[實用新型]一種CCGA器件植柱裝置有效
| 申請號： | 201820443171.5 | 申請日： | 2018-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN207947249U | 公開（公告）日： | 2018-10-09 |
| 發明（設計）人： | 劉俊永 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第四十三研究所 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 合肥天明專利事務所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 金凱 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 植柱 上模板 陶瓷基板表面 本實用新型 定位凹腔 定位孔 下模板 器件表面 器件放置 植柱裝置 焊錫膏 上端面 工藝技術領域 微電子封裝 印刷 焊接金屬 專用模板 印刷機 下端面 焊盤 圍框 制備 密封 平整 容納 貫穿 | ||
1.一種CCGA器件植柱裝置，其特征在于，包括上模板和下模板，所述下模板上端面開設用于容納待植柱器件和上模板的定位凹腔，所述上模板上端面至下端面貫穿開設多個定位孔，該多個定位孔與所述待植柱器件表面的待植柱焊盤一一對應，所述待植柱器件放置在所述上模板和所述下模板之間。
2.如權利要求1所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，在所述待植柱器件陶瓷基板表面不平整時，所述上模板還貫穿開設有用于容納該不平整部分的空腔。
3.如權利要求1所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，所述定位凹腔的深度小于所述下模板的高度，所述定位凹腔包括用于容納所述上模板的上定位凹腔和用于容納所述待植柱器件的下定位凹腔，所述上定位凹腔位于所述下定位凹腔上方且上定位凹腔與下定位凹腔組成倒“凸”型。
4.如權利要求3所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，所述下模板下端面開設通孔，該通孔與所述下定位凹腔腔體相通且通孔的尺寸小于下定位凹腔腔體的尺寸。
5.如權利要求3所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，所述上定位凹腔和所述下定位凹腔的腔角均為圓形倒角。
6.如權利要求1所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，所述定位孔的直徑大于放入定位孔中的焊錫球或焊錫柱的直徑，定位孔的高度小于插入定位孔中的焊錫柱的高度。
7.如權利要求3所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，所述下定位凹腔的高度大于待植柱器件底面到待植柱焊盤表面的高度。
8.如權利要求6所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，所述焊錫柱上端放置壓塊。
9.如權利要求1-8任一項所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，所述上模板和所述下模板均采用熱膨脹系數與陶瓷基板相差不超過6ppm/℃的石墨或KOVAR合金材料制備。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
