[實(shí)用新型]一種新型自主可控16MBIT抗輻照芯片封裝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820455631.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN208045475U | 公開(公告)日: | 2018-11-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王岳;郭虎;竇祥峰;鐘麗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京炎黃國(guó)芯科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/31 | 分類號(hào): | H01L23/31;H01L23/12;H01L23/36 |
| 代理公司: | 北京智沃律師事務(wù)所 11620 | 代理人: | 王繼勝 |
| 地址: | 100096 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鋁柱 芯片 引腳組 粘合層 銅柱 本實(shí)用新型 環(huán)氧樹脂層 輻照 凹槽內(nèi)部 芯片封裝 可控 底部中心位置 底部連接 電性連接 基座頂部 金屬焊盤 內(nèi)頂部 散熱性 粘合 包覆 穿插 外圍 | ||
本實(shí)用新型公開了一種新型自主可控16MBIT抗輻照芯片封裝,主要包括芯片、基座、銅柱引腳組和環(huán)氧樹脂層,基座頂部設(shè)置有凹槽,且凹槽內(nèi)頂部設(shè)置有粘合層和鋁柱,且鋁柱為一對(duì),粘合層設(shè)置在兩鋁柱之間,芯片設(shè)置在凹槽內(nèi)部,且芯片底部中心位置與粘合層粘合,芯片底部?jī)啥朔謩e與鋁柱電性連接,基座底部?jī)啥司O(shè)置有銅柱引腳組,且銅柱引腳組頂部穿插基座并通過金屬焊盤與鋁柱底部連接,環(huán)氧樹脂層包覆在基座外圍及凹槽內(nèi)部,本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,安裝便捷,能夠有效確保芯片的穩(wěn)定性,同時(shí)提高散熱性。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種新型自主可控16MBIT抗輻照芯片封裝。
背景技術(shù)
目前,自主可控16MBIT抗輻照芯片采用了全耗盡SOI工藝,具有無閂鎖、高效率、低能耗、集成度高和耐高溫等特點(diǎn),同時(shí)利用抗輻照加固技術(shù),能夠有效提高電路抗輻照和版圖抗輻照設(shè)計(jì)加固,確保應(yīng)用與各種領(lǐng)域。
在CN106328604A記載了一種芯片封裝,該技術(shù)方案將芯片包裹在介電材料中,以解決薄的芯片的彎曲、翹起的問題,但是介電材料是良好的熱絕緣體,該技術(shù)方案僅僅是通過伸出芯片封裝的銅柱散熱,因此該技術(shù)方案存在的問題是散熱效果不好。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種新型自主可控16MBIT抗輻照芯片封裝,以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:一種新型自主可控 16MBIT抗輻照芯片封裝,包括芯片、基座、銅柱引腳組和環(huán)氧樹脂層,所述基座頂部設(shè)置有凹槽,且凹槽內(nèi)頂部設(shè)置有粘合層和鋁柱,所述鋁柱為一對(duì),且粘合層設(shè)置在兩鋁柱之間,所述芯片設(shè)置在凹槽內(nèi)部,且芯片底部中心位置與粘合層粘合,所述芯片底部?jī)啥朔謩e與鋁柱電性連接,所述基座底部?jī)啥司O(shè)置有銅柱引腳組,且銅柱引腳組頂部穿插基座并通過金屬焊盤與鋁柱底部連接,所述環(huán)氧樹脂層包覆在基座外圍及凹槽內(nèi)部。
優(yōu)選的,所述銅柱引腳組底部設(shè)置有金屬層,且兩銅柱引腳組之間設(shè)置有絕緣導(dǎo)熱層,所述絕緣導(dǎo)熱層高度小于銅柱引腳組高度。
優(yōu)選的,所述環(huán)氧樹脂層高度高于所述基座頂部高度。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,安裝便捷,能夠有效確保芯片的穩(wěn)定性,同時(shí)提高散熱性;其中,環(huán)氧樹脂層高度高于所述基座頂部高度,是為了能夠有效確保對(duì)芯片的保護(hù),確保芯片的安全性;此外,通過裸露在外的銅柱引腳組,能夠便于芯片工作時(shí)快速導(dǎo)熱。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
請(qǐng)參閱圖1,本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案:一種新型自主可控16MBIT 抗輻照芯片封裝,包括芯片1、基座2、銅柱引腳組3和環(huán)氧樹脂層4,所述基座2頂部設(shè)置有凹槽,且凹槽內(nèi)頂部設(shè)置有粘合層5和鋁柱6,所述鋁柱6 為一對(duì),且粘合層5設(shè)置在兩鋁柱6之間,所述芯片1設(shè)置在凹槽內(nèi)部,且芯片1底部中心位置與粘合層5粘合,所述芯片1底部?jī)啥朔謩e與鋁柱6電性連接,所述基座2底部?jī)啥司O(shè)置有銅柱引腳組3,且銅柱引腳組3頂部穿插基座2并通過金屬焊盤7與鋁柱6底部連接,所述環(huán)氧樹脂層4包覆在基座2外圍及凹槽內(nèi)部;環(huán)氧樹脂層4高度高于所述基座2頂部高度;是為了能夠有效確保對(duì)芯片的保護(hù),確保芯片的安全防護(hù)性。
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