[實(shí)用新型]材料吸氣放氣率測(cè)試裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820453828.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN208092000U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金炯;楊林;姜瓊 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 杭州賽威斯真空技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01N33/00 | 分類(lèi)號(hào): | G01N33/00 |
| 代理公司: | 杭州天欣專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 33209 | 代理人: | 陳紅 |
| 地址: | 310052 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 吸氣 放氣 測(cè)試系統(tǒng) 性能測(cè)試 一端連接 送樣桿 測(cè)試裝置 導(dǎo)管選擇 放氣率 分子泵 性能測(cè)試系統(tǒng) 交叉設(shè)置 集成度 進(jìn)氣管 微漏 申請(qǐng) 測(cè)量 | ||
本申請(qǐng)公開(kāi)了.一種材料吸氣放氣率測(cè)試裝置,包括設(shè)置在工作面上的吸氣測(cè)試系統(tǒng)和放氣測(cè)試系統(tǒng)、進(jìn)出樣室和進(jìn)出樣分子泵,進(jìn)出樣室連接進(jìn)出樣分子泵,其特征在于:吸氣測(cè)試系統(tǒng)和放氣測(cè)試系統(tǒng)交叉設(shè)置,交叉點(diǎn)為進(jìn)出樣室,吸氣性能測(cè)試系統(tǒng)包括吸氣送樣桿、吸氣性能測(cè)試室、第一流導(dǎo)管選擇閥和進(jìn)氣管微漏閥,進(jìn)出樣室一端連接吸氣送樣桿,進(jìn)出樣室的另一端連接吸氣性能測(cè)試室,放氣測(cè)試系統(tǒng)包括放氣送樣桿、放氣性能測(cè)試室和第二流導(dǎo)管選擇閥,進(jìn)出樣室的一端連接放氣送樣桿,進(jìn)出樣室的另一端連接放氣性能測(cè)試室,本申請(qǐng)具有以下特點(diǎn):精確度高,測(cè)量方便,集成度高。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及一種測(cè)試裝置,尤其是一種能測(cè)試材料的殘余氣壓和吸氣性能的測(cè)試裝置。
背景技術(shù)
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS),也叫做微電子機(jī)械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機(jī)械等,指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置,微機(jī)電系統(tǒng)是集微傳感器、微執(zhí)行器、微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微電源微能源、信號(hào)處理和控制電路、高性能電子集成器件、接口、通信等于一體的微型器件或系統(tǒng)。
因此MEMS芯片性能有一定的要求,MEMS芯片是一種抽真空的元件,在使用的過(guò)程中,密封材料會(huì)有放氣和滲氣的現(xiàn)象,會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部的氣壓上漲,而導(dǎo)致芯片的性能下降,MEMS芯片作為消費(fèi)級(jí)的元件,需要保證芯片的性能在3至5年,所以需要測(cè)試3至5年內(nèi)芯片的真空度,而MEMS的內(nèi)部無(wú)壓力傳感器,無(wú)法測(cè)量。
實(shí)用新型內(nèi)容
本申請(qǐng)解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,而提供一種精確度高,測(cè)量方便的材料吸氣放氣率測(cè)試裝置。
本申請(qǐng)解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案包括:一種材料吸氣放氣率測(cè)試裝置,包括設(shè)置在工作面上的吸氣測(cè)試系統(tǒng)和放氣測(cè)試系統(tǒng)、進(jìn)出樣室和進(jìn)出樣分子泵,所述的進(jìn)出樣室連接所述的進(jìn)出樣分子泵,其特征在于:所述的吸氣測(cè)試系統(tǒng)和放氣測(cè)試系統(tǒng)交叉設(shè)置,交叉點(diǎn)為進(jìn)出樣室,所述的吸氣性能測(cè)試系統(tǒng)包括吸氣送樣桿、吸氣性能測(cè)試室、第一流導(dǎo)管選擇閥和進(jìn)氣管微漏閥,所述的進(jìn)出樣室一端連接吸氣送樣桿,所述的進(jìn)出樣室的另一端連接吸氣性能測(cè)試室,所述的放氣測(cè)試系統(tǒng)包括放氣送樣桿、放氣性能測(cè)試室和第二流導(dǎo)管選擇閥,進(jìn)出樣室的一端連接放氣送樣桿,進(jìn)出樣室的另一端連接放氣性能測(cè)試室,還設(shè)置有第一管道、第二管道和第三管道,所述的第一管道和第二管道分別連接吸氣性能測(cè)試室,所述的第三管道連接放氣性能測(cè)試室,在第一管道和第三管道之間設(shè)置有第二流導(dǎo)管選擇閥,在第二管道和第一管道之間設(shè)置有第一流導(dǎo)管選擇閥,在第一管道上設(shè)置有兩個(gè)進(jìn)氣管微漏閥,其優(yōu)點(diǎn)和效果是:將吸氣測(cè)試系統(tǒng)和放氣測(cè)試系統(tǒng)集合在一起,節(jié)約成本。
優(yōu)選的,所述的吸氣性能測(cè)試室內(nèi)設(shè)置有石墨加熱片、熱電偶、第一熱陰極電離規(guī)和磁懸浮轉(zhuǎn)子規(guī),石墨加熱片,由熱電偶隨時(shí)測(cè)量吸氣性能測(cè)試室內(nèi)的溫度,所述的第一熱陰極電離規(guī)用于測(cè)試實(shí)驗(yàn)中的實(shí)時(shí)真空度,所述的磁懸浮轉(zhuǎn)子管用于校準(zhǔn)第一熱陰極電離規(guī),其優(yōu)點(diǎn)和效果是:準(zhǔn)確地測(cè)試材料的吸氣性能。
優(yōu)選的,所述的放氣性能測(cè)試室內(nèi)設(shè)置有第二熱陰極電離規(guī)、薄膜真空規(guī)和芯片破壞裝置,所述的第二熱陰極電離規(guī)測(cè)試破壞前所述的放氣性能測(cè)試室的真空度,所述的薄膜真空規(guī)測(cè)試破壞后的所述的放氣性能測(cè)試室的真空度,其優(yōu)點(diǎn)和效果是:準(zhǔn)確地測(cè)量殘余氣體的氣壓。
優(yōu)選的,還設(shè)置有殘余氣體分析儀,所述的殘余氣體分析儀連接放氣性能測(cè)試室,其優(yōu)點(diǎn)和效果是:可以分辨殘余氣體的成分。
優(yōu)選的,在所述的進(jìn)出樣室和吸氣送樣桿之間設(shè)置有第三閥門(mén),在所述的進(jìn)出樣室和放氣送樣桿之間設(shè)置有第四閥門(mén),其優(yōu)點(diǎn)和效果是:使吸氣送樣桿和放氣送樣桿處于真空環(huán)境,提高測(cè)量的準(zhǔn)確度。
優(yōu)選的,所述的第一流導(dǎo)管選擇閥設(shè)置有六個(gè),第二流導(dǎo)管選擇閥設(shè)置有三個(gè),其優(yōu)點(diǎn)和效果是:可供不同材料選擇,以提高測(cè)試精確度。
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