[實用新型]一種可單片集成的負溫度系數(shù)補償振蕩器電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820691128.0
• 申請日: 2018-05-10
• 公開（公告）號: CN207926562U
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發(fā)明（設計）人: 張梁堂;蔡志猛;李志陽;楊靜;湯麗華
• 申請（專利權）人: 廈門華廈學院
• 主分類號: H03L1/02
• 分類號: H03L1/02
• 代理公司: 廈門仕誠聯(lián)合知識產權代理事務所(普通合伙) 35227
• 代理人: 樂珠秀

1.一種可單片集成的負溫度系數(shù)補償振蕩器電路，其特征在于：包括啟動電路、偏置電路、溫度補償電路和振蕩器電路；

所述啟動電路包括P型場效應管MP1、MP2，N型場效應管MN1、MN2和電容C1；所述P型場效應管MP1的柵極與P型場效應管MP2的柵極連接后接地，漏極和P型場效應管MP2的漏極連接電源，源極連接N型場效應管MN1的漏極；所述N型場效應管MN1的漏極與柵極兩端相連，柵極連接N型場效應管MN2的柵極，源極接地；所述N型場效應管MN2的漏極連接P型場效應管MP2的源極和電容C1的一端，源極連接電容C1另一端；

所述偏置電路包括P型場效應管MP3、MP4、MP5，三極管Q1、Q2和電阻R1、R2；所述P型場效應管MP3、MP4、MP5的漏極連接電源；所述P型場效應管MP3的柵極和源極兩端相連，柵極連接P型場效應管MP4的柵極，源極連接三極管Q1的集電極；所述P型場效應管MP4的源極連接在所述啟動電路中的N型場效應管MN2和電容C1之間，同時連接三極管Q1的基極和三極管Q2的集電極；所述P型場效應管MP5的柵極接于P型場效應管MP3和P型場效應管MP4之間，源極通過電阻R2接地；所述三極管Q1的發(fā)射極通過電阻R1接地；所述三極管Q2的基極接于三極管Q1和電阻R1之間，發(fā)射極接地；

所述溫度補償電路包括電阻R3、R4，修調電阻陣列Rtrim，PNP型三極管Q3，NPN型三極管Q4和P型場效應管MP6；所述電阻R3的一端和P型場效應管MP6的漏極接電源，所述電阻R3的另一端連接三極管Q3的發(fā)射極；所述P型場效應管MP6的柵極和源極兩端相連，源極連接三極管Q4的集電極；所述三極管Q4的發(fā)射極通過修調電阻陣列Rtrim接地，基極接于電阻R3和三極管Q3之間；所述三極管Q3的基極接于偏置電路中的P型場效應管MP5和電阻R2之間，集電極通過電阻R4接地；

所述振蕩器電路包括電容C2、P型場效應管MP7、MP8、MP9、MP10、MP11、MP12、MP13、MP14，N型場效應管MN3、MN4、MN5、MN6、MN7、MN8、MN9、MN10和振蕩器OSC；所述P型場效應管MP7、MP8、MP10、MP11、MP12、MP13、MP14的漏極接電源；所述P型場效應管MP7、MP8、MP10、MP11的柵極與溫度補償電路中的P型場效應管MP6的柵極連接；所述P型場效應管MP7的源極連接N型場效應管MN3的漏極；所述N型場效應管MN3的漏極和柵極兩端相連，柵極連接N型場效應管MN4的柵極，源極和N型場效應管MN4的源極連接，接地；所述N型場效應管MN4的漏極連接N型場效應管MN5的源極；所述N型場效應管MN5的漏極通過電容C2接地，柵極連接P型場效應管MP9的柵極；所述P型場效應管MP9的源極連接N型場效應管MN5的漏極，漏極連接P型場效應管MP8的源極；所述N型場效應管MN6、MN7、MN8、MN9、MN10的源極接地；所述N型場效應管MN6的柵極接于N型場效應管MN5和電容C2之間，漏極連接P型場效應管MP10的源極和N型場效應管MN7的柵極；所述N型場效應管MN7的漏極連接P型場效應管MP11的源極；所述N型場效應管MN8的柵極與P型場效應管MP12的柵極連接后接于N型場效應管MN7和P型場效應管MP11之間；所述N型場效應管MN8的漏極連接P型場效應管MP12的源極；所述N型場效應管MN9的柵極與P型場效應管MP13的柵極連接后接于N型場效應管MN8和P型場效應管MP12之間；所述N型場效應管MN9的漏極和P型場效應管MP13的源極連接后接于N型場效應管MN5和P型場效應管MP9之間；所述N型場效應管MN10的柵極和P型場效應管MP14的柵極連接后接于N型場效應管MN9和P型場效應管MP13之間；所述N型場效應管MN10的漏極和P型場效應管MP14的源極連接后接振蕩器OSC。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種可單片集成的負溫度系數(shù)補償振蕩器電路，其特征在于：所述P型場效應管MP1和MP2的溝道長度遠大于溝道寬度，為倒比管。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種可單片集成的負溫度系數(shù)補償振蕩器電路，其特征在于：所述偏置電路中的電阻R1、R2為相同類型電阻。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種可單片集成的負溫度系數(shù)補償振蕩器電路，其特征在于：所述修調電阻陣列Rtrim選用不同負溫度系數(shù)的電阻組合。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種可單片集成的負溫度系數(shù)補償振蕩器電路，其特征在于：所述振蕩器電路中的電容C2為PIP電容，其電容值具有正溫度特性，即隨著溫度的上升，電容值增大，一般其溫度系數(shù)為+30ppm/℃。