[實用新型]一種金剛線硅片預制絨設備有效
| 申請號: | 201820511987.7 | 申請日: | 2018-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN207938620U | 公開(公告)日: | 2018-10-02 |
| 發明(設計)人: | 黃鈞林;范維濤;龔小文;蘇楊楊;孫晨財;張鑫;彭美平 | 申請(專利權)人: | 維科誠(蘇州)光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236;H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 汪青;周敏 |
| 地址: | 215121 江蘇省蘇州市工*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 儲液桶 金剛線 硅片 預制 換熱器 溫度控制系統 制絨槽 設備溫度控制 加熱器 本實用新型 溫度感應器 加液組件 水洗二槽 水洗一槽 維持穩定 依次排列 烘干槽 能力強 酸洗槽 中藥液 冰機 儲存 | ||
本實用新型涉及一種金剛線硅片預制絨設備,包括依次排列的制絨槽、水洗一槽、酸洗槽、水洗二槽、烘干槽,所述的金剛線硅片預制絨設備還包括用于控制所述的制絨槽中藥液溫度的溫度控制系統、用于儲存藥液的儲液桶,所述溫度控制系統包括設置在所述的儲液桶上的溫度感應器、設置在所述的儲液桶上的加熱器、與所述的儲液桶相連通的換熱器、與所述的換熱器相連通且用于降低所述的換熱器溫度的冰機;具有加液組件的金剛線硅片預制絨設備溫度控制均勻,速度快,效果好,維持穩定能力強。
技術領域
本實用新型涉及一種金剛線硅片預制絨設備。
背景技術
現有技術中,硅片的加工過程,用氫氧化鈉溶液來制作絨面,其原理是氫氧化鈉對硅片表面腐蝕速度不同,從而導致硅片表面形成凹凸不平的狀態。絨面能夠使光線在硅片的表面發生多次反射,增加光線射入硅片的幾率,硅片相應得到更多的能量。但是堿腐蝕硅片會產生大量熱量,急速變化的溫度不利于硅片的表面制絨,因此溫度控制成為硅系列太陽能電池生產過程中的關鍵工藝。
現有技術的一種鏈式晶硅制絨設備(CN 205911321 U),包括沿所述晶硅的操作方向依次間隔排列的制絨槽、清洗槽、后處理槽、烘干槽以及用于傳動花籃的鏈式傳動系統,所述花籃用于裝載硅片,所述的鏈式傳動系統包括所述制絨槽、清洗槽、后處理槽和烘干槽中每個槽體均設置的獨立的傳動裝置。此設備還包括位于制絨工藝槽里的溫度控制裝置,用于控制制絨液的溫度,該裝置的控制效果差,穩定性不強,對于藥液溫度變化響應慢,無法實時調節藥液溫度以保持溫度的恒定,對于工藝效果影響極大。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是提供一種溫度控制均勻、速度快、效果好且維持穩定性強的溫度控制系統的金剛線硅片預制絨設備。
為了解決上述技術問題,本實用新型采用的技術方案是:
一種金剛線硅片預制絨設備,包括依次排列的制絨槽、水洗一槽、酸洗槽、水洗二槽、烘干槽,所述的金剛線硅片預制絨設備還包括用于控制藥液溫度的溫度控制系統、用于儲存藥液的儲液桶,所述溫度控制系統包括設置在所述的儲液桶上且用來檢測所述的儲液桶內藥液溫度的溫度感應器、設置在所述的儲液桶上且用來對所述的儲液桶內的藥液進行加熱的加熱器、與所述的儲液桶相連通的換熱器、與所述的換熱器相連通且用于降低所述的換熱器溫度的冰機。
具體地,所述的換熱器包括能夠供藥液通過的第一容置空間、與所述的第一容置空間相鄰設置的且能夠供所述的冰機中的液體通過從而給所述的第一容置空間內的藥液降溫的第二容置空間。
優選地,所述的第二容置空間位于所述的第一容置空間的外周。
進一步優選地,所述的溫度控制系統還包括設置在所述的冰機與所述的換熱器之間且能夠供液體從所述的冰機流向所述的第二容置空間內的第一進液管、設置在所述的冰機與所述的換熱器之間且能夠供液體從所述的第二容置空間流向所述的冰機的第一出液管。
進一步優選地,所述的溫度控制系統還包括設置在所述的儲液桶與所述的第一容置空間之間且能夠供藥液從所述的儲液桶流向所述的換熱器的第二進液管、設置在所述的儲液桶與所述的第一容置空間之間且能夠供藥液從所述的第一容置空間流向所述的儲液桶的第二出液管。
具體地,所述的加熱器包括加熱管。
優選地,所述的加熱管有一根或者多根。
進一步優選地,所述的加熱器選用耐酸堿、耐高溫的材料。
本實用新型的范圍,并不限于上述技術特征的特定組合而成的技術方案,同時也應涵蓋由上述技術特征或其等同特征進行任意組合而形成的其它技術方案。例如上述特征與本申請中公開的(但不限于)具有類似功能的技術特征進行互相替換而形成的技術方案等。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





