所述第二介電層中的所述多個開口中。所述半導體封裝還可包括凸塊密封材料，所述凸塊密封材料沿所述多個凸塊的側面從所述多個焊盤的材料向上延伸。所述封裝可與母板耦接而不使用底部填充材料。

相關專利申請的交叉引用

本文件要求授予Shou-Chian Hsu的名稱為“CISCSP Package and RelatedMethods”(CISCSP封裝及相關方法)的美國臨時專利申請62/527,787的提交日期的權益，該申請提交于2017年6月30日，該申請的公開內容據此全文以引用方式并入本文。

技術領域

本文的各方面整體涉及圖像傳感器，更具體地涉及半導體封裝和CISCSP 封裝。

背景技術

一般來講，為了將半導體封裝耦接到母板，通常使用底部填充材料來填充母板與封裝上的凸塊之間的空間。在一些系統中，在半導體封裝與母板耦接以及施加和固化底部填充材料之前或之后，最初在半導體封裝上的凸塊周圍分布聚合物或其他材料。底部填充材料的使用是為了在封裝的熱循環期間防止與母板連接的點附近的凸塊的破裂或再分布層(RDL)電路的破裂。

實用新型內容

半導體封裝的實施方式可包括：半導體管芯，該半導體管芯包括第一介電層和多個焊盤，該第一介電層具有穿過其中暴露所述多個焊盤中的每一個的至少一部分的多個開口。半導體封裝還可包括耦接到第一介電層的第二介電層。第二介電層可具有與第一介電層中的所述多個開口相對應的多個開口。第二介電層的所述多個開口的寬度可大于第一介電層的所述多個開口的寬度。半導體封裝還可包括多個凸塊，所述多個凸塊與所述多個焊盤耦接到達第一介電層的所述多個開口中以及第二介電層的所述多個開口中。半導體封裝還可包括凸塊密封材料，該凸塊密封材料設置在所述多個凸塊周圍并且沿所述多個凸塊的側面從所述多個焊盤的材料向上延伸。該封裝可被配置為與母板耦接而不在所述多個凸塊與母板之間使用底部填充材料。

半導體封裝的實施方式可包括以下各項中的一者、全部或任何一者：

第二介電層的厚度可大于或等于第一介電層的厚度。

第一介電層的材料可為與第二介電層的材料相同和不同中的一者。

第二介電層的厚度可被配置為將焊料密封材料的密封高度提升到所需高度。

第二介電層的厚度可大于30微米。

半導體管芯可為圖像傳感器，其包括耦接到半導體管芯的多個微透鏡。圍壩可耦接在半導體管芯的周邊周圍。玻璃層可耦接到半導體管芯上方的圍壩。

第一介電層和第二介電層可各自使用噴涂、旋涂和層合中的一者來施加。

互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器芯片級封裝(CISCSP)的實施方式可包括：半導體管芯，該半導體管芯包括多個焊盤以及具有穿過其中的多個開口的第一焊料掩模限定(SMD)層。穿過第一焊料掩模的開口可暴露所述多個焊盤中的每一個的至少一部分。該封裝還可包括耦接到第一SMD層的第二非焊料掩模限定(NSMD)層。第二NSMD層可具有與第一SMD層中的所述多個開口相對應的多個開口。第二NSMD層的所述多個開口的寬度可大于第一SMD 層的所述多個開口的寬度。該封裝可具有多個凸塊，所述多個凸塊與所述多個焊盤耦接到達第一SMD層的所述多個開口中以及第二NSMD層的所述多個開口中。該封裝可具有凸塊密封材料，該凸塊密封材料設置在所述多個凸塊周圍并且沿所述多個凸塊的側面從所述多個焊盤的材料向上延伸。