[實用新型]新型接觸器線圈節能控制器有效
| 申請號: | 201820398630.2 | 申請日: | 2018-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN208093454U | 公開(公告)日: | 2018-11-13 |
| 發明(設計)人: | 黃佳顏;王建衛 | 申請(專利權)人: | 貴州工程應用技術學院 |
| 主分類號: | H01H47/04 | 分類號: | H01H47/04 |
| 代理公司: | 貴陽東圣專利商標事務有限公司 52002 | 代理人: | 于俊漢 |
| 地址: | 551700 貴*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 快速釋放 續流電路 電源電壓采樣電路 單片機電源電路 高速開關電路 接觸器 電源 本實用新型 節能控制器 新型接觸器 電路連接 晶振電路 電路 接觸器線圈 二極管 電能損耗 電氣性能 電源負端 線圈連接 被控 負端 正端 能耗 外部 | ||
1.一種新型接觸器線圈節能控制器,包括晶振電路(1)、單片機電源電路(2)、MCU單片機(3)、電源電壓采樣電路(4)、線圈的續流電路(5)、高速開關電路(6)、快速釋放電路(7)、外部被控接觸器(8)、電源+(9),其特征在于:電源+(9)連接單片機電源電路(2)、電源電壓采樣電路(4)、線圈的續流電路(5)、線圈(10),單片機電源電路(2)、電源電壓采樣電路(4)和晶振電路(1)連接MCU單片機(3),線圈(10)連接續流電路(5)和快速釋放電路(7),線圈的續流電路(5)和快速釋放電路(7)連接二極管D6的正端,D6的負端與電源正連接,MCU單片機(3)和快速釋放電路(7)連接高速開關電路(6),高速開關電路(6)與電源負端連接。
2.如權利要求1所述的新型接觸器線圈節能控制器,其特征在于:所述的晶振電路(1)由C01、C02、XTAL構成,晶振電路(1)給MCU單片機(3)U2提供振蕩配置,即MCU單片機(3)U2的外部時鐘輸入電路。
3.如權利要求1所述的新型接觸器線圈節能控制器,其特征在于:所述的單片機電源電路(2)由R1、D4、7805、C1、C2構成,單片機電源電路(2)給單片機提供5V DC工作電源;在電源電壓高于30V后,穩壓二極管D4將電壓鉗位在7805允許的最高輸入電位;C1、C2使7805的輸出電壓更穩定。
4.如權利要求1所述的新型接觸器線圈節能控制器,其特征在于:所述的MCU單片機(3)PIC12F675是microchip公司生產的一款8腳單片機,內置一個10bitA/D轉換器、T0、T1兩個定時器,運用A/D轉換對電源電壓進行采樣,利用T0、T1兩個定時器產生16KHz、占空比可調的振蕩頻率來控制高速開關Q2。
5.如權利要求1所述的新型接觸器線圈節能控制器,其特征在于:所述的電源電壓采樣電路(4)由R4、R5、C3、D5構成,R4、R5將電源電壓變換到PIC12F675允許輸入的電壓范圍內,輸入MCU的模擬輸入端口AN1進行A/D轉換,計算出電源電壓值;C3、D5抑制瞬時干擾電壓,保護MCU。
6.如權利要求1所述的新型接觸器線圈節能控制器,其特征在于:所述的線圈的續流電路(5)由D2、D3、C5、R2、R3、Q1、D6構成,當T0時刻Q2導通后,電源通過D1→R1→D2對C5快速充電至電源電壓,由R1、R2分壓后加在Q1的G、S極,確保Q1導通,Q2截止期間,由于C5放電回路時間常數遠大于Toff的時間,依然保持電源電壓,使Q1保持導通,Q2截止期間線圈(10)產生的感應電壓即反電勢由OUT-→Q1→D6→OUT+給線圈(10)續流,使電磁體保持吸合狀態。
7.如權利要求1所述的新型接觸器線圈節能控制器,其特征在于:所述的高速開關電路(6), Q2為N溝道MOSFET場效應管,Q2由PIC12F675的GP0口控制,高速開關線圈(10),使線圈(10)電壓變成方波序列。
8.如權利要求1所述的新型接觸器線圈節能控制器,其特征在于:所述的快速釋放電路(7)由D6、D7構成,當電源斷電后,C5通過R2→R3→D6放電,Q1截止,線圈(10)反電勢只能從OUT-→D7→D6→OUT+釋放,但此時穩壓管D7工作在反向擊穿狀態,等效電阻較大,即放電時間常數τ=L/R很小,線圈存儲的能量很快泄放,線圈(10)電流迅速降到零,電磁鐵很快釋。
9.如權利要求1所述的新型接觸器線圈節能控制器,其特征在于:所述的電源+(9)端通過二極管D1的正端接入,然后通過二極管D1的負端分別到電阻R1、R4、線圈(10)的一端及二極管D6的負端;電阻R1的另一端分別接穩壓塊U1的電源輸入端、電容C1的一端、穩壓管D4的負端及二極管D2的正端;穩壓塊U1的輸出端分別接MCU單片機(3)U2的電源端和電容C2的一端;電容C1的另一端、電容C2的另一端、穩壓管D4的正端、MCU單片機(3)U2的Vss端及穩壓塊U1的COM端連接一起接地;二極管D2的負端接電阻R2的一端和電容C5的一端;電阻R2的另一端接電阻R3的一端、穩壓管D3的負端及MOSFET管Q1的柵極;MOSFET管Q1的漏極接線圈的另一端和穩壓管D7的負端;電容C5的另一端、電阻R3的另一端、穩壓管D3的正端、二極管D6的正端及穩壓管D7的正端、MOSFET管Q1的源極與MOSFET管Q2的漏極連接在一起;電阻R4的另一端與電容C3的一端、穩壓管D5的負端、電阻R5的一端及MCU單片機U2(3)的Gp1端連接在一起;電容C3的另一端、穩壓管D5的正端、電阻R5的另一端連接在一起接地;MCU單片機(3)U2的Gp0端接電容C4的一端和MOSFET管Q2的柵極;電容C4的另一端和MOSFET管Q1的源極連接在一起接地;MCU單片機(3)U2的Gp5端與晶振XTAL的一端及電容C01的一端連在一起;MCU單片機(3)U2的Gp4端與晶振XTAL的另一端及電容C02的一端連在一起;電容C01的另一端電容C02的另一端連在一起接地。
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