[實(shí)用新型]VDMOS功率器件芯片焊接層空洞補(bǔ)償結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820656924.0
• 申請(qǐng)日: 2018-05-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208045489U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周理明;王毅;趙成;韓亞;孫越;張孔欣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 揚(yáng)州市蘇為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32283
• 代理人: 周全;葛軍

1.VDMOS功率器件芯片焊接層空洞補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，包括基板，所述基板上設(shè)有芯片焊接區(qū)；其特征在于，所述芯片焊接區(qū)的中心和四角端分別設(shè)有金屬凸點(diǎn)組，所述金屬凸點(diǎn)組包括金屬中心凸點(diǎn)，所述金屬中心凸點(diǎn)的外側(cè)設(shè)有至少一個(gè)金屬凸點(diǎn)環(huán)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VDMOS功率器件芯片焊接層空洞補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬凸點(diǎn)環(huán)包括至少兩個(gè)，其從內(nèi)到外依次分別為第一金屬凸點(diǎn)環(huán)、第二金屬凸點(diǎn)環(huán)……第n金屬凸點(diǎn)環(huán)；n≥3，n為整數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的VDMOS功率器件芯片焊接層空洞補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬凸點(diǎn)環(huán)包含四個(gè)金屬凸點(diǎn)，對(duì)稱分布在金屬中心凸點(diǎn)的四周，所述第二金屬凸點(diǎn)環(huán)包含八個(gè)金屬凸點(diǎn)，對(duì)稱分布在第一金屬凸點(diǎn)環(huán)四周……所述第n金屬凸點(diǎn)環(huán)包含2ⁿ⁺¹個(gè)金屬凸點(diǎn)，對(duì)稱分布在第n+1金屬凸點(diǎn)環(huán)四周。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的VDMOS功率器件芯片焊接層空洞補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬中心凸點(diǎn)、第一金屬凸點(diǎn)環(huán)、第二金屬凸點(diǎn)環(huán)……第n金屬凸點(diǎn)環(huán)兩兩之間的間隙均相等。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的VDMOS功率器件芯片焊接層空洞補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬中心凸點(diǎn)、第一金屬凸點(diǎn)環(huán)中的金屬凸點(diǎn)、第二金屬凸點(diǎn)環(huán)中的金屬凸點(diǎn)……第n金屬凸點(diǎn)環(huán)中的金屬凸點(diǎn)均為半球體，其通過(guò)半球體的平面貼合基板。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的VDMOS功率器件芯片焊接層空洞補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬中心凸點(diǎn)、第一金屬凸點(diǎn)環(huán)中的金屬凸點(diǎn)、第二金屬凸點(diǎn)環(huán)中的金屬凸點(diǎn)……第n金屬凸點(diǎn)環(huán)中的金屬凸點(diǎn)的半球體直徑逐漸遞減。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的VDMOS功率器件芯片焊接層空洞補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬中心凸點(diǎn)、第一金屬凸點(diǎn)環(huán)中的金屬凸點(diǎn)、第二金屬凸點(diǎn)環(huán)中的金屬凸點(diǎn)……第n金屬凸點(diǎn)環(huán)中的金屬凸點(diǎn)的材料與基板材料相同，其材料為銅或銅合金。