[實用新型]緩解互連結構應力的半導體結構

有效

• 申請號: 201820479826.4
• 申請日: 2018-04-04
• 公開（公告）號: CN208028047U
• 公開（公告）日: 2018-10-30
• 發明（設計）人: 馬力;李琳瑜
• 申請（專利權）人: 華天科技（昆山）電子有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31
• 代理公司: 昆山中際國創知識產權代理有限公司 32311
• 代理人: 段新穎

1.一種緩解互連結構應力的半導體結構，其特征在于，包括半導體襯底，所述半導體襯底上具有介質層，所述介質層上形成有厚度大于10um的材質為銅或鋁的金屬線路，所述金屬線路上表面覆蓋有金屬包覆層,所述金屬線路與所述介質層之間設有應力緩解層，所述應力緩解層的邊緣超出所述金屬線路在其上的正投影0.5μm至6μm。

2.根據權利要求1所述的緩解互連結構應力的半導體結構，其特征在于，所述金屬線路外露的表面上均設有金屬包覆層。

3.根據權利要求1所述的緩解互連結構應力的半導體結構，其特征在于，所述應力緩解層由至少一層鈦金屬層或鈦鎢合金層或氮化鈦層組成。

4.根據權利要求1所述的緩解互連結構應力的半導體結構，其特征在于，所述應力緩解層的邊緣超出所述金屬線路在其上的正投影1μm至2μm。

5.根據權利要求2所述的緩解互連結構應力的半導體結構，其特征在于，所述的金屬包覆層材質為鎳金或鎳鈀金，所述金屬包覆層的包覆厚度范圍為0.2μm至3μm。

6.根據權利要求1所述的緩解互連結構應力的半導體結構，其特征在于，所述介質層的材質為氧化硅或氮化硅。

7.根據權利要求1所述的緩解互連結構應力的半導體結構，其特征在于，所述應力緩解層上還設有種子層,所述種子層材料與所述金屬線路相同，所述種子層投影面積與所述應力緩解層或所述金屬線路投影面積相同。