[實用新型]一種帶環形槽頂針帽的頂針裝置有效
| 申請號: | 201820567767.6 | 申請日: | 2018-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN207993829U | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發明(設計)人: | 王河昌 | 申請(專利權)人: | 無錫凱旺電子設備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 張歡勇 |
| 地址: | 214000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 環形槽 頂針帽 頂針孔 吸氣孔 頂針 頂針裝置 本實用新型 頂針桿 芯片分離裝置 等間距設置 加工方便 吸附穩定 芯片分離 真空吸附 同軸線 藍膜 芯片 加工 | ||
本實用新型涉及一種芯片分離裝置,尤其是一種帶環形槽頂針帽的頂針裝置,包括頂針、頂針桿和頂針帽;所述頂針帽的頂部設有頂針孔和環形槽,頂針孔位于頂針帽的中心,且位于環形槽內,頂針孔與環形槽同軸線,環形槽的底部設有吸氣孔,所述吸氣孔設有多個,吸氣孔繞環形槽的軸線等間距設置;所述頂針安裝在頂針桿上,頂針活動插在頂針孔內。本實用新型提供的一種帶環形槽頂針帽的頂針裝置能有效增大真空吸附面積、減少吸氣孔數量、藍膜吸附穩定、芯片分離效果好、芯片損耗少、加工方便、加工成本低。
技術領域
本實用新型涉及一種芯片分離裝置,尤其是一種帶環形槽頂針帽的頂針裝置。
背景技術
集成電路制作在以硅為主要材料的晶圓上,因其形狀為圓形,故稱為晶圓。集成電路也就是我們常說的芯片,芯片在半導體后道加工前,必須將其磨薄、劃片。首先必須將晶圓粘接在藍膜或UV膜上,然后烘烤、劃片、清洗、烘烤,再進行后道封裝的第一站,也就是粘片工序。粘片是將藍膜上已切割好的芯片依次拾取,傳送并放置在框架或基板上,使芯片與框架或基板粘結牢固。
在粘片過程中,承載晶圓的就是晶圓臺,它是將放入的藍膜進行擴張拉伸,在這個過程中藍膜正面粘接的晶圓同步被拉伸,從而使晶圓上的最小單元芯片相互之間間距增加,這樣各芯片之間成為獨立的個體。因整個藍膜背面為懸空,所以在拾取芯片時必須在懸空的背面建立一個平臺,這個平臺就是頂針帽。
現有的頂針帽的中心設有一個頂針,然后繞頂針帽的中心等間距設有多個吸氣孔,吸氣孔吸附藍膜,為了保證藍膜能夠穩定的吸附,需要設置較多的吸氣孔,吸氣孔的數量多了才能保證吸附的真空面積,但是由于頂針帽的面積有限,以及工藝的影響,吸氣孔無法設置較多,且數量較多的吸氣孔加工成本高?,F有的頂針帽在使用過程中還容易發生吸附不牢固造成芯片相互碰撞,損壞芯片,芯片的損耗較大,同時頂針也容易損傷芯片。
實用新型內容
為解決上述問題,本實用新型提供一種能有效增大真空吸附面積、減少吸氣孔數量、藍膜吸附穩定、芯片分離效果好、芯片損耗少、加工方便、加工成本低的一種帶環形槽頂針帽的頂針裝置,具體技術方案為:
一種帶環形槽頂針帽的頂針裝置,包括頂針、頂針桿和頂針帽;所述頂針帽的頂部設有頂針孔和環形槽,頂針孔位于頂針帽的中心,且位于環形槽內,頂針孔與環形槽同軸線,環形槽的底部設有吸氣孔,所述吸氣孔設有多個,吸氣孔繞環形槽的軸線等間距設置;所述頂針安裝在頂針桿上,頂針活動插在頂針孔內。
通過采用上述技術方案,環形槽增加了真空的有效面積,真空面積增幅超過50%,使得藍膜吸附穩定性大幅增加,進而有效保證了芯片的抓取,避免藍膜吸附失敗造成芯片相互碰撞,有效保護了芯片,減低芯片吸取過程中的損耗。
頂針刺破藍膜是為了使空氣能夠進入到藍膜與芯片之間,減小藍膜與芯片之間的吸力,方便藍膜與芯片分離,避免芯片與藍膜之間形成真空造成分離困難。
環形槽增加了真空的有效面積,所以孔的數量可以適當減少,降低了加工的工時和難度,降低了加工成本。
優選的,所述環形槽不少于兩個,且環形槽同軸線設置,環形槽的底部均設有多個吸氣孔,吸氣孔繞環形槽的軸線等間距設置。
通過采用上述技術方案,兩個以上的環形槽進一步增加真空面積,能有效提高藍膜的吸附力,使藍膜的吸附穩定。
優選的,所述頂針不少于兩個,頂針繞頂針帽的軸線等間距設置。
通過采用上述技術方案,兩個以上的頂針避免將芯片頂斜,使芯片的位置穩定,且芯片的受力更加均勻,避免損壞芯片。頂針的數量還根據芯片的大小設置,使頂針數量與芯片相匹配,能夠很好的分離藍膜。
優選的,所述頂針設有四個,頂針繞頂針帽中心的對稱設置。
通過采用上述技術方案,四個頂針對稱設置,分布均勻,芯片受力均勻。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





