[實用新型]金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820444583.0 | 申請日： | 2018-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN208173593U | 公開（公告）日： | 2018-11-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 雷正龍;劉廣海 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳吉華微特電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京智晨知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11584 | 代理人： | 張婧 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 二極管芯片 二極管 串聯(lián)結(jié)構(gòu) 電性連接 陰極 陽極 第二電極 第三電極 第一電極 獨立封裝 金屬封裝 密封空間 封裝體 半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域 本實用新型 串聯(lián)二極管 二極管串聯(lián) 降低器件 耐壓能力 總電容 單管 減小 電路 替代 應(yīng)用 | ||
1.一種金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管，其特征在于，包括：第一二極管芯片、第二二極管芯片以及形成有密封空間的封裝體；
所述第一二極管芯片以及第二二極管芯片均位于所述密封空間內(nèi)；
所述封裝體上設(shè)置有第一電極、第二電極以及第三電極，所述第二二極管芯片的陽極以及所述第一二極管芯片的陰極分別與所述第二電極電性連接，所述第一二極管芯片的陽極與所述第一電極電性連接，所述第二二極管芯片的陰極與所述第三電極電性連接；
其中，所述第一二極管芯片以及所述第二二極管芯片的陽極均位于芯片正面，且陰極均位于芯片背面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管，其特征在于，所述封裝體包括：第一陶瓷絕緣層、第一散熱導(dǎo)電片、第二散熱導(dǎo)電片、第一金屬蓋板以及一端開口的金屬腔體；
所述第一陶瓷絕緣層設(shè)置在與所述開口相對的所述金屬腔體內(nèi)壁上；
所述第一散熱導(dǎo)電片以及所述第二散熱導(dǎo)電片并列設(shè)置在所述第一陶瓷絕緣層上；
所述第一散熱導(dǎo)電片上設(shè)置所述第一二極管芯片，所述第二散熱導(dǎo)電片上設(shè)置所述第二二極管芯片；
所述第一金屬蓋板與所述金屬腔體焊接連接，且密封所述金屬腔體的開口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管，其特征在于，所述第一電極、第二電極以及第三電極均為貫穿所述密封空間以及所述金屬腔體外部的導(dǎo)線，且均通過絕緣子固定在所述金屬腔體側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管，其特征在于，所述第一二極管芯片的陰極通過所述第一散熱導(dǎo)電片與所述第二電極電性連接；和/或，
所述第二二極管芯片的陰極通過所述第二散熱導(dǎo)電片與所述第三電極電性連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管，其特征在于，所述第一二極管芯片的兩極分別通過連接件與所述第一電極、第二電極對應(yīng)連接；所述第二二極管芯片的兩極分別通過連接件與所述第二電極、第三電極對應(yīng)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管，其特征在于，所述連接件為鋁線或者銅線。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管，其特征在于，所述封裝體包括：金屬底板、第二陶瓷絕緣層、第三散熱導(dǎo)電片、陶瓷絕緣墻、金屬圍墻以及第二金屬蓋板；
所述金屬底板的一側(cè)分別形成載片臺以及承載區(qū)，所述載片臺上設(shè)有所述第一二極管芯片；
所述承載區(qū)上設(shè)有所述第二陶瓷絕緣層，所述第二陶瓷絕緣層上設(shè)有第三散熱導(dǎo)電片，所述第三散熱導(dǎo)電片上設(shè)有所述第二二極管芯片；
其中，所述載片臺與所述第三散熱導(dǎo)電片的承載面位于同一平面；
所述金屬底板、陶瓷絕緣墻、金屬圍墻以及所述第二金屬蓋板形成所述密封空間；
所述金屬底板與所述載片臺相對的一面形成所述第二電極；
所述第二陶瓷絕緣層開設(shè)有第一通孔以及第二通孔，所述第一電極固定于所述第二陶瓷絕緣層且貫穿所述第一通孔，所述第三電極固定于所述第二陶瓷絕緣層且貫穿所述第二通孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管，其特征在于，所述第一二極管芯片的陽極通過連接件與所述第一電極對應(yīng)連接；
所述第二二極管芯片的兩極分別通過連接件與所述載片臺及第三電極對應(yīng)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管，其特征在于，所述第二二極管芯片的陰極通過所述第三散熱導(dǎo)電片與所述第三電極電性連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或者9所述的金屬封裝串聯(lián)結(jié)構(gòu)二極管，其特征在于，所述第一二極管芯片以及所述第二二極管芯片的陽極與對應(yīng)電極之間的連接件的尺寸參數(shù)基本相同。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
