[實用新型]一種單層觸摸屏的導電層結構

有效

• 申請號: 201820487850.2
• 申請日: 2018-04-08
• 公開（公告）號: CN207965851U
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 丁歡
• 申請（專利權）人: 深圳市興雋光電科技有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;G06F3/044
• 代理公司: 深圳市華騰知識產權代理有限公司 44370
• 代理人: 肖迪

本實用新型屬于電子領域，公開了一種單層觸摸屏的導電層結構，包括單元電極，所述單元電極包括第一驅動電極、第二驅動電極及感應電極，所述第一驅動電極為E字型結構，且所屬第一驅動電極的中部突出部分設置有自端面向左凹陷的凹陷結構，所述第一驅動電極與所述第二驅動電極呈鏡面對稱設置，所述感應電極與所述第一驅動電極的右側及所述第二驅動電極的左側耦合，本實用新型實現了一種對稱、耦合性好、相對噪聲較小、互容面積大且盲區足夠小的橫向縱向分布均勻的適用于單層觸摸屏的圖案結構。

技術領域

本實用新型屬于電子領域，更具體地，涉及一種單層觸摸屏的導電層結構。

背景技術

隨著觸摸屏的不斷發展，電容式觸摸屏在終端設備領域中逐漸被廣泛地應用。

近年來，為了用戶能用最實惠的價格體驗到更好的多點觸摸效果，互容觸摸屏一直趨向低成本、優良效果的方向發展，其中單層（single layer）觸摸屏的導電層結構被廣泛使用。隨著電容屏的廣泛應用及其市場潛力的開發，電容屏技術越來越受到大家的關注和肯定。由于觸摸屏上氧化銦錫（Indium Tin Oxide，簡稱為ITO）圖案端電阻值愈小, 電容感應的訊號則愈強，且集成電路（Integrated Circuit，簡稱為IC）的處理反應時間則愈短,因此，質量較佳的電容式觸控的解決方案取決于觸摸集成電路（Touch IC）的感測及圖案設計，因此研發圖案就顯得尤為重要。

普通的單層圖案具有工藝步驟少，價格低廉等優點，但缺點在于布線復雜，綁定區走線密集。

雖然雙層氧化銦錫（Double Indium Tin Oxide，簡稱為DITO）相比單層氧化銦錫（SingleIndium Tin Oxide，簡稱為SITO）在精確度、靈敏度和響應時間方面更具有優勢，但DITO結構是有專利限制的，一般電容屏（Capacitive Touch Panel，簡稱為CTP）廠商目前只有SITO結構。于是，單層觸摸屏的導電層圖形發明和優化成為了該行業的一個課題。什么樣的圖案才能使單層的結構表現出趨于雙層高成本傳統圖形的效果，怎樣設計圖案才能使線性度更優、互容更均勻、噪聲更小，這是目前研究的熱點問題。

目前互電容圖形的優點是真實多點、速度快，缺點是工藝復雜、功耗大、成本高。

鑒于上述問題，需要研發出更好的圖形。

實用新型內容

針對現有技術的以上缺陷或改進需求，本實用新型提供了一種單層觸摸屏的導電層結構，其目的在于實現一種對稱、耦合性好、相對噪聲較小、互容面積大且盲區足夠小的橫向縱向分布均勻的適用于單層觸摸屏的圖案，由此解決目前單層觸摸屏導電層圖案結構復雜、成本高的技術問題。

為實現上述目的，按照本實用新型的一個方面，提供了一種單層觸摸屏的導電層結構，包括單元電極，所述單元電極包括第一驅動電極、第二驅動電極及感應電極，所述第一驅動電極為E字型結構，且所述第一驅動電極的中部突出部分設置為自端面向左凹陷的凹陷結構，所述第一驅動電極與所述第二驅動電極呈鏡面對稱設置，所述感應電極與所述第一驅動電極的右側及所述第二驅動電極的左側耦合。

優選地，所述單元電極包括多個，所述多個單元電極呈陣列分布，且每一列的單元電極相互連通。

優選地，所述第一驅動電極的中部突出部分設置的凹陷結構的數量為1個~5個。

作為進一步優選地，所述第一驅動電極的中部突出部分設置的凹陷結構的數量為1個，設置于所述第一驅動電極的右側及所述第二驅動電極的左側之間的感應電極呈“王”字型結構。

優選地，所述第一驅動電極、第二驅動電極與所述感應電極之間存在的盲區的寬度范圍為0~2.5mm。

優選地，所述導電層結構可用于單層多點銀漿跳線。

優選地，所述導電層結構可用于單層Film、Glass、OGS、G1F或Oncell結構。