[實用新型]金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820444583.0 | 申請日: | 2018-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN208173593U | 公開(公告)日: | 2018-11-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 雷正龍;劉廣海 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳吉華微特電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/861 | 分類號: | H01L29/861 |
| 代理公司: | 北京智晨知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11584 | 代理人: | 張婧 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 二極管芯片 二極管 串聯(lián)結(jié)構(gòu) 電性連接 陰極 陽極 第二電極 第三電極 第一電極 獨立封裝 金屬封裝 密封空間 封裝體 半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域 本實用新型 串聯(lián)二極管 二極管串聯(lián) 降低器件 耐壓能力 總電容 單管 減小 電路 替代 應(yīng)用 | ||
本實用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管。其包括:第一二極管芯片、第二二極管芯片以及形成有密封空間的封裝體,第一二極管芯片以及第二二極管芯片均位于密封空間內(nèi);封裝體上設(shè)置有第一電極、第二電極以及第三電極,第二二極管芯片的陽極以及第一二極管芯片的陰極分別與第二電極電性連接,第一二極管芯片的陽極與第一電極電性連接,第二二極管芯片的陰極與第三電極電性連接。本實施方式通過將二極管串聯(lián)后進行獨立封裝,不僅可替代兩顆獨立封裝的二極管應(yīng)用在需要串聯(lián)二極管的電路中,大大減小器件所占面積或體積,而且可按照單管使用,同時串聯(lián)結(jié)構(gòu)還可以提高器件耐壓能力,大大降低器件總電容。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型實施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管。
背景技術(shù)
整流二極管是電源中的常用器件,為了保證其高可靠性,常采用金屬陶瓷結(jié)構(gòu)進行封裝。常見的金屬陶瓷封裝二極管,主要包括:單管結(jié)構(gòu)以及并聯(lián)雙芯結(jié)構(gòu),封裝類型一般包括直插(TO)系列和表貼(Surface Mounted Devices,SMD)系列。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題:對于需要兩個二極管串聯(lián)使用的電路,只能使用兩個獨立封裝的單管,占用電路板面積太大,不利于電源小型化。并聯(lián)二極管器件整體耐壓能力與單個芯片耐壓相同,在兩個芯片耐壓有差別時,受耐壓最低二極管的制約,因此并聯(lián)二極管的耐壓較差。二極管并聯(lián)時,其電容相互疊加導(dǎo)致器件總電容較大。
實用新型內(nèi)容
本實用新型實施方式的目的在于提供一種金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管,通過將二極管串聯(lián)后進行獨立封裝,不僅可替代兩顆獨立封裝的二極管應(yīng)用在需要串聯(lián)二極管的電路中,大大減小器件所占面積或體積,而且可按照單管使用,同時串聯(lián)結(jié)構(gòu)還可以提高器件耐壓能力,大大降低器件總電容。
為解決上述技術(shù)問題,本實用新型的實施方式提供了一種金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管,包括:第一二極管芯片、第二二極管芯片以及形成有密封空間的封裝體;所述第一二極管芯片以及第二二極管芯片均位于所述密封空間內(nèi);所述封裝體上設(shè)置有第一電極、第二電極以及第三電極,所述第二二極管芯片的陽極以及所述第一二極管芯片的陰極分別與所述第二電極電性連接,所述第一二極管芯片的陽極與所述第一電極電性連接,所述第二二極管芯片的陰極與所述第三電極電性連接;其中,所述第一二極管芯片以及所述第二二極管芯片的陽極均位于芯片正面,且陰極均位于芯片背面。
本實用新型實施方式相對于現(xiàn)有技術(shù)而言,通過將第一二極管芯片的陰極以及第二二極管芯片的陽極與第二電極連接,將第一二極管芯片的陽極與第一電極連接,將第二二極管芯片的陰極與第三電極連接,從而實現(xiàn)二極管(第一二極管芯片以及第二二極管芯片)串聯(lián)連接;并且,通過將第一二極管芯片以及第二二極管芯片封裝在密封空間內(nèi),可以保證二極管工作的高可靠性。因此,本實施方式既可以替代兩顆獨立封裝的二極管應(yīng)用在需要串聯(lián)的電路中,從而大大減少器件所占面積或者體積,而且可以作為單管使用,并且串聯(lián)結(jié)構(gòu)的二極管的總電容大大降低,耐壓能力得到提高。
另外,所述封裝體包括:第一陶瓷絕緣層、第一散熱導(dǎo)電片、第二散熱導(dǎo)電片、第一金屬蓋板以及一端開口的金屬腔體;所述第一陶瓷絕緣層設(shè)置在與所述開口相對的所述金屬腔體內(nèi)壁上;所述第一散熱導(dǎo)電片以及所述第二散熱導(dǎo)電片并列設(shè)置在所述第一陶瓷絕緣層上;所述第一散熱導(dǎo)電片上設(shè)置所述第一二極管芯片,所述第二散熱導(dǎo)電片上設(shè)置所述第二二極管芯片;所述第一金屬蓋板與所述金屬腔體焊接連接,且密封所述金屬腔體的開口。從而提供了一種直插式金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管。
另外,所述第一電極、第二電極以及第三電極均為貫穿所述密封空間以及所述金屬腔體外部的導(dǎo)線,且均通過絕緣子固定在所述金屬腔體側(cè)壁。
另外,所述第一二極管芯片的陰極通過所述第一散熱導(dǎo)電片與所述第二電極電性連接;和/或,所述第二二極管芯片的陰極通過所述第二散熱導(dǎo)電片與所述第三電極電性連接。從而可簡化封裝工藝。
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H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





