[實用新型]藥液泄漏防止裝置

有效

• 申請號: 201820691323.3
• 申請日: 2018-05-10
• 公開（公告）號: CN208478292U
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 李載鴻;鄭基正;李在元;金炯剟;李俊弧
• 申請（專利權）人: 凱斯科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京冠和權律師事務所 11399
• 代理人: 朱健;張國香

本實用新型的目的在于提供一種藥液泄漏防止裝置，其預防藥液從待機狀態下的藥液噴射噴嘴泄漏，從而可提高清洗工藝的經濟性，防止工藝事故。用于實現所述目的的本實用新型的藥液泄漏防止裝置包括：藥液噴射噴嘴，其向基板的表面噴射藥液；藥液供給部，其向所述藥液噴射噴嘴供給所述藥液；氣體供給部，其用于將殘留于所述藥液噴射噴嘴內部的所述藥液吹出來并排出至外部。

技術領域

本實用新型涉及一種藥液泄漏防止裝置，更加詳細地，涉及一種如下裝置：在完成用于清洗基板的藥液噴射工藝后，對殘留于藥液噴射噴嘴的藥液進行去除，防止待機狀態下的藥液泄漏。

背景技術

通常，在半導體制造工藝中，多次反復進行絕緣膜及金屬物質的蒸鍍(Deposition)、蝕刻(Etching)、光刻膠(Photoresist)的涂覆(Coating)、顯影(Develop)、去膠(Asher)或者顆粒等雜質的去除等，從而制作出微細的圖案的排列。

隨著所述工藝的進行，在半導體基板內會殘留通過蝕刻或者雜質去除工藝沒有完全去除的雜質。隨著半導體裝置的微型化的趨勢，在收率和可靠性方面，去除如包括微粒子在內的金屬雜質、有機污染物、自然氧化膜一樣的雜質的重要性也正在增加。

因為所述雜質是左右半導體裝置的性能和收率的重要要素，所以在進行用于制造半導體裝置的各個工藝之前應經過清洗工藝。

如上所述，為了去除殘留于基板表面的如包括微粒子在內的金屬雜質、有機污染物、自然氧化膜一樣的表面薄膜等的多種對象物而實施用于制造半導體裝置的基板的清洗工藝。

通常，半導體基板的濕式清洗裝置分為批次式(batch type)和單一式(singletype)，批次式是將多個基板浸漬于裝滿有化學溶液的清洗槽(Bath)內并處理的方式，單一式是使得一張基板水平配置并旋轉的同時進行處理的方式。

在所述單一式清洗裝置中進行如下工藝：向高速旋轉的基板的表面噴射清洗劑，用離心力清洗基板表面；用超純水(DI)進行沖洗處理；在基板表面利用類似于液態的異丙醇(IPA:Isopropyl Alcohol)的干燥液來使得基板干燥。所述單一式清洗裝置包括藥液噴射噴嘴，藥液噴射噴嘴用于向基板的表面噴射清洗劑。

圖1是示出用于向基板噴射清洗劑的噴嘴及與其相連接的閥的構成的圖。

參照圖1，包括：清洗劑供給部10，其用于供給清洗劑；噴嘴40，其用于向基板噴射所述清洗劑供給部10供給的清洗劑；清洗劑供給閥20，其用于對所述清洗劑的供給與否進行控制；吸入閥30，其用于在完成清洗工藝后對殘留于噴嘴40內部的清洗劑進行吸入；連接管道50，其對所述清洗劑供給部10、清洗劑供給閥20、吸入閥(Suck Back Valve)30及噴嘴40進行連接并提供清洗劑的流動路徑。

當進行清洗工藝時，清洗劑供給閥20被打開，從而向基板噴射清洗劑供給部10供給的清洗劑，進而實現清洗。

若完成如上所述的清洗，則關閉清洗劑供給閥20并中斷向基板噴射清洗劑。在此情況下，清洗劑積累在噴嘴40的下端部，之后，如此積累并殘留在噴嘴40的內部及端部的清洗劑降落到腔室底面或降落到基板上，從而可能發生工藝事故。為了防止所述工藝事故而設置有吸入閥30。

在關閉所述清洗劑供給閥20后，使得吸入閥30操作，并對殘留于噴嘴40內部的清洗劑進行吸入，從而防止清洗劑的降落。所述吸入閥(Suck Back Valve)30形成有用于收容被吸入至內部的清洗劑的空間，并且能夠以規定的壓力吸入。

但是，在所述吸入閥30產生不良的情況下，清洗劑降落到基板或者腔室底面，從而存在使得污染及工藝事故發生的問題。

此外，由于所述吸入閥30的內部結構復雜，因此存在產生故障的可能性大的問題。

作為示出如上所述的現有基板處理裝置的技術，公開了韓國登記專利第10-998849號。