[實用新型]一種自供電的壓電式振動能量同步提取電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820687842.2
• 申請日: 2018-05-09
• 公開（公告）號: CN208257509U
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 夏銀水;陳志棟
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波大學(xué)
• 主分類號: H02J15/00
• 分類號: H02J15/00
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33226
• 代理人: 程天鵬

1.一種自供電的壓電式振動能量同步提取電路，其特征在于包括壓電元件、溫差發(fā)電片、第一儲能電容、熱電注入檢測控制電路、正極值檢測電路、負(fù)極值檢測電路、第一電感、第二電感、第一二極管、第二二極管、第一NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一NPN型三極管、第二NPN型三極管、第二儲能電容和負(fù)載電阻，所述的熱電注入檢測控制電路包括第二NMOS管、第三NMOS管、第一電容、第二電容、第三二極管和第四二極管，所述的溫差發(fā)電片的正極、所述的第一電感的一端及所述的第一儲能電容的正極相連，所述的溫差發(fā)電片的負(fù)極、所述的第一儲能電容的負(fù)極、所述的第一NMOS管的源極、所述的第一電容的一端、所述的第二NMOS管的源極、所述的第二電感的一端、所述的第二二極管的正極、所述的第四NMOS管的源極及所述的第五NMOS管的源極連接，所述的第一電感的另一端、所述的第一二極管的正極及所述的第一NMOS管的漏極連接，所述的第一NMOS管的柵極、所述的第一電容的另一端、所述的第三二極管的負(fù)極及所述的第二NMOS管的漏極連接，所述的第一二極管的負(fù)極、所述的第二NMOS管的柵極、所述的壓電元件的一端、所述的第二電容的一端、所述的正極值檢測電路的負(fù)端、所述的負(fù)極值檢測電路的正端、所述的第二NPN型三極管的集電極、所述的第四NMOS管的柵極及所述的第五NMOS管的漏極連接，所述的第三二極管的正極與所述的第三NMOS管的漏極連接，所述的第三NMOS管的源極、所述的第二電容的另一端及所述的第四二極管的負(fù)極連接，所述的第三NMOS管的柵極、所述的第四二極管的正極、所述的壓電元件的另一端、所述的第四NMOS管的漏極、所述的第五NMOS管的柵極、所述的正極值檢測電路的正端、所述的負(fù)極值檢測電路的負(fù)端及所述的第一NPN型三極管的集電極連接，所述的正極值檢測電路的控制端與所述的第一NPN型三極管的基極連接，所述的負(fù)極值檢測電路的控制端與所述的第二NPN型三極管的基極連接，所述的第二二極管的負(fù)極、所述的第二儲能電容的正極及所述的負(fù)載電阻的一端連接，所述的第一NPN型三極管的發(fā)射極、所述的第二NPN型三極管的發(fā)射極、所述的第二電感的另一端、所述的第二儲能電容的負(fù)極及所述的負(fù)載電阻的另一端均接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自供電的壓電式振動能量同步提取電路，其特征在于所述的正極值檢測電路包括第三電容、第五二極管和第一PNP型三極管，所述的負(fù)極值檢測電路包括第四電容、第六二極管和第二PNP型三極管，所述的第三電容的一端、所述的壓電元件的一端、所述的第六二極管的正極及所述的第二PNP型三極管的基極連接，所述的第三電容的另一端、所述的第五二極管的負(fù)極及所述的第一PNP型三極管的發(fā)射極連接，所述的第五二極管的正極、所述的第一PNP型三極管的基極、所述的第四電容的一端及所述的壓電元件的另一端連接，所述的第一PNP型三極管的集電極與所述的第一NPN型三極管的基極連接，所述的第四電容的另一端、所述的第六二極管的負(fù)極及所述的第二PNP型三極管的發(fā)射極連接，所述的第二PNP型三極管的集電極與所述的第二NPN型三極管的基極連接。