[實(shí)用新型]發(fā)光二極管封裝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820567862.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN208111475U | 公開(公告)日: | 2018-11-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏志宏;吳明昌;吳健旸;黃冠堯;張柏寧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 研晶光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/48 | 分類號(hào): | H01L33/48;H01L33/64;H01L25/075 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;許志影 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣新北市*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 絕緣材 銅基板 發(fā)光二極管晶片 導(dǎo)熱件 鋁杯 發(fā)光二極管封裝 透光件 配置 本實(shí)用新型 多條導(dǎo)線 發(fā)光波段 上開口 電極 跨接 分隔 密封 貫穿 | ||
本實(shí)用新型有關(guān)于一種發(fā)光二極管封裝,包含一第一絕緣材、一第二絕緣材、一銅基板、一導(dǎo)熱件、一發(fā)光二極管晶片、多條導(dǎo)線、一鋁杯及一透光件;第一絕緣材及第二絕緣材分別自銅基板的底部貫穿頂部,以將銅基板分隔為獨(dú)立的一第一部分、一第二部分及一第三部分,第一絕緣材及第二絕緣材由第二部分間隔;導(dǎo)熱件配置于銅基板上;發(fā)光二極管晶片配置于導(dǎo)熱件上,其中發(fā)光二極管晶片的發(fā)光波段為200至330納米;導(dǎo)線跨接于銅基板及發(fā)光二極管晶片的電極之間,鋁杯配置于銅基板上并圍繞導(dǎo)熱件、發(fā)光二極管晶片及導(dǎo)線,透光件密封鋁杯的上開口。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型是關(guān)于發(fā)光二極管封裝,且特別是有關(guān)供產(chǎn)生不可見的紫外光線的發(fā)光二極管封裝。
背景技術(shù)
按,發(fā)光二極管的應(yīng)用日趨多元化,除了各式照明市場、顯示產(chǎn)品、交通號(hào)志外,還可用于微生物消毒殺菌(例如日常生活凈化水質(zhì)設(shè)備產(chǎn)品的滅菌)。
一般來說,應(yīng)用于微生物消毒殺菌的發(fā)光二極管主要供產(chǎn)生紫外光;然而,其現(xiàn)有的封裝結(jié)構(gòu)的元件仍存在有安定性及可靠度問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
依據(jù)本實(shí)用新型提供一種發(fā)光二極管封裝,包含一第一絕緣材、一第二絕緣材、一銅基板、一導(dǎo)熱件、一發(fā)光二極管晶片、多條導(dǎo)線、一鋁杯及一透光件;第一絕緣材及第二絕緣材分別自銅基板的底部貫穿頂部,以將銅基板分隔為獨(dú)立的一第一部分、一第二部分及一第三部分,第一絕緣材及第二絕緣材由第二部分間隔;導(dǎo)熱件配置于銅基板上;發(fā)光二極管晶片配置于導(dǎo)熱件上,其中發(fā)光二極管晶片的發(fā)光波段為200至330納米;導(dǎo)線跨接于銅基板及發(fā)光二極管晶片的電極之間,鋁杯配置于銅基板上并圍繞發(fā)光二極管晶片及該等導(dǎo)線,透光件密封鋁杯的上開口。
根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式,導(dǎo)熱件可配置于銅基板的第二部分,導(dǎo)線中的一者可跨接于銅基板的第一部分和發(fā)光二極管晶片的一正電極之間,另一導(dǎo)線可跨接于銅基板的第三部分和發(fā)光二極管晶片的一負(fù)電極之間。
根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式,透光件可為一菲涅耳透鏡。
根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式,透光件可包含一內(nèi)表面及一外表面,內(nèi)表面為一平面或曲面,外表面鄰接于內(nèi)表面并為一曲面。
根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式,鋁杯的一內(nèi)徑可隨著遠(yuǎn)離銅基板而逐漸增加或不變(意即垂直于銅基板)。
根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式,發(fā)光二極管封裝可更包含一導(dǎo)熱黏著件及一黏著件,導(dǎo)熱黏著件位于銅基板和導(dǎo)熱件之間以結(jié)合銅基板及導(dǎo)熱件,黏著件位于銅基板及鋁杯之間以結(jié)合銅基板及鋁杯。
根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式,由發(fā)光二極管封裝的側(cè)剖面觀之,其整體高度可大于250微米,并可大于300微米。
根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式,由發(fā)光二極管封裝的側(cè)剖面觀之,發(fā)光二極管晶片與透光件之間可存在一空氣間隔。
根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式,發(fā)光二極管晶片的發(fā)光波段可為265至275納米。
附圖說明
圖1繪示依照本實(shí)用新型第一實(shí)施方式的發(fā)光二極管封裝的剖視圖;
圖2繪示依照本實(shí)用新型第二實(shí)施方式的發(fā)光二極管封裝的剖視圖;
圖3繪示依照本實(shí)用新型第三實(shí)施方式的發(fā)光二極管封裝的剖視圖;
圖4繪示依照本實(shí)用新型第四實(shí)施方式的發(fā)光二極管封裝的剖視圖;以及
圖5繪示依照本實(shí)用新型第五實(shí)施方式的發(fā)光二極管封裝的剖視圖。
其中,附圖標(biāo)記:
10、10a、10b、10c、10d…發(fā)光二極管封裝
100…銅基板
102…第一部分
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