[實(shí)用新型]一種微流控芯片及其控制系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820569382.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN208302807U | 公開(公告)日: | 2019-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周國(guó)富;路亞旭;羅智杰;謝淑婷;羅健坤;林偉杰;水玲玲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華南師范大學(xué);深圳市國(guó)華光電科技有限公司;深圳市國(guó)華光電研究院 |
| 主分類號(hào): | B01L3/00 | 分類號(hào): | B01L3/00 |
| 代理公司: | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人: | 唐致明;洪銘福 |
| 地址: | 510006 廣東省廣州市番禺區(qū)外*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微流控芯片 液滴 旁路通道 本實(shí)用新型 控制系統(tǒng) 通孔電極 上極板 通孔 電容測(cè)量單元 微電極陣列 反饋回路 工作效率 控制流程 快速控制 下極板 主通道 正對(duì) 貫穿 靈活 移動(dòng) 出口 | ||
1.一種微流控芯片,其特征在于,包括上極板、下極板和設(shè)置在所述上極板、下極板之間的微液滴,所述上極板包括由下而上依次設(shè)置的上基板、零電極層和第一疏水層;所述下極板包括由下而上依次設(shè)置的下基板、微電極陣列、電介層以及第二疏水層;
所述上極板還設(shè)置有至少兩個(gè)通孔用做液滴的入口和/或液滴的出口;
所述微電極陣列包括至少兩個(gè)通孔電極、主通道區(qū)、至少一個(gè)混合旁路通道區(qū)和/或至少一個(gè)分離旁路通道區(qū)和/或至少一個(gè)移動(dòng)旁路通道區(qū);所述混合旁路通道區(qū)的電極用于實(shí)現(xiàn)微液滴的混合操作,所述分離旁路通道區(qū)的電極用于實(shí)現(xiàn)微液滴的分離操作,所述移動(dòng)旁路通道區(qū)的電極用于實(shí)現(xiàn)微液滴的移動(dòng)操作;所述通孔電極、混合旁路通道區(qū)、分離旁路通道區(qū)、移動(dòng)旁路通道區(qū)設(shè)置在主通道區(qū)的周圍,所述通孔貫穿上極板并正對(duì)著通孔電極的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控芯片,其特征在于,所述微電極陣列的電極之間的間距范圍為0.01mm-0.5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控芯片,其特征在于,所述微電極陣列的電極的形狀為半月形或正方形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的微流控芯片,其特征在于,所述通孔電極、混合旁路通道區(qū)、分離旁路通道區(qū)、移動(dòng)旁路通道區(qū)分別與主通道區(qū)垂直。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的微流控芯片,其特征在于,所述混合旁路通道區(qū)、分離旁路通道區(qū)、移動(dòng)旁路通道區(qū)的電極的大小小于通孔電極的大小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的微流控芯片,其特征在于,所述分離旁路通道區(qū)和混合旁路通道區(qū)的電極數(shù)目為至少5個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的微流控芯片,其特征在于,所述移動(dòng)旁路通道區(qū)的電極數(shù)目為至少3個(gè)。
8.一種微流控芯片的控制系統(tǒng),其特征在于,包括主控單元、電極驅(qū)動(dòng)單元、電容測(cè)量單元和權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的微流控芯片;
所述主控單元分別與電極驅(qū)動(dòng)單元、電容測(cè)量單元連接,所述電極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端與微流控芯片的微電極陣列的輸入端連接,所述電容測(cè)量單元與微流控芯片的微電極陣列連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微流控芯片的控制系統(tǒng),其特征在于,所述電極驅(qū)動(dòng)單元包括SSD1627芯片。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的微流控芯片的控制系統(tǒng),其特征在于,所述電容測(cè)量單元包括Pcap01電容測(cè)量芯片。
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